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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體制作流程(文件)

 

【正文】 品外觀檢查; VISION TIME: 240ms( ); 16 下載 視覺(jué)的基本知識(shí) 初始畫(huà)面:Y 07 Y0,好的 Y1 Y07 Y0:NG,Y1:好 Y07 Y0:好 ,Y1:NG 好的 Y07 T1(CAM1) 規(guī)劃作成中 16個(gè)寄存器號(hào)碼 :(015) 4 個(gè)馬克計(jì)畫(huà) , 9個(gè)個(gè)領(lǐng)引計(jì)畫(huà); 輸出計(jì)畫(huà): 相配輸出 10 個(gè):4個(gè)作標(biāo)記于標(biāo)記,6個(gè)領(lǐng)引有無(wú); 距離輸出 12 個(gè):各個(gè)裝置的L EAD 間距和L EAD 長(zhǎng)度。 C 的我 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 三菱蜂蜜伺服 J2 –超級(jí)系列 伺服系列 規(guī)格: 電源 /頻率: 3 相 220230 VAC/50/60 HZ 容許電壓波動(dòng):三相 170253 VAC 容許頻率波動(dòng); 177。T4 PKG 有無(wú)檢查 4 160-190 輕打阻止的人動(dòng)作 (160) T3 T4 走開(kāi)用電帚打掃 5 190-220 T3 視覺(jué)檢查結(jié)束 6 240-270 輕打飼養(yǎng) 1 錯(cuò)誤 輕打 FEED2 輕打 FEEDER2 動(dòng)作 7 280-310 T2 T3 真空走開(kāi),走開(kāi) T3 T4 用電帚打掃; T2/T3/T4 保持打擊走開(kāi), T1 視覺(jué)結(jié)束檢查 , 測(cè)試結(jié)束檢查 8 9 10 360 停止開(kāi)關(guān) amp。 C 的我 amp。電壓 ) 主要部份 :100 我們 9099 年代 ( 可設(shè)計(jì)的機(jī)能) 繼電器開(kāi)關(guān)時(shí)間 :每測(cè)試 3 ms 四。 類(lèi)比 領(lǐng)導(dǎo) 裝 HANDLER 接口 邏輯 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 3。 700 V 系統(tǒng)內(nèi) DIGINAL 部 HVNP 董事會(huì)補(bǔ)給 力量薪資檢查 當(dāng)系統(tǒng)操作時(shí),發(fā)生 系統(tǒng)力量是下 的警告 檢查系統(tǒng)電源是否良好 時(shí)間董事會(huì)接口出引導(dǎo)了亮 ,則使更下有力量 電路板董事會(huì)檢查: 1 ) IFLV2 , PWB7 , U6amp。 40 V , 177。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 邏輯部 DIGINAL 部 AC 安培 A/D 計(jì)時(shí) HVNP IMLV IFLV2 邏輯部 A/D 董事會(huì) ANALAG 數(shù)傳 數(shù)傳 ANALAG 時(shí)間董事會(huì) R/ D 時(shí)間 箱柜信號(hào) 奶頭開(kāi)始計(jì)時(shí) 測(cè)試結(jié)束計(jì)時(shí) AC 安培董事會(huì) 產(chǎn)生 AC 1 KHZ 信號(hào) 24 下載 最好的 KECW 和 Camp。集成電路 ) 2. LV2 產(chǎn)生器 注 SDT2200 系統(tǒng)中 HVNP 董事會(huì)不能移動(dòng)位置,其它董事會(huì)換位沒(méi)有關(guān)系! 25 下載 最好的 KECW 和 Camp。 C 的我 amp。y 3 ms 輸入信號(hào) 繼電器在 真正的繼電器在 繼電器在延遲時(shí)間 繼電器走開(kāi)延遲時(shí)間 27 下載 5)箱柜信號(hào)輸出時(shí)間 (3 ms) 箱柜信號(hào) :1個(gè)測(cè)試 1個(gè)箱柜向輸出作信號(hào) 箱柜信號(hào) :跳動(dòng) U63 Q 輸出, VR7adjust。 中國(guó) 50 HZ JP3 短 VR1 調(diào)整 20 ms 。 Q1 C 信號(hào) 200 我們 比較遲的 U39,VR23adjust 200 ms 29 下載 最好的 和 Camp。(20個(gè)媽 ) (IB):BALANCE調(diào)節(jié) ,GAIN調(diào)節(jié) (20mA)。 我 KECW ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 31 下載 掃描機(jī) 系統(tǒng)管腳的極性設(shè)置 BV BI CV CI 電子伏 EI 頭盒子 系統(tǒng)可以在測(cè)試計(jì)畫(huà)中的掃描機(jī)界面中設(shè)定, 例如:到 92 的 C3198 C B E 1 。 最好的 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG 韓國(guó) SMD BIS Ass39。 計(jì)畫(huà)名字 ) amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW (1)找出NG的電路板董事會(huì)或頭盒子 系統(tǒng)自己的檢查 ,NG 項(xiàng)目檢查 。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW 情況作信號(hào) 1。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW 一 ) 半導(dǎo)體制造程序 : 半導(dǎo)體的導(dǎo)電率是在半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者和絕緣體導(dǎo)電率之間是有熱,光和雜物的變數(shù)。 C 的我 amp。轉(zhuǎn)換 發(fā)射半導(dǎo)體 : 電的信號(hào)光信號(hào) 電壓耦合元件半導(dǎo)體 : 點(diǎn)燃船搬運(yùn)信號(hào)電的信號(hào) 2)電的信號(hào)治療 一。數(shù)據(jù) amp。 control:Microprocessor $ 37 下載 最好的 和 Camp。 Metallization?$ f。反應(yīng)臨時(shí)雇員 :700 — 1250 ℃ : 來(lái)源掩蔽 鈍化 SiO2 矽 矽 39 下載 活力 : 相片雕刻程序 相片雕刻程序是從一個(gè)主人到和光的另外一種媒體轉(zhuǎn)移一個(gè)圖像的程序。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW 40 紫外線輻射 用 HF 將相片抵抗 amp。 該工程通過(guò)檢測(cè)I B 和IC項(xiàng)目來(lái)確定擴(kuò)散層厚度 小鬼 :培植 –機(jī)械的進(jìn)口注入 培植程序首先在已經(jīng)散布的地方生成一層 ?腟 iO2 , 這樣滲雜質(zhì)可以通過(guò) ?腟 iO2 , 但原來(lái)未做 DIFF 的則無(wú)法滲透。 礎(chǔ) 基礎(chǔ)寡婦打開(kāi) SiO2 = 1000 197。 C 的我 amp。 我 KECW 。 考試人系統(tǒng)維護(hù)教育 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 46 最好的 和 Camp。 C 的我 amp。 C 的我 amp。 C 的我 amp。 暴露假面具 相片抵抗 SiO2 矽 SiO2 矽 最好的 和 Camp。 C 的我 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW 制造的 3 )介紹 :N 類(lèi)型或 p類(lèi)型 b。 countamp。 storeamp。訂正兩極管 AC 直流 b。 CONDUCTOR+INSULATOR SEMICONDUCTOR 5。 2. BCD:二近制碼的十制碼 BIN10 輸出信號(hào) 測(cè)試輸出 BIN13 BIN2 輸出信號(hào) BIN1 OUTPUT SIGNAL 13=10+2+1 3. 二進(jìn) :二近制碼 BIN8 輸出信號(hào) 測(cè)試輸出 BIN13 BIN4 輸出信號(hào)
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