[計(jì)算機(jī)硬件及網(wǎng)絡(luò)]第5章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器-在線(xiàn)瀏覽
2025-03-10 21:57本頁(yè)面
【正文】 子沒(méi)有放電回路 ，能夠長(zhǎng)期保存 。照射一般需要 15到 20 分鐘 。 所以 EPROM的寫(xiě)入和擦除一般需要專(zhuān)用的編程器 。 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 30 E2 PROM ?采用了一種叫做 Flotox（ Floating gateＴ unnel Oxide）的浮柵隧道氧化層的 MOS管，簡(jiǎn)稱(chēng)Flotox管。 GCGfDSSGCGfDS i O2N+N+P隧 道區(qū)GCD1S1T1T2Wi（ 字 線(xiàn) ）Bj（ 位 線(xiàn) ）圖 66 Flotox管結(jié)構(gòu)及符號(hào) 圖 67 Flotox管存儲(chǔ)單元 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 31 ?Flotox管的浮置柵與漏區(qū)之間有一個(gè)氧化層極薄的隧道區(qū) 。 這種現(xiàn)象稱(chēng)為隧道效應(yīng) 。 ?為了使加到隧道區(qū)上的電壓盡量大 ,需要盡可能減小浮置柵和漏區(qū)間的電容 ,因而要求把隧道區(qū)的面積作得非常小 。 根據(jù)浮置柵上是否充有負(fù)電荷來(lái)區(qū)分單元的 1或 0狀態(tài) 。 限制了 E2PROM集成度的提高 。 圖 68是快閃存儲(chǔ)器采用的疊柵 MOS管的結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào) 。 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 34 GCGfDSSGCGfDS i O2N+N+P隧 道 區(qū)GCDSWi（ 字 線(xiàn) ）（ 位 線(xiàn) ）BjVSS圖 68 快閃存儲(chǔ)器中的 MOS管及單元電路 （ a） （ b） 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 35 ?而且浮置柵一源區(qū)間的電容要比浮置柵一控制柵間的電容小得多?？扉W存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元就是用這樣一只單管組成的 ,如圖 68（ b）所示。 產(chǎn)品的集成度在逐年提高 ,有人推測(cè) ,在不久的將來(lái) ,快閃存儲(chǔ)器很可能成為較大容量磁性存儲(chǔ)器 (例如 PC機(jī)中的軟磁盤(pán)和硬磁盤(pán)等 )的替代產(chǎn)品 。 ? 解：因?yàn)樽宰兞?x的取值范圍為 0~15的正整數(shù) ,所以應(yīng)用 4 位 二 進(jìn) 制 正 整 數(shù) , 用B=B3B2B1B0表示 ,而 y的最大值是 =225,可以用 8位二進(jìn)制數(shù) Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示 。 根據(jù)表 52可以寫(xiě)出 Y的表達(dá)式： ? Y7=∑（ 12， 13， 14， 15） ? Y6=∑（ 8， 9， 10， 11， 14， 15） ? Y5=∑（ 6， 7， 10， 11， 13， 15） ? Y4=∑（ 4， 5， 7， 9， 11， 12） ? Y3=∑（ 3， 5， 11， 13） ? Y2=∑（ 2， 6， 10， 14） ? Y1=0 ? Y0=∑（ 1， 3， 5， 7， 9， 11， 13，15 ） 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 38 0 1 4 9 16 25 36 49 64 81 100 121 144 169 196 225 十進(jìn)制數(shù) 注 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 輸 出 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 B3 B2 B1 B0 輸 入 表 52 [例 51]的真值表 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 39 ?根據(jù)表達(dá)式畫(huà)出 ROM存儲(chǔ)點(diǎn)陣如下圖 。 在計(jì)算機(jī)中 ， RAM用作內(nèi)存儲(chǔ)器和高速緩沖存儲(chǔ)器 。 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 41 靜態(tài) RAM 雙極型 RAM存儲(chǔ)單元 ?圖 610是射極讀寫(xiě)存儲(chǔ)單元電路，圖中 T T2為多發(fā)射極晶體管，與 R R2構(gòu)成觸發(fā)器。 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 42 ?保持狀態(tài) ： Z為低電平 , D和 D為 ，狀態(tài)不變。檢測(cè)一根位線(xiàn)上是否有電流，可讀出存儲(chǔ)單元的狀態(tài)。 靜態(tài) MOS型 RAM（圖 611 六 MOS管組成存儲(chǔ)單元） T T T T4基本 RS觸發(fā)器， T T6為門(mén)控管，當(dāng) Xi為 1時(shí)， T T6導(dǎo)通，觸發(fā)器輸出與位線(xiàn)連接；當(dāng)Xi為 0時(shí)， T T6截止，觸發(fā)器輸出與位線(xiàn)斷開(kāi)。 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 44 ?T T8是數(shù)據(jù)存入或讀出存儲(chǔ)內(nèi)容的控制通道。 TT8門(mén)控管，當(dāng) Yj=1時(shí)， T T8導(dǎo)通，位線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)接通； Yj=0時(shí)，位線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)斷開(kāi)。 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 45 圖 611 六管 NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元 T4T3T2T1T6T5T7T8Xi行 選 擇B位 線(xiàn)B位 線(xiàn)D數(shù) 據(jù) 線(xiàn)D數(shù) 據(jù) 線(xiàn)Yj列 選 擇+ VD D行 選 擇位 線(xiàn)位 線(xiàn)數(shù) 據(jù) 線(xiàn)數(shù) 據(jù) 線(xiàn)列 選 擇2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 46 ?雙極型 RAM的優(yōu)點(diǎn)是速度快，但功耗大，集成度不高，大容量 RAM一般都是 MOS型的。T T T T4構(gòu)成基本 RS觸發(fā)器， T T6為門(mén)控管，由行譯碼器輸出控制其導(dǎo)通或截止。 2022/2/14 東北大學(xué)信息學(xué)院 47 ?T T8
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