數(shù)字電子技術第8章存儲器與可編程邏輯器件習題及答案-在線瀏覽
2024-08-02 14:41本頁面
【正文】 的。7． PROM/EPROM/EEPROM 分別代表（ ）。9．存儲器2732A是一個（ ）（EPROM，RAM）。答案：1．ROM，PROM，EPROM，EEPROM2．存儲矩陣，地址譯碼，輸出控制電路3．輸入，輸出4．標準與或形式（最小項表達式）5．15，8，32K8 6．紫外線，電7．可編程的只讀存儲器，可擦可編程的只讀存儲器，電可擦可編程的只讀存儲器8．一次/許多9．EPROM10．寄存器，高速緩存，主存，外存 快閃存儲器（Flash Memory）自測練習1． 非易失性存儲器有（ ）。3． Flash Memory 28F256有（ ）和（ ）兩種操作方式。5． Flash28F256有（ ）根地址線，（ ）根數(shù)據(jù)線，其存儲容量為 （ ）位，編程操作是按字節(jié)編程的。2． 如果用2K16位的存儲器構成16K32位的存儲器，需要（ ）片。4． 若將4片6116 RAM擴展成容量為4K16位的存儲器，需要（ ）根地址線。6． 的存儲器有（ ?。└鶖?shù)據(jù)線，（ ?。└刂肪€，若該存儲器的起始地址為００Ｈ，則最高地址為（ ?。?，欲將該存儲器擴展為的存儲系統(tǒng)，需要的存儲器（ ?。﹤€。2． 字母PAL代表（ ）。（a）PAL的與陣列可充分利用（b）PAL可實現(xiàn)組合和時序邏輯電路（c）PROM和EPROM可實現(xiàn)任何形式的組合邏輯電路4． 具有一個可編程的與陣列和一個固定的或陣列的PLD為（ ）。（a）高電平、低電平、接地 （b）高電平、低電平、高阻態(tài)（c）高電平、低電平、中間狀態(tài)6． 查閱資料，確定下面各PAL器件的輸入端個數(shù)、輸出端個數(shù)及輸出類型。3．GAL16V8在簡單模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置；在寄存器模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置；在復雜模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置。（a）16個專用輸入和8個輸出（b）8個專用輸入和8個輸出（c）8個專用輸入和8個輸入/輸出（d）10個專用輸入和8個輸出5．如果一個GAL16V8需要10個輸入，那么，其輸出端的個數(shù)最多是（ ）。（a）16個 （b）8個 （c）10個7．與、或、非、異或邏輯運算的ABEL表示法分別為（ ）。答案：1．A2．33．3，2，24．B專用輸入，專用組合輸出，復合輸入/輸出（I/O），寄存器組合I/O，寄存器輸出5．C6．87．B8．amp。BAamp。B CPLD、FPGA和在系統(tǒng)編程技術簡介自測練習1．PLD器件的設計一般可分為（ ）、（ ）和( )三個步驟以及 ( )、 ( ) 和( ) 三個設計驗證過程.2．ISP表示（ ）。（a）簡單可編程邏輯陣列 （b）可編程交互連接陣列（c）復雜可編程邏輯陣列 （d）現(xiàn)場可編程邏輯陣列4．FPGA是（ ）。（ａ）熔絲 ?。ǎ猓〤MOS（ｃ）EECMOS （d）SRAM6．PLD的開發(fā)需要有（ ）的支持。8．８ PROM實現(xiàn)的組合邏輯函數(shù)如圖P8．8所示。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1F1F2ABC圖P8．88．９ 用PROM實現(xiàn)全加器，畫出陣列圖，確定PROM的容量。F1=++++ABDF2=++++F3=++++F4=8．１１ PAL器件的結構有什么特點？8．１２ 描述PAL與PROM、EPROM之間的區(qū)別。當X=0時，實現(xiàn)加法計數(shù)；當X=1時，實現(xiàn)減法計數(shù)。習題解答：8．1存儲器有哪些分類？各有何特點？（基本題，第4節(jié)）答：半導體存儲器可分類為：ROM、RAM和Flash存儲器。ROM又可分為：掩膜ROM、PROM、EPROM和EEPROM。掩模ROM、PROM和EPROM在正常工作時，所存數(shù)據(jù)是固定不變的，只能讀出，不能寫入。RAM也稱為讀/寫存儲器，是易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)全部丟失。RAM分靜態(tài)（SRAM）和動態(tài)（DRAM）存儲器，它們的不同的特點是：DRAM需要刷新電路保存數(shù)據(jù)，而SRAM不需要。所存數(shù)據(jù)在沒有電源的情況下可以無限定地保存下來。 ROM通常用來存放不需要經常修改的程序或數(shù)據(jù)，如計算機系統(tǒng)中的BIOS程序、系統(tǒng)監(jiān)控程序、顯示器字符發(fā)生器中的點陣代碼等。動態(tài)RAM與靜態(tài)RAM相比，其基本存儲單元所用的MOS管少，存儲密度高、功耗低。但由于DRAM的高存儲密度、低功耗及價格便宜等突出優(yōu)點，使之非常適用于在需要大容量的系統(tǒng)中用作主存儲器。8．３ 靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM在電路結構和讀寫操作上有何不同？（基本題，第、3節(jié)） 答： SRAM和DRAM在電路結構上的不同是：DRAM電路中有刷新電路，而SRAM沒有。SRAM和DRAM的讀/寫操作由片選信號、讀/寫信號（和輸出允許信號）控制。所不同的是對于動態(tài)存儲器DRAM的每一次的讀/寫操作實質上是對單管動態(tài)存儲電路信息的一次恢復或增強。它和其它存儲器比較有什么不同？（基
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1