【正文】 儲 器 靜態(tài)隨機 SRAM 動態(tài)隨機 DRAM 一次性編程 PROM 可擦除 EPROM 紫外光擦除 UREPROM 電擦除 EEPROM 讀寫存儲器 RAM 只讀存儲器 ROM 雙極型 MOS 掩膜 ROM 可編程 ROM 圖 半導(dǎo)體存儲器分類 二、半導(dǎo)體存儲器的組成 半導(dǎo)體存儲器由地址寄存器，譯碼電路、存儲體、讀 /寫控制電路、數(shù)據(jù)寄存器、控制邏輯等 6個部分組成。若干記憶單元（或稱基本存儲電路）組成一個存儲單元，一個存儲單元一般存儲一個字節(jié)，即存放 8位二進制信息，存儲體是存儲單元的集合體。譯碼器的功能是實現(xiàn)多選 1，即對于某一個輸入的地址碼， N個輸出線上有唯一一個高電平（或低電平）與之對應(yīng)。 (1) 單譯碼方式 單譯碼方式是一個 “ N中取 1”的譯碼器，如圖。若某根字線被選中，則對應(yīng)此線上的 M位信號便同時被讀出或?qū)懭?，?jīng)輸出緩沖放大器輸出或輸入一個 M位的字。當(dāng)字選擇線的根數(shù) N很大時， N=2p中的 p必然也大，這時可將 p分成兩部分，如： N=2p=2q+r=2q 2r=X Y，這樣便將對 N的譯碼分別由 X譯碼和 Y譯碼兩部分完成。 3. 地址寄存器 用于存放 CPU訪問存儲單元的地址，經(jīng)譯碼驅(qū)動后指向相應(yīng)的存儲單元。 5. 數(shù)據(jù)寄存器 用于暫時存放從存儲單元讀出的數(shù)據(jù)，或從CPU或 I/O端口送出的要寫入存儲器的數(shù)據(jù)。 三、半導(dǎo)體存儲器芯片的主要技術(shù)指標(biāo) 1. 存儲容量（存放二進制信息的總位數(shù)） 存儲容量 =存儲單元個數(shù) 每個存儲單元的位數(shù) 常用單位： MB、 GB、 TB 其中： 1kB=210B 1M=210kB=220B 1GB=210MB=230B 1TB=210GB=240B 2. 存取時間 存取時間 又稱存儲器訪問時間 。 3. 存取周期 存取周期 是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作所需的最小的時間間隔 TC， 一般TC≥tA 。 5. 其他指標(biāo) 體積 、 重量 、 功耗 (包括維持功耗和操作功耗 )。 圖 六管靜態(tài) RAM基本存儲電路 Y地址譯碼 Vcc V7 I / O V8 I / O V3 V4 V5 V2 V6 A V1 B Di Di X地址譯碼 圖中 V1V2是工作管 ， V3V4是負(fù)載管 ， V5V6是控制管 ，V7V8也是控制管 ， 它們?yōu)橥涣芯€上的存儲單元共用 。 (2) 內(nèi)部管子較多，功耗大，集成度低。 典型的靜態(tài) RAM芯片如Intel 6116 （ 2K 8 位 ） ， 6264 （ 8K 8 位 ） ， 62128（ 16K 8位 ） 和 62256（ 32K 8位 ） 等 。因此，共需地址線 13條，即 A12~A0；數(shù)據(jù)線 8條即 I/O8~I/O WE、 OE、 CECE2的共同作用決定了 SRAM 6264的操作方式，如表 。 二、動態(tài)隨機存儲器 DRAM 刷新放大器 數(shù)據(jù) I/O線 T1 CS 行選擇信號 圖 單管 DRAM基本存儲元電路 T2 列選擇 信號 圖 RAM的基本存儲電路，由 MOS晶體管和一個電容 CS組成。 (2) 集成度高 ， 功耗低 。 2164是 64K 1位的DRAM芯片 ， 片內(nèi)含有 64K個存儲單元 ， 所以 ， 需要 16位地址線尋址 。 利用外接多路開關(guān) ， 先由行選通信號 RAS選通 8位行地址并鎖存 。 圖 (a) Intel 2164 DRAM芯片引腳圖 GND Din A7 A5 A4 A3 A6 Dout VCC A0 A1 A2 NC 2164 1 16 8 9 WE RAS CAS A0~A7：地址輸入 CAS：列地址選通 RAS：行地址選通 WE：寫允許 Din：數(shù)據(jù)輸入 Dout： 數(shù)據(jù)輸出 Vcc：電源 GND：地 圖 (b) Intel 2164 DRAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖 Dout WE Din CAS RAS A7 … A1 A0 8 位 地 址 鎖 存 器 128 128 矩陣 128個讀出放大器 1/2列譯碼 128個讀出放大器 128 128 矩陣 128 128 矩陣 128個讀出放大器 1/2列譯碼 128個讀出放大器 128 128 矩陣 4選1 I/O門控 輸出緩沖器 行時 鐘緩 沖器 列時 鐘緩 沖器 寫允 許時 鐘緩 沖器 數(shù)據(jù) 輸入 緩沖 器 包含： (1) 存儲體 (2)外圍電路 a. 地址譯碼器 b. 讀 /寫控制及 I/O電路 c. 片選控制 CS 二、 RAM的組成 只讀存儲器 (ROM) ROM主要由地址譯碼器、存儲矩陣、控制邏輯和輸出電路四部分組成（如圖 ），與 RAM不同之處是 ROM在使用時只能讀出，不能隨機寫入。 D7 D0 它包含有 (1) 地址譯碼器 (2) 存儲矩陣 (3) 控制邏輯 (4) 輸出電路 圖 ROM組成框圖 一、掩膜 ROM 特點： (1) 器件制造廠在制造時編制程序 ,用戶不能修改。 (3) 可由二極管和三極管電路組成。位于矩陣交叉點并與位線和被選字線相連的二極管導(dǎo)通，使該位線上輸出電位為低電平，結(jié)果輸出為“ 0”，否則為“ 1”。 如圖 1024 1位的 MOS ROM電路。 X譯碼輸出選中某一行，但這一行中，哪一個能輸出與 I/O電路相連，還取決于 Y譯碼輸出，故每次只選中一個單元。圖 型 ROM的結(jié)構(gòu)圖，容量為 256 4位。 二、