半導(dǎo)體封裝工藝介紹(編輯修改稿)
2025-03-19 04:33 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 的 Pad上，具體位置可控； Bond Head Resolution： ； ； ； Bond Head Speed： ；FOL– Die Attach 芯片粘接Epoxy Write：Coverage 75%。Die Attach：Placement。FOL– Epoxy Cure 銀漿固化銀漿固化：175176。C， 1個(gè)小時(shí)；N2環(huán)境，防止氧化：Die Attach質(zhì)量檢查：Die Shear（芯片剪切力）FOL– Wire Bonding 引線焊接※ 利用高純度的金線（ Au） 、銅線（ Cu）或鋁線（ Al）把 Pad 和 Lead通過焊接的方法連接起來。 Pad是芯片上電路的外接 點(diǎn)， Lead是 Lead Frame上的 連接點(diǎn)。 W/B是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一部工藝。FOL– Wire Bonding 引線焊接Key Words：Capillary：陶瓷劈刀。 W/B工藝中最核心的一個(gè) Bonding Tool，內(nèi)部為空心，中間穿上金線，并分別在芯片的 Pad和 Lead Frame的 Lead上形成第一和第二焊點(diǎn)；EFO：打火桿。用于在形成第一焊點(diǎn)時(shí)的燒球。打火桿打火形成高溫，將外露于 Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在 Pad上形成第一焊點(diǎn)（ Bond Ball）；Bond Ball：第一焊點(diǎn)。指金線在 Cap的作用下，在 Pad上形成的焊接點(diǎn)，一般為一個(gè)球形；Wedge：第二焊點(diǎn)。指金線在 Cap的作用下，在 Lead Frame上形成的焊接點(diǎn)，一般為月牙形（或者魚尾形）；W/B四要素：壓力（ Force）、超聲（ USG Power）、時(shí)間（ Time）、溫度（ Temperature）；FOL– Wire Bonding 引線焊接陶瓷的 Capillary內(nèi)穿金線，并且在 EFO的作用下，高溫?zé)?；金線在 Cap施加的一定壓力和超聲的作用下，形成 Bond Ball；金線在 Cap施加的一定壓力作用下，形成Wedge；FOL– Wire Bonding 引線焊接EFO打火桿在磁嘴前燒球Cap下降到芯片的 Pad上，加 Force和 Power形成第一焊點(diǎn)Cap牽引金線上升Cap運(yùn)動(dòng)軌跡形成良好的 Wire LoopCap下降到 Lead Frame形成焊接Cap側(cè)向劃開，將金線切斷，形成魚尾Cap上提，完成一次動(dòng)作FOL– Wire Bonding 引線焊接Wire Bond的質(zhì)量控制：Wire Pull、 Stitch Pull（金線頸部和尾部拉力）Ball Shear（金球推力）Wire Loop（金線弧高）Ball Thickness（金球厚度）Crater Test（彈坑測(cè)試）Intermetallic（金屬間化合物測(cè)試）SizeThicknessFOL– 3rd Optical Inspection三光檢查檢查 Die Attach和 Wire Bond之后有無各種廢品EOL– End of Line后段工藝Molding注塑EOLLaser Mark激光打字PMC高溫固化Deflash/Plating去溢料 /電鍍Trim/Form切筋 /成型4th Optical第四道光檢Annealing電鍍退火Note： Just For TSSOP/SOIC/QFP packageEOL– Molding（注塑）※ 為了防止外部環(huán)境的沖擊，利用 EMC 把 Wire Bonding完成后的產(chǎn)品封裝起 來的過程，并需要加熱硬化。Before MoldingAfter MoldingEOL– Molding（注塑）Molding Tool（模具）216。EMC（塑封料）為黑色塊狀，低溫存儲(chǔ)，使用前需先回溫。其特
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