半導(dǎo)體存儲(chǔ)器ppt課件(2)-在線瀏覽
2025-06-23 12:44本頁(yè)面
【正文】 導(dǎo)體存儲(chǔ)器 表 71 掩膜 ROM的內(nèi)容 位 單元 D3 D2 D1 D0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 2 0 1 0 1 3 1 1 1 1 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 2．雙極型 ROM電路 雙極型 ROM速度比 MOS ROM的速度要快 ，它的取數(shù)時(shí)間約為幾十納秒 。用 MOS器件構(gòu)成的 RAM，可分為靜態(tài) RAM和動(dòng)態(tài) RAM兩種。存儲(chǔ)器的容量越大，記憶的信息也就越多，計(jì)算機(jī)的功能也就越強(qiáng)。 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器的概念、分類和要素 ? 簡(jiǎn)介 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 ? 選擇存儲(chǔ)器件的考慮因素 返回本章首頁(yè) 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 簡(jiǎn)介 存儲(chǔ)器就是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的，程序和數(shù)據(jù)都是信息的表現(xiàn)形式。 l掌握半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) 、 芯片的擴(kuò)充 、CPU與半導(dǎo)體存儲(chǔ)器間的連接 。第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 第 7章 存儲(chǔ)器 ? 存儲(chǔ)器的概念、分類和要素 ? 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（ RAM） ? 只讀存儲(chǔ)器（ ROM） ? CPU與存儲(chǔ)器的連接 ? IBMPC/XT中的存儲(chǔ)器，擴(kuò)展存儲(chǔ)器及其管理 ? 擴(kuò)展存儲(chǔ)器及其管理 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 本章學(xué)習(xí)目標(biāo) l掌握半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 、 組成及組成部件的作用及工作原理 、 讀 /寫操作的基本過(guò)程 。 l掌握 SRAM、 DRAM芯片的組成特點(diǎn) 、 工作過(guò)程 、典型芯片的引腳信號(hào) 、 了解 DRAM刷新的基本概念 。 l了解 Cache的基本概念 、 特點(diǎn) 、 在系統(tǒng)中的位置 。按照存取速度和用途可把存儲(chǔ)器分為兩大類：內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，又稱主存儲(chǔ)器）和外存儲(chǔ)器。 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 0000H 0001H 0002H XXXXH 讀寫控制總線 數(shù)據(jù)總線 地址譯碼器 地址 內(nèi)容 地址總線 圖 71 存儲(chǔ)器的邏輯結(jié)構(gòu)示意圖 返回本節(jié) 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 1． RAM的種類： 在 RAM中，按工藝可分為雙極型和 MOS型兩大類。 2． ROM的種類： 1）掩膜 ROM； 2）可編程的只讀存儲(chǔ)器 PROM； 3）可擦除的 EPROM； 4）電擦除的 PROM； 5）快速擦寫存儲(chǔ)器 Flash Memory 又稱快閃存儲(chǔ)器 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 只讀 存儲(chǔ)器 ROM 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器RAM 掩膜 ROM 可編程 ROM （ PROM ） 可擦除 ROM （ EPPROM ） 電擦除 ROM （ E2PROM ） 靜態(tài) RAM （ SRAM ） 動(dòng)態(tài) RAM （ DRAM ） 圖72 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 返回本節(jié) 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 選擇存儲(chǔ)器件的考慮因素 （ 1） 易失性 （ 2） 只讀性 （ 3） 位容量 （ 4） 功耗 （ 5） 速度 （ 6） 價(jià)格 （ 7） 可靠性 返回本節(jié) 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（ RAM） ? 靜態(tài) RAM ? 動(dòng)態(tài) RAM ? 幾種新型的 RAM 技術(shù)及芯片類型 返回本章首頁(yè) 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 靜態(tài) RAM 1． 基本存儲(chǔ)電路單元 （ 六管靜態(tài)存儲(chǔ)電路 ） VCC （ +5V） A B T1 T2 T3 T4 ? ? ? ? 圖 73 基本存儲(chǔ)電路單元 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 圖 74 六管基本存儲(chǔ)電路單元 X 地址譯碼線 D0 DO (I/O) 接 Y 地址譯碼器 (I/O) T 6 T5 VCC （ +5V ） A B T1 T2 T3 T4 T7 T8 ? ? ? ? ? ? ? ? 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 2． 靜態(tài) RAM的結(jié)構(gòu) 1 2 31 32 1 2 31 32 讀 / 寫 選片 輸入 A5 A6 A7 A8 A9 1 2 31 32 1 2 31 32 32 32 ﹦ 1024 存儲(chǔ)單元 Ｘ譯碼器 地址反相器 A0A1A2A3A4 驅(qū)動(dòng)器 I/O 電路 Y 譯碼器 地址反相器 控制 電路 輸出 驅(qū)動(dòng) 圖75 典型的RAM的示意圖 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 3． SRAM芯片實(shí)例 常用典型的 SRAM芯片有 611 626 62256等。 因此 ， 雙極型ROM適用于對(duì)速度要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合 。 返回本節(jié) 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 可擦除可編程的 ROM（ EPROM） 1．基本存儲(chǔ)電路 圖713 EPROM的結(jié)構(gòu)示意圖 S D 位線 字線 浮空 ? ? ? 第 7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 2． EPROM實(shí)例 圖714 2716引腳 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O 0 O 1 O
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