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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件-在線瀏覽

2024-08-08 09:45本頁(yè)面
  

【正文】 現(xiàn)下列組合邏輯函數(shù)。88 比較GAL和PAL器件在電路結(jié)構(gòu)形式上有什么不同?89 試分析由PAL編程的組合邏輯電路如圖題89所示,寫出YYY3與A、B、C、D的邏輯關(guān)系表達(dá)式。811可編程邏輯器件有哪些種類?有什么共同特點(diǎn)?812在下列應(yīng)用場(chǎng)合,選用哪類PLD最為適合。(2)產(chǎn)品研制過(guò)程中需要不斷修改的中小規(guī)模邏輯電路。圖題810813選擇題1.一個(gè)容量為1K8的存儲(chǔ)器有 個(gè)存儲(chǔ)單元。 3.尋址容量為16K8的RAM需要 根地址線。 5.某存儲(chǔ)器具有8根地址線和8根雙向數(shù)據(jù)線,則該存儲(chǔ)器的容量為 。 7.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有 功能。 9.欲將容量為2561的RAM擴(kuò)展為10248,則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸入端數(shù)為 。11.只讀存儲(chǔ)器ROM中的內(nèi)容,當(dāng)電源斷掉后又接通,存儲(chǔ)器中的內(nèi)容 。 13.一個(gè)容量為5121的靜態(tài)RAM具有
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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