【摘要】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長(zhǎng)vSi-SiO2界面特性下一頁(yè)通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-03-01 04:27
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)3二、對(duì)襯底材料的要求?導(dǎo)電
2025-03-04 15:32
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第6章 金 屬 化第6章 金 屬 化 概述 金屬化類型 金屬淀積 金屬化流程 金屬化質(zhì)量控制 金屬淀積的工藝模擬 概述 金屬化的概念 在硅片上制造芯片可以分為兩部分:第一,在硅片上利用各種工藝(如氧化、CVD、摻雜、光刻等)在硅片表面制造出各種有源器件和無源元件。第二,利用金屬互連線將這些元器件連接起來形成完整電路系統(tǒng)
2025-03-01 04:30
【摘要】電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過程中一個(gè)至關(guān)重要的工藝步驟,通過淀積工藝可以在硅片上生長(zhǎng)導(dǎo)各種導(dǎo)電薄膜層和絕緣薄膜層。
2025-02-15 05:50
【摘要】集成電路制造工藝期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)?超凈加工車間等級(jí)劃分、各凈化等級(jí)適用范圍;?超凈加工車間制備方式;?超純水制備方式;薄膜制備?二氧化硅膜用途;?二氧化硅膜的制備方式(氧化法、熱分解法、氫氧合成法);?采用不同方式制備氧化膜的質(zhì)量區(qū)別;?摻氯氧化的作用;?影響氧化速度的因素(濃度、溫度、分壓、
2025-05-12 20:53
【摘要】1Chapter?8離子注入2目標(biāo)?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認(rèn)出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點(diǎn)?描述離子注入機(jī)的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認(rèn)安全上的危害3離子注入?簡(jiǎn)介?安全性?硬件?制程?概要4材料設(shè)計(jì)光罩I
2025-03-01 12:22
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-03-12 19:26
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:28
【摘要】芯片制造-半導(dǎo)體工藝教程MicrochipFabrication????????----APracticalGuidetoSemicondutorProcessing????????
2025-07-27 13:48
【摘要】
2024-10-04 18:03
【摘要】半導(dǎo)體製程簡(jiǎn)介部門ASI/EOL報(bào)告人SaintHuang半導(dǎo)體製造流程晶圓製造封裝晶圓針測(cè)測(cè)試Front-EndBack-End晶粒(Die)成品半導(dǎo)體製程分類◆I.晶圓製造◆◆
2025-02-26 01:36
【摘要】砷化鎵與硅半導(dǎo)體制造工藝的差異分析TREND盎j一~00趨勢(shì)掃2020/9廿田趨勢(shì)掃描(error)情形,因此所制造出來的產(chǎn)品可靠性相對(duì)提高,其穩(wěn)定性并可解決衛(wèi)星通訊時(shí)暴露于太空中所招致的輻射問題.目前砷化鎵在通訊IC應(yīng)用中以手機(jī)的應(yīng)用所占比率最高,手機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要可分為基帶
2024-10-25 09:37
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?
2025-08-09 19:38
2025-03-01 04:33
【摘要】UMCConfidential,NoDisclosureDataPreparedbyMorrisIntroductiononFabflowandsemiconductorindustryforITrelatedemployeeMorrisL.YehUMCConfidenti