半導體制造工藝設計流程(文件)
【正文】 —蝕刻—清洗—去膜清洗—N+擴散(P)外延層淀積圖表 1 原子層淀積系統(tǒng)1。減小集電極串聯(lián)電阻2。超凈間：潔凈等級主要由 微塵顆粒數(shù)/m3 I級 35 3 1 NA10 級 350 75 30 10 NA100級 NA 750 300 100 NA1000級 NA NA NA 1000 7氣體凈化處理系統(tǒng)典型的PN結(jié)隔離的摻金TTL電路工藝流程P型Si 111晶向,偏離2O~5O晶圓（晶片） 晶圓（晶片）的生產(chǎn)由砂即（二氧化硅）開始，經(jīng)由電弧爐的提煉還原成 冶煉級的硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過慢速分 解過程，制成棒狀或粒狀的「多晶硅」。一支85公分長， 8寸 硅晶棒，約需 2天半時間長成。關(guān)鍵的倒角工藝是要將晶圓片的邊緣磨圓，徹底消除將來電路制作過程中破損的可能性。切割晶圓片后，開始進入研磨工藝。amp。amp。amp。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨形成的，不能用來做半導體
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