半導(dǎo)體設(shè)備工藝簡(jiǎn)介(參考版)
2025-05-17 17:48本頁(yè)面
【正文】 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 技術(shù)指標(biāo)： 32類(lèi)分選 LED基板 工藝特點(diǎn)： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 聯(lián)系合作方式 聯(lián)系人：王卓老師 Email: 電 話： 01082305245 地 址：北京市海淀區(qū)清華東路甲 35號(hào)，中科院半導(dǎo)體所 3號(hào)樓 306室 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 謝 謝！ 。 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 技術(shù)指標(biāo)： LED wafer/chip點(diǎn)測(cè)設(shè)備、漏電流測(cè)試單元和光學(xué)測(cè)試模組； LED芯片 IV特性、正向電壓、光功率、反向漏電、反向電壓、峰值波長(zhǎng)、主波長(zhǎng)、 ESD等基本的 LED光電性能參數(shù)； ，電壓范圍可達(dá) 200V； Chroma大面積光探測(cè)器 (量測(cè)角度可達(dá) 128度 ) 工藝特點(diǎn)： Edge Sensor具有 點(diǎn)測(cè)針壓穩(wěn)定 ， 沒(méi)有針壓變動(dòng)問(wèn)題，精度高 機(jī)械視覺(jué)定位系統(tǒng)，縮短人工操作時(shí)間 遮光罩， 避免背景光干擾，信噪比高 量產(chǎn)測(cè)試統(tǒng)計(jì)報(bào)表和分析工具 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 設(shè)備簡(jiǎn)介： 廠商：日本 OPTO SYSTEM公司 型號(hào)： MODEL WPSR3208 工作原理： 根據(jù)點(diǎn)測(cè)機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)，機(jī)械手臂按照波長(zhǎng)范圍、電壓范圍、亮度范圍等將相同指標(biāo)的管芯抓取到相對(duì)應(yīng)的藍(lán)膜上，對(duì)管芯進(jìn)行自動(dòng)分選。 示例： 細(xì)拋后藍(lán)寶石表面顯微鏡照片（ 50倍） 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 設(shè)備簡(jiǎn)介： 廠商： 臺(tái)灣致茂電子股份有限公司 型號(hào)： Chroma58173 工作原理： 利用恒流源或恒壓源對(duì)有電極的管芯進(jìn)行測(cè)試，并利用 CCD等對(duì)光新號(hào)進(jìn)行捕捉，得到 IV對(duì)應(yīng)關(guān)系，及相應(yīng)的光功率、波長(zhǎng)等。 ： 0350rpm，通常設(shè)置為： 6375rpm。 示例： 藍(lán)寶石表面顯微鏡照片（ 50倍） 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 設(shè)備簡(jiǎn)介： 廠商：韓國(guó) .,LTD 型號(hào)： NanoSurface460L 工作原理： 研磨盤(pán)內(nèi)存儲(chǔ)的微米級(jí)研磨液顆粒，在工作盤(pán)與銅盤(pán)相對(duì)運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中，將表面打磨光滑 用途： 可對(duì)藍(lán)寶石、硅晶片、 GaAs外延片進(jìn)行背面拋光 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 技術(shù)指標(biāo)： 4英寸及以下的 wafer。 工藝特點(diǎn)： ，可任意設(shè)定減薄原點(diǎn)，操作簡(jiǎn)單 。 用途： 可對(duì)藍(lán)寶石、硅晶片、 GaAs外延片進(jìn)行背面減薄 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 技術(shù)指標(biāo)： 4英寸及以下的 wafer。 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 技術(shù)指標(biāo)： 4英寸及以下的 wafer； ，如 Au、 AuSn合金等； 、干凈，粗糙度小于 100nm； 450度，壓力最高 900kg。 40min 工藝特點(diǎn)： 可實(shí)現(xiàn)單顆管芯或者整片剝離 示例： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 單擊此處編輯母版文本樣式 設(shè)備簡(jiǎn)介：
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