數(shù)字電路第8章存儲器-在線瀏覽
2025-07-17 01:21本頁面
【正文】 ccess Memory ）和靜態(tài)存儲器SRAM（ Static Random Access Memory ）。 ◆靜態(tài)存儲器 SRAM SRAM主要用于高速緩存，其存取速度比DRAM分快得多。它存儲的信息一般由廠商在制造時寫入的。（ BIOS是電腦基本輸入輸出系統(tǒng)），在開機時，CPU首先執(zhí)行 ROM BIOS中的指令來搜索磁盤上的操作系統(tǒng)文件。 JHR 外存儲器與內(nèi)存儲器相比，存儲容量大，可靠性高，價格低，在脫機情況下可永久保存信息。 主要有：軟盤存儲器、硬盤、光盤等。 一、功能與結(jié)構(gòu) JHR JHR （ ROM）的結(jié)構(gòu) ROM的一般結(jié)構(gòu)，它由地址譯碼器、存儲矩陣和讀出電路三部分組成。通過被選通單元的 m個基本存儲電路的位線（ D0～ Dm－ 1），即可讀出存儲單元的內(nèi)容。 存儲器的容量＝字數(shù) 位數(shù) ROM的容量由或門陣列來實現(xiàn)。此時，若位線與該字線交叉點上跨接有二極管，則該二極管導(dǎo)通，使相應(yīng)的位線輸出為“ 1”；若位線與字線交叉點無二極管，則相應(yīng)的位線輸出為“ 0”。 JHR （ 2）當使能控制 S＝ 0時，所有字線全被鉗位于“ 0”，致使所有位線輸出為“ 0”，此時表示該 ROM電路被禁止讀出。 其它依此類推。 不加黑點表示無存儲元件（在真值表中表示為0）。 如由 4 4ROM陣列圖有： JHR 0101010130010102101010220101010133AAAAAAWWWDAAAAWWDAAAAWWDAAAAAAWWWD????????????????????二、 ROM應(yīng)用舉例 1.“字”的應(yīng)用 —— 由地址讀出對應(yīng)存儲單元的字 【 例 1】 用 ROM電路構(gòu)成一個碼制轉(zhuǎn)換器，將四位二進制碼制轉(zhuǎn)換成四位 Gray碼（循環(huán)碼）。其轉(zhuǎn)換真值表為： JHR （ 2）由真值表寫出最小項表達式 G3＝ ∑（ 1 1 1 1 15） G2＝ ∑（ 11） G1＝ ∑（ 1 1 13） G0＝ ∑（ 1 14） （ 3）根據(jù)最小項表達式，畫出 4位二進制碼 —格雷碼轉(zhuǎn)換器的 ROM陣列結(jié)構(gòu)示意圖 JHR JHR 2.“位”的應(yīng)用 ——由各位線可分別得到地址輸入變量的最小項的和 JHR 0101010100010110101012010101013AAAAAAAADAAAAADAAAAAADAAAAAAAAD?????????????????由此可見，每一位 Di均為輸入 A A0的邏輯函數(shù)，說明 ROM確實可用作組合邏輯函數(shù)發(fā)生器。所以它只能寫入一次。 當用戶要在某處存“ 0”信號，可按地址供給數(shù)十毫安的脈電流，將該處熔絲燒斷，使串接的存儲單元不再起作用，在則未熔斷的地方，則表示存“ 1”的信息。 JHR 16 8位PROM的結(jié)構(gòu)原理圖 由存儲矩陣、地址譯碼器和輸出電路組成。這一特性，取決于 EPROM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 JHR 浮空多 晶硅柵 SiO2 FAMOS 字線 位線 FAMOS管連線圖 JHR （ 2）典型 EPROM集成芯片的介紹 典型 EPROM存儲器芯片型號、容量、引腳數(shù)： 容量＝字數(shù) 位 1K＝ 210＝ 1024 如 2732的容量為 4096字 8位 JHR ［例題 1］如圖表示用 EPROM實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)的點陣圖。 （ 2）說明器件的特點和點陣存儲容量大小。根據(jù) EPROM的結(jié)構(gòu)特點，與陣列為固定結(jié)構(gòu)，或陣列為可編程結(jié)構(gòu)。 A B CCBABCAYCABCBACBACBAY???????21JHR （ 2） EPROM為大規(guī)模集成電路，用戶可根據(jù)需要反復(fù)改寫存儲單元的內(nèi)容，因此可以實現(xiàn)任何復(fù)雜的組合邏輯函數(shù)。 （ 1）分析電路功能，說明當輸入 X、 Y、 Z為何值時，函數(shù) F1＝ 1，函數(shù) F2＝ 1。 JHR ［解］由圖可知，邏輯函數(shù) F F2由 EPROM矩陣組成。即 JHR X Y ZZXYZYXYZXFZYXYZXZYXZYXF????????21由上式看出： 當 XYZ＝ 000, 001， 100, 101時， F1＝ 1； 當 X
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