第6章半導(dǎo)存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件-在線瀏覽
2024-08-09 17:09本頁面
【正文】 存儲(chǔ)單元的內(nèi)容；（4）畫出相應(yīng)的電路。（3）說明電路矩陣的容量，若改用PROM實(shí)現(xiàn)此電路，則矩陣的容量又應(yīng)為多？解：PLA和PROM的結(jié)構(gòu)大體相同，不同的PLA無論是“與陣列”還是“或陣列”均為編程結(jié)構(gòu)，而PROM的“與陣列”為固定的，不可編程的結(jié)構(gòu)，只有“或陣列”是可編程的。一、典型例題及其講解 可編程邏輯陣列（PLA）。（1）分析電路的功能，寫出F1~F3的表達(dá)式；（2）若已知A1A0，B1B0為兩個(gè)兩位的二進(jìn)制數(shù)，試證明電路實(shí)現(xiàn)的是二位二進(jìn)制全加運(yùn)算。因此，在實(shí)現(xiàn)同一函數(shù)時(shí)，PLA通常要比PROM所用的矩陣容量少。由本題給定的條件，函數(shù)寫成最小項(xiàng)之和的形式為：F1=∑m()F2=∑m()F3=∑m()F4=∑m()矩陣的容量為：816+416=192（存儲(chǔ)單元）根據(jù)PROM的“與陣列”固定，“或陣列”可編程的特點(diǎn)，可知與陣列為全譯碼陣列，或陣列由上述F1~F4的函數(shù)式?jīng)Q
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