半導體制造工藝簡介(參考版)
2025-05-02 04:54本頁面
【正文】 ?下圖為采用場氧化層隔離技術(shù)制造的 NPN晶體管的截面圖，制作這種結(jié)構(gòu)晶體管的簡要工藝流程如下所示： 。 電感 3 雙極集成電路制造流程 ?雙極集成電路最主要的應(yīng)用領(lǐng)域是模擬和超高速集成電路。 電阻 電阻 ?電阻值計算， xj為結(jié)深 ?當 W=L時， G=g ? 1/g用 R■ 表示，稱為方塊電阻，單位為歐姆，習慣上用 Ω/ ■ 表示。 ?作用：外延層，二氧化硅膜，多晶硅膜，氮化硅膜 化學氣相淀積 ? CVD生長的二氧化硅：用作金屬間的絕緣層，用于離子注入和擴散的掩蔽層，也可用于增加熱氧化生長的場氧化層的厚度 ?熱生長的二氧化硅：具有最佳的電學特性。 化學氣相淀積 ? CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復性好、臺階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡單等一系列優(yōu)點。 化學氣相淀積 ?（ 3）化學氣相淀積 ?化學汽相淀積是指通過氣態(tài)物質(zhì)的化學反應(yīng)，在襯底上淀積一層 薄膜材料 的過程。 ?金屬的淀積通常是物理的。 ?氮化硅的制備 ?主要用作：金屬上下層的絕緣層、場氧的屏蔽層、芯片表面的鈍化層。 ?常用方法：氧化、物理氣相淀積和化學氣相淀積 8 常用工藝之五：薄膜制備 ?四種薄膜：氧化膜；電介質(zhì)膜；多晶硅膜；金屬膜 8 常用工藝之五：薄膜制備 ?（ 1）氧化 ? SiO2的作用 ?屏蔽雜質(zhì)、柵氧化層、介質(zhì)隔離、器件保護和表面鈍化 ? SiO2的制備 ?需要高純度，目前最常用的方法是熱氧化法。 ?大部分的離子并不位于替位位置 ?為了激活注入的離子，并回復遷移率和其他材料的參數(shù)，必須在適當?shù)臅r間與溫度下將半導體退火。 擴散和離子注入的對比 離子注入 注入損傷 ?注入損傷：帶有能量的離子進入半導體襯底，經(jīng)過碰撞和損失能量，最后停留下來。 ?原理：用一臺離子加速器加速雜志粒子向前運動，轟擊硅晶圓表面，最后雜志粒子能量損失后，滲入到晶圓內(nèi)部停留下來形成。兩個要素：高溫和濃度梯度。 ?多晶硅的刻蝕：預刻蝕、主刻蝕、過刻蝕 6 常用工藝之三：刻蝕 ?光刻：將圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導體硅片表面的光刻膠 ?刻蝕：將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠下面組成
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