半導(dǎo)體化學(xué)(編輯修改稿)
2024-08-28 17:58 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 基礎(chǔ)的硅片化學(xué)清洗技術(shù)。 目前常用 H2O2作強(qiáng)氧化劑，選用 HCl作為 H+的來(lái)源用于清除金屬離子。 表面清洗的一般原則：先有機(jī)物 再無(wú)機(jī)物 Lattice Power (Jiangxi) Corporation ? 目前可行的方案 RCA清洗： 1， SC1是 H2O2和 NH4OH的堿性溶液，一般的比例為 NH4OH： H202：H20＝１：１：５，通過 H2O2的強(qiáng)氧化和 NH4OH的溶解作用，使有機(jī)物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除 。 2， SC2是 H2O2和 HCl的酸性溶液，一般的比例： HCl： H202： H20=1：1： 6,它具有極強(qiáng)的氧化性和絡(luò)合性，能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與 Cl作用生成的可溶性絡(luò)合物亦隨去離子水沖洗而被去除。 3， DHF:HF： H20=1:50,用 HF清洗去除表面的自然氧化膜。 最常用的清洗方法：首先用硫酸 /雙氧水混合液去除光刻膠 → SC1 → DHF → SC2 溫度：８０度左右，在清洗過程中加超聲或兆聲效果更好。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation GaN的清洗 ?在做 P電極、 N電極、鈍化前的清洗 由于 GaN暴露在空氣中 GaN表面會(huì)有污染物，及氧化生成的氧化物，這一層污染物及氧化對(duì)電極接觸非常不利，所以要去掉這些污染物及氧化物。 P－ GaN表面為什么要處理？怎么處理？ N－ GaN為什么要處理？表面怎么處理？ 鈍化前怎樣清洗？ Lattice Power (Jiangxi) Corporation ?PGaN歐姆接觸形成機(jī)制：歐姆接觸，是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得器件工作時(shí)，大部分的電壓降在于活動(dòng)區(qū) (Active region)而不在接觸面。 欲形成好的歐姆接觸，有二個(gè)先決條件：凡是能夠降低勢(shì)壘 фb或增大載流子濃度的方法都有助于降低接觸電阻。 金屬 —p－ GaN間形成歐姆接觸存在著兩大障礙，因此，欲形成歐姆接觸必須尋找更為合適的金屬或合金系統(tǒng)以降低 Schottky勢(shì)壘（ фb）或提高 p－ GaN的空穴濃度 解決辦法：能帶工程、退火、表面清洗等 ?一般在形成
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