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半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程(參考版)

2025-06-29 12:08本頁(yè)面

　　

【正文】。閱讀過(guò)后，希望您提出保貴的意見(jiàn)或建議。氧化TepiXjc+Xmc+TBLup+tepiox第二次光刻—P+隔離擴(kuò)散孔圖表 3CD檢測(cè)設(shè)備半導(dǎo)體國(guó)際在襯底上形成孤立的外延層島,實(shí)現(xiàn)元件的隔離.SiO2涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜清洗—P+擴(kuò)散(B)第三次光刻—P型基區(qū)擴(kuò)散孔決定NPN管的基區(qū)擴(kuò)散位置范圍去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗—基區(qū)擴(kuò)散(B) 圖表 9 Da VinciTM濕法表面處理設(shè)備第四次光刻—N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔集電極和N型電阻的接觸孔,以及外延層的反偏孔。與襯底晶格匹配好，以減小應(yīng)力涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜清洗—N+擴(kuò)散(P)外延層淀積圖表 1 原子層淀積系統(tǒng)1。雜質(zhì)固濃度大2。減小集電極串聯(lián)電阻2。一支85公分長(zhǎng)， 8寸硅晶棒，約需 2天半時(shí)間長(zhǎng)成。超凈間：潔凈等級(jí)主要由微塵顆粒數(shù)/m3 I級(jí) 35 3 1 NA10 級(jí) 350 75 30 10

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