【正文】 + +P 襯 底N + N +S 極控 制 柵 極C GD 極懸 置 柵 極F G字 線DS字 線F GC G基本存儲電路 由一只 MOS管構(gòu)成，當浮置柵極內(nèi)有電子時， S和 D極導通，為“ 0”狀態(tài)；當浮置柵極內(nèi)無電子時， S和 D極不導通，為“ 1”狀態(tài)。 SCL：串行移位時鐘輸入端，用于與輸入 /輸出的數(shù)據(jù)同步。 AT28C64B工作過程： 數(shù)據(jù)讀出 ：當 =0且 =0且 =1時，即可將選中的單元中的數(shù)據(jù)讀出。若熔絲沒有燒斷，則位線被拉到 Vcc的高電平，讀出信息為“ 1”；若熔絲被燒斷，則位線被下拉電阻拉至低電平，讀出信息為“ 0”。其最大的優(yōu)點是掉電后信息不會丟失。 常用半導體存儲器 隨機存取存儲器 RAM 半導體隨機存取存儲器 RAM是指工作時可以任意讀出或?qū)懭胄畔⒌拇鎯ζ?，它包括靜態(tài) RAM(SRAM)和動態(tài) RAM(DRAM)。 它不僅涉及到消耗功率的大小 ， 也關(guān)系到芯片的集成度 。 存儲器存取時間定義為從接收到存儲單元的地址碼開始 ， 到它取出或存入數(shù)據(jù)為止所需時間 。 數(shù)據(jù)線（ Din/Dout）： 2條數(shù)據(jù)線（ Din/Dout）做為輸入 /輸出 控制線 : 寫允許 行地址選通 列地址選通 I n t e l2 1 6 4 A123456781 61 51 41 31 21 11 09N CD i nW ER A SA 0A 2A 1V d dV s sC A SD o u tA 6A 3A 4A 5A 7I n t e l2 1 6 4 AA 0 ~ A 7R A SC A SW ED i nD o u t② 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 8 位地 址鎖 存器行 時 鐘緩 沖 器數(shù) 據(jù) 輸 入緩 沖 器188。 2 可編程只讀存儲器 OTPROM 字 線熔 絲V c c位 線T x y僅可供用戶進行一次編程 熔絲式 OTPROM基本存儲電路示意圖，由三極管和熔絲組成，可存儲一位信息。 如果給控制刪一個負壓，則浮柵上的電荷流向漏極，信息被擦除。 Vcc：電源 A0～ A2：地址總線。具有快速編程、存儲密度高，存取速度快、成本低、單一供電等特點。 A0～ A16：地址線， 17條， 可尋址 1MB空間。 原則上是在滿足容量的前提下盡量少用芯片 要根據(jù) CPU的速度選擇合適的存儲器芯片速度，達到合理的匹配 功耗的選擇要根據(jù)計算機系統(tǒng)的實際應用情況來決定。 由于片選信號產(chǎn)生方式不同： 有線選法、 部分譯碼法 全譯碼法三種方法。 部分譯碼法：直接從 CPU的高位（ A11～ A15）中任意取得三條地址總線（ A1 A1 A13）經(jīng)過譯碼器譯碼后做為片選信號，其它高位地址線（ A1 A15）沒有使用。 （ 74LS138譯碼器的連線方式不同，會得到不同的地址范圍）。并通過數(shù)據(jù)總線、控制總線和地址總線的連接實現(xiàn)了半導體存儲器與 CPU的連接。 存儲單元無重疊地址（地址是唯一確定的）但電路比較復雜。 存儲單元有重疊地址。線選法是最簡單的方法，缺點是造成內(nèi)存地址的不連續(xù)及重疊地址。 例如：用 2114(1K 4)構(gòu)成 1K 8位的存儲器系統(tǒng) 2 1 1 4①D 0 ~ D 3C SW EA 0 ~ A 92 1 1 4②D 0 ~ D 3C SW EA 0 ~ A 9D 7D 01 0例如：如果用 1K 1的存儲器芯片構(gòu)成 1K 8位的存儲器系統(tǒng)。 存儲器與 CPU的連接 計算機系統(tǒng)的內(nèi)存設計問題。從原理上說， FLASH Memory屬于 ROM型存儲器。當接一片 AT24C64時A0～ A2接地。 : 寫信號，低電平有效。 讀出：選中該單元，使得字線為高電平，則 Txy管導通。 一般用來存放固定程序，如 BIOS程序等。其含義是什么 ？ 解： 含義為， Intel 2114芯片內(nèi)有 1K=210=1024個單元（與 10根地址總線相對應）， 其中每個單元內(nèi)存放 4個二進制數(shù)（與 4根數(shù)據(jù)總線相對應）， 所以其容量為 1024 4bits。微型計算機原理及應用 Microputer Principles And Application 第 4章 存儲器 第 4章 存儲器 存儲器概述 常用半導體存儲器 存儲器與 CPU的連接 存儲器與 CPU連接實例 存儲器概述 存儲器體系結(jié)構(gòu) C P U寄 存 器 高 速 緩 存C P U內(nèi) 部高 速 緩 存內(nèi) 存主 板 內(nèi)硬 盤 光 盤U 盤. . . . . .. . . . . .主 機 內(nèi)容 量 小速 度 快大慢 半導體存儲器的分類 雙極型 RAM SRAM RAM