微機(jī)原理第5章存儲(chǔ)器-在線瀏覽
2025-06-29 18:36本頁(yè)面
【正文】 AGP 4X帶寬 =528MHz 4 = 。主存儲(chǔ)器是決定計(jì)算機(jī)技術(shù)面貌的主要因素。 到了晶體管計(jì)算機(jī)時(shí)期 (1959～ 1964)，主存儲(chǔ)器均采用磁心存儲(chǔ)器，磁鼓和磁盤(pán)開(kāi)始用作主要的輔助存儲(chǔ)器。 1964年，在集成電路計(jì)算機(jī)發(fā)展的同時(shí)，計(jì)算機(jī)也進(jìn)入了產(chǎn)品系列化的發(fā)展時(shí)期。隨著各種半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器和可改寫(xiě)的只讀存儲(chǔ)器的迅速發(fā)展，以及微程序技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中開(kāi)始出現(xiàn)固件子系統(tǒng)。 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 EPROM 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 E2PROM 電可擦除可編程的 ROM（ E2PROM） Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory 應(yīng)用特性： （ 1） 對(duì)硬件電路沒(méi)有特殊要求 ， 編程簡(jiǎn)單 。 （ 3） E2PROM器件大多是并行總線傳輸?shù)? 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 E2PROM 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 . 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM 1） RAM也稱(chēng)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器，對(duì)該存儲(chǔ)器內(nèi)部的任何一個(gè)存儲(chǔ)單元，既可以讀出（取），也可以寫(xiě)入（存）； 2）存取用的時(shí)間與存儲(chǔ)單元所在的物理地址無(wú)關(guān)； 3）主要用作主存，也可作為高速緩存使用； 通常說(shuō)的內(nèi)存容量均指RAM容量。 5）微機(jī)中大量使用 MOS型（按制造工藝分成 MOS型和雙極型） RAM芯片。 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 靜態(tài) RAM (SRAM) 典型的靜態(tài) RAM芯片： 6116（ 2KB 8位）、 6264（ 8KB 8位）、 62256（ 32KB 8位）、 628128（ 128KB 8位）等。在一些對(duì)速度要求不是特別高的系統(tǒng)中，內(nèi)存和外存已經(jīng)合而為一，統(tǒng)一使用閃存了。 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 非易失 RAM Flash 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 閃存的原理 非易失 RAM – Flash 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 Samsung 32Gb閃存芯片 非易失 RAM Flash 第三節(jié)：存儲(chǔ)系統(tǒng)的分類(lèi)和原理 同樣作為非易失性存儲(chǔ)器的 MRAM速度為 25ns， PCM的速度最快，為 5ns（ 200MHz）。但是，由于工藝上一直未能突破尺寸和存儲(chǔ)密度上的約束，目前單顆 MRAM芯片的容量最多也只有 512KB。 PCM的核心是一小片特殊材質(zhì)合金，可以在兩種結(jié)構(gòu)之間改變，不同的結(jié)構(gòu)有不同的電阻，要改變 PCM的狀態(tài)，也是透過(guò)電力加熱核心然后停止加熱，藉由快速停止或緩慢停止加熱，將會(huì)導(dǎo)致 PCM進(jìn)入無(wú)定形（ amorphous）或水晶（ crystalline）兩種狀態(tài)。 RAID是 RedundantArrayofIndependentDisk的縮寫(xiě)，中文意思是獨(dú)立冗余磁盤(pán)陣列。初衷是為了將較廉價(jià)的多個(gè)小磁盤(pán)進(jìn)行組合來(lái)替代價(jià)格昂貴的大容量磁盤(pán)，希望單個(gè)磁盤(pán)損壞后不會(huì)影響到其它磁盤(pán)的繼續(xù)使用，使數(shù)據(jù)更加的安全。在提高硬盤(pán)容量的同時(shí)，還能夠充分提高硬盤(pán)的速度，使數(shù)據(jù)更加安全，更加易于磁盤(pán)的管理。 (1) 根據(jù) CPU外部數(shù)據(jù)總線的位數(shù)確定主存結(jié)構(gòu) (2) 根據(jù) CPU外部地址總線的位數(shù)與存儲(chǔ)器的容量 確定主存儲(chǔ)器芯片連接原則 (3） 8位數(shù)據(jù)總線 CPU與存儲(chǔ)器接口 第四節(jié)：存儲(chǔ)器與 CPU的鏈接 ? 讀寫(xiě)存儲(chǔ)器 RAM（ 2114芯片） ① 2114的引腳和邏輯符號(hào)如下圖示： A0 ~A9 I/O1 ~I/O4 2114 寫(xiě)允許 WE 片選 CS (1) 根據(jù) CPU外部數(shù)據(jù)總線的位數(shù)確定主存結(jié)構(gòu) 第四節(jié)：存儲(chǔ)器與 CPU的鏈接 A0? A9 A0? A9 A0? A9 A0? A9 A0? A9 CS CS CS CS WE WE WE WE D3?D0 D7?D4 D7?D4 D3?D0 2114 2114 2114 2114 D7?D0 CPU A15? A10 IO/M 1K 1K WR DB AB CB 片選譯碼 ? ? ? ? ? 地址總線 數(shù)據(jù)總線 控制總線 (1) 根據(jù) CPU外部數(shù)據(jù)總線的位數(shù)確定主存結(jié)構(gòu) 第四節(jié)：存儲(chǔ)器與 CPU的鏈接 ? 讀寫(xiě)存儲(chǔ)器 RAM（ 6116芯片 ） A10 ~A0 I/O0 ~I/O7 6116 寫(xiě)使能 WE 輸出使能 OE 片選 CS 6116存儲(chǔ)芯片為 2K ? 8位 ,8088 CPU數(shù)據(jù)總線是 8位的 , 2K容量的存儲(chǔ)器用一片 6116實(shí)現(xiàn)。 ?1 ?1 ?1 A11=0 74LS30 74LS245 74LS32 6116 WE OE CS MEMR M
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