半導(dǎo)體設(shè)備工藝簡(jiǎn)介(編輯修改稿)
2025-06-18 17:48 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 （ ITO） 設(shè)備簡(jiǎn)介： 廠商： AST(聚昌科技 ) 型號(hào)： Peva600I 工作原理： 電子束斑聚焦到蒸發(fā)材料表面，使局部達(dá)到蒸發(fā)或升華溫度，蒸發(fā)出來(lái)的原子沉積在基片表面，形成薄膜 用途： 本設(shè)備專門用于沉積 ITO薄膜（一種透明導(dǎo)電薄膜，氧化銦錫） 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 （ ITO） 技術(shù)指標(biāo)： ，可加工橫向尺寸 2英寸以下的任意圖型的平片狀結(jié)構(gòu)的基片，基片材料需要耐 300攝氏度高溫，不能污染設(shè)備腔室；標(biāo)準(zhǔn) 2英寸晶片一次最大加工 110片， 3英寸晶片最大加工數(shù)量 20片； ： 300nm厚度 ITO的方阻約 10左右， on glass 460nm波長(zhǎng)透過(guò)率 90%左右，表面粗糙度約 15nm。 工藝特點(diǎn)： 本設(shè)備屬于偏產(chǎn)業(yè)化設(shè)備，一次加工量較大，沉積的薄膜光電特性優(yōu)良，均勻性、重復(fù)性高。 示例： 電子束蒸發(fā)沉積的 ITO薄膜為呈柱狀顆粒緊密排布的 多晶材料 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 設(shè)備簡(jiǎn)介： 廠商： 中國(guó)電子科技集團(tuán) 型號(hào)： Peva600I 工作原理： 將導(dǎo)電的陰極和陽(yáng)極插入電解液中 ,通電 后在陰極會(huì)有金屬析出附著在陰極表面 用途： 本設(shè)備能在金屬表面電鍍銅膜、鎳膜。 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 技術(shù)指標(biāo)： 4英寸及以下的 wafer； 26片 wafer（視 wafer尺寸大小）， ，樣品需要耐酸性溶液，鍍 100微米需要 4小時(shí)左右。 工藝特點(diǎn)： 設(shè)備簡(jiǎn)單、花費(fèi)低、屬低溫工藝。 示例： 鍍 200微米厚的銅表面照片 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 設(shè)備簡(jiǎn)介： 廠商：精誠(chéng)華旗 型號(hào)： HV180Ⅱ RM 工作原理： 退火爐是一種熱處理設(shè)備，它把一種材料加熱到一定溫度并維持一段時(shí)間，然后讓其自然冷卻。 用途： 釋放應(yīng)力；增加材料延展性和韌性；產(chǎn)生特殊顯微結(jié)構(gòu)。 應(yīng)用于半導(dǎo)體材料、器件（如 LED）、新材料等的快速熱處理（如快速退火、合金等工藝） 。 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 技術(shù)指標(biāo)： 26英寸工藝尺寸 。 200～ 750℃ 177。 1℃/24h ，氮?dú)獗Ｗo(hù) 。 。 ： 50～ 100片 /批 工藝特點(diǎn)： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 設(shè)備簡(jiǎn)介： 廠商：廈門烯成 型號(hào)： GCVD 工作原理： 反應(yīng)氣體在金屬催化作用下生成單層石墨烯。 用途： 適用 Cu 和 Ni襯底上生長(zhǎng)石墨烯 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 技術(shù)指標(biāo)： 26英寸 Si及其他襯底。生長(zhǎng)溫度 7001000℃。 5片 2”/ 批 工藝特點(diǎn)： 兼容真空及常壓兩種最主流的生長(zhǎng)模式 。 ，系統(tǒng)內(nèi)置了多種制備石墨烯的生長(zhǎng)參數(shù)，用戶只需簡(jiǎn)單操作，就可以輕松的制備出高質(zhì)量的石墨烯 。 ，也可以制備出數(shù)十厘米尺寸的石墨烯連續(xù)薄膜 。 3. 可快速升溫、快速降溫，生長(zhǎng)一次石墨烯只需 30分鐘 示例： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 設(shè)備簡(jiǎn)介： 廠商： veeco 型號(hào)： Dektak 8 工作原理： 當(dāng)觸針沿被測(cè)表面輕輕滑過(guò)時(shí)，由于表面有微小的峰谷使觸針在滑行的同時(shí)，還沿峰谷作上下運(yùn)動(dòng)。觸針的運(yùn)動(dòng)情況就反映了表面輪廓的情況。 用途： 主要應(yīng)用于薄膜厚度測(cè)量、樣品表面形貌測(cè)量、薄膜應(yīng)力測(cè)量。
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