南理工第7章半導(dǎo)體存儲器-在線瀏覽
2025-07-16 18:08本頁面
【正文】 出數(shù)據(jù) ， 中間計算結(jié)果 ， 與外存交換的信息和作堆棧用 。 l 掩膜 ROM： 通過掩膜技術(shù)制作或不制作晶體管柵極實現(xiàn)的 。 出廠時 PROM為熔絲斷裂型 ， 未寫入時每個基本存儲電路都是一個帶熔絲的三極管或二極管 。 2021/6/15 微機(jī)原理及應(yīng)用 半導(dǎo)體存儲器 6 只讀存儲器 ROM lEPROM： 可以用編程器寫入 ， 用紫外線燈照射擦除 ， 可反復(fù)使用 。 常用的 EPROM芯片： 2716， 2732， 2764， 27128和27256等 。 常見的 E2PROM芯片有 2816(2K*8), 2817(2K*8), 2864(8K*8)等 。 ： 優(yōu)點：存取速度高 缺點：功耗大 ， 集成度低 ， 成本高 主要用于高速微型計算機(jī)中； 2. MOS型： 又可分為 靜態(tài) RAM(SRAM)和 動態(tài) RAM(DRAM)兩種，廣泛用于微機(jī)中。 但集成度較低 ，功耗較大 ， 成本較高 ， 容量有限 ， 只適用于存儲容量不大的場合 。 2021/6/15 微機(jī)原理及應(yīng)用 半導(dǎo)體存儲器 9 隨機(jī)讀寫存儲器 RAM l DRAM： 基本存儲電路為帶驅(qū)動晶體管的電容 ， 電容上有無電荷被視為邏輯 1和 0， 容量大 ， 功耗低 ， 結(jié)構(gòu)簡單 ，集成度高 ， 生產(chǎn)成本低 。 現(xiàn)在用得內(nèi)存大多數(shù)是由 DRAM構(gòu)成的 。 刷新是按行進(jìn)行的 ， 即不管系統(tǒng)中有多少個 DRAM芯片 ， 也不管存儲容量有多大 ， 每次均對所有芯片的同一行再生 。 返回 2021/6/15 微機(jī)原理及應(yīng)用 半導(dǎo)體存儲器 10 存儲器的性能指標(biāo) 存儲器的性能指標(biāo) 包括存儲容量 ， 存取速度 ， 可靠性及性能價格比 。 如： Intel6264為 8K*8位 /片 Intel2114為 1K*4位 /片 l存取速度 ： 從 CPU給出有效存儲器地址到存儲器給出有效數(shù)據(jù)所用時間 。 CPU能直接訪問的存儲器有高速緩存和內(nèi)存 ， 而輔存中的信息必須先調(diào)入內(nèi)存才能由 CPU進(jìn)行處
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