[信息與通信]半導體器件原理與工藝(編輯修改稿)
2025-04-18 02:49 本頁面
【文章內容簡介】 激光輔助腐蝕 半導體器件原理與工藝 摻雜腐蝕自停止層 1 ? 控制腐蝕的絕對深度通常很困難 ? 腐蝕自停止層可以用來迅速減少腐蝕速率，達到一個比較精確的控制點 ? 硼重摻雜在硅的腐蝕中最常用 ? 一些腐蝕液的攙雜腐蝕特性： ?HNA腐蝕隨摻雜濃度增加而增加 ?KOH腐蝕： 硼摻雜 1020cm3, 速率減小 20X ?NaOH腐蝕： 硼摻雜 3x1020cm3, 速率減小 10X ?EDP腐蝕： 硼摻雜 7x1019cm3, 速率減小 50X ?TMAH腐蝕：硼摻雜 1020cm3, 速率減小 10X 半導體器件原理與工藝 摻雜腐蝕自停止層 2 半導體器件原理與工藝 摻雜腐蝕自停止層 3 半導體器件原理與工藝 摻雜腐蝕自停止層 4 半導體器件原理與工藝 全自動濕法腐蝕操作設備 半導體器件原理與工藝 手動腐蝕設備操作 半導體器件原理與工藝 Chemical Mechanical Polishing(CMP) ? 互連平坦化 ? 以 KOH, 或 NH4OH為基體的含 SiO2顆粒的磨料 ? 顆粒尺寸 ? ?m 半導體器件原理與工藝 等離子刻蝕 ? 容易控制 ? 對溫度不敏感 ? 高各向異性 ? 刻蝕步驟 : ? 氣體離化、離子擴散到硅片表面、膜反應、生成物解析、抽離反應腔 半導體器件原理與工藝 工作 氣體 刻蝕原理 含硅化合物 CF4 金屬鋁 BCl3+Cl2 金屬鎢 CF4/O2 C+F* CF4 等離子體 SiO2+F* SiF4 +O2 BCl3 等離子體 B+Cl* Al+ Cl* AlCl3 C+F* CF4 等離子體 W+F* WF3 等離子刻蝕 半導體器件原理與工藝 直流輝光放電 ? 典型壓力： 1Torr ? 極間電場： 100V/cm 裂解 e* + AB ? A + B + e 原子離化 e* + A ? A+ + e + e 分子離化 e* + AB ?AB+ + e + e 原子激發(fā) e* + A ?A* + e 分子激發(fā) e* + AB ?AB* + e 半導體器件原理與工藝 直流輝光放電 ? 極間高壓電弧產生離子和電子 ? 陰極產生二次電子 半導體器件原理與工藝 射頻放電 ? 直流放電 ? 絕緣材料表面由于產生二次電子會屏蔽電場 ? 交流放電 半導體器件原理與工藝 刻蝕設備 半導體器件原理與工藝 高壓等離子刻蝕 ? 高壓 ?平均自由程 腔體尺寸 ? 刻蝕主要靠化學作用 ? 少量的 O2加入可以提高 CF4刻蝕速率 ? C+O?CO2 C — F +
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