[教學研究]第4章存儲器-在線瀏覽
2025-04-07 08:34本頁面
【正文】 N CA 8A 9A 1 1O EA 1 0C EI / O 7I / O 6I / O 5I / O 4I / O 3Vcc： +5V單電源供電； A0～ A12： 13條地址總線； I/O0～ I/O7： 8條數(shù)據(jù)線； ：片選信號，低電平，選中該芯片 : 輸出數(shù)據(jù)允許線，低電平有效。 AT28C64B工作過程： 數(shù)據(jù)讀出 ：當 =0且 =0且 =1時，即可將選中的單元中的數(shù)據(jù)讀出。 編程寫入 ：有字節(jié)寫入和頁寫入兩種方式。如果想將某一字節(jié)擦除，則只要執(zhí)行寫入操作，只不過寫入的數(shù)據(jù)是“ 1”； 典型 E2PROM芯片 — 24C64 24C64（ 8K 8）是串行行接口 E2PROM芯片，采用 DIP封裝，數(shù)據(jù)傳輸采用 I2C總線。片選或頁面選擇地址輸入。 SCL：串行移位時鐘輸入端，用于與輸入 /輸出的數(shù)據(jù)同步。 SDA：串行數(shù)據(jù)輸入 /輸出數(shù)據(jù)口。 2 4 C 6 41234A 0A 1A 2G N DV c cW PS C LS D A87655 快速擦除讀 /寫存儲器 FLASH Memory FLASH存儲器也稱為閃爍存儲器，簡稱閃存，是一款電可擦除的非易失性新型存儲器。用 FLASH存儲器生產的半導體固態(tài)盤（ U盤）已成為現(xiàn)今最常用的外存之一。 （ 1） Flash Memory存儲單元結構及工作原理 + +P 襯 底N + N +S 極控 制 柵 極C GD 極懸 置 柵 極F G字 線DS字 線F GC G基本存儲電路 由一只 MOS管構成，當浮置柵極內有電子時， S和 D極導通，為“ 0”狀態(tài)；當浮置柵極內無電子時， S和 D極不導通，為“ 1”狀態(tài)。 寫入 ：在控制柵極和 S極之間接一個正向電壓，電壓值 D和 S極之間的正向電壓，則來自 S極的電子向浮置柵極擴散，使得浮置柵極帶上足夠多的電子，同時在襯底 S與 D極之間感應出導電層，使得 S和 D極之間導通，狀態(tài)由“ 1”變“ 0”，完成寫“ 0”的操作。 典型 Flash Memory芯片 —AT29C010（ 1Mbit） A T2 9 C 0 1 01234567891 01 11 21 31 41 51 63 23 13 02 92 82 72 62 52 42 32 22 12 01 91 81 7N CA 1 6A 1 5A 1 2A 7A 6A 5A 4A 3A 2A 1A 0I / O 0I / O 1I / O 2G N DV c cW EN CA 1 4A 1 3A 8A 9A 1 1O EA 1 0C EI / O 7I / O 6I / O 5I / O 4I / O 3I/O0～ I/O7：數(shù)據(jù)總線， 8條， 雙向，三態(tài)。 其中 A7～ A16提供 1024個分區(qū)地址； A0～ A6提供每個 分區(qū)內的 128字節(jié) 單元地址； ：片選信號； ：讀選通信號； ：寫信號線； Vcc ：工作電壓 +5V。需要解決三大問題： 如何選擇存儲器芯片？ 如何將小容量的存儲器芯片擴充為一個大容量的內存系統(tǒng)？ 存儲器芯片如何與 CPU連接？ 存儲器芯片的選擇 1．存儲器芯片類型的選擇 對于專用設備，其內部的系統(tǒng)程序、數(shù)據(jù)都是固定不變的 —ROM芯片。 所需容量小且對速度要求高， —SRAM； 如果所需容量大， —DRAM。 對容量、速度要求不高， —E2PROM； 對容量、速度要求高， —FLASH Memory。 ：將存儲器芯片擴充成存儲系統(tǒng)所需的位數(shù)。 ①D 0C SW EA 0 ~ A 9⑤D 0C SW EA 0 ~ A 9D 7D 0W E片 選 信 號A 0 ~ A 91 0②③④⑥⑦⑧：存儲容量的擴充。 解：首先滿足位擴充的要求，將 2114(1K 4)擴充成 1K 8，需要 2片芯片（虛線框部分） 然后再滿足字擴充的要求，擴充成 2K 8。 2 1 1 4①D 0 ~ D 3C SW EA 0 ~ A 92 1 1 4②D 0 ~ D 3C SW EA 0 ~ A 9D 7D 0W E片 選 1片 選
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