【摘要】半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術。用照相復印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的:光
2025-03-01 04:28
【摘要】電信學院微電子教研室半導體制造技術byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學院微電子教研室半導體制造技術byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過程中一個至關重要的工藝步驟,通過淀積工藝可以在硅片上生長導各種導電薄膜層和絕緣薄膜層。
【摘要】
2024-10-04 18:03
【摘要】半導體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:31
【摘要】1半導體業(yè)廢水處理流程簡介組員:942714蕭皓云942726黃郁雯942727李名妙942734吳士嫻942751莊語紜942755陳怡君科任教授:鄧宗禹大綱內(nèi)容一、半導體的介紹二、晶圓製作流程三、廢水來源四、廢水處理系統(tǒng)
2025-05-14 06:21
【摘要】半導體制冷片工作原理致冷器件是由半導體所組成的一種冷卻裝置,隨著近代的半導體發(fā)展才有實際的應用,也就是致冷器的發(fā)明。其工作原理是由直流電源提供電子流所需的能量,通上電源后,電子負極(-)出發(fā),首先經(jīng)過P型半導體,于此吸熱量,到了N型半導體,又將熱量放出,每經(jīng)過一個NP模塊,就有熱量由一邊被送到令外一邊造成溫差而形成冷熱端。冷熱端分別由兩片陶瓷片所構成,冷端要接熱源,也就是欲冷卻之。在以往致冷
2025-08-03 06:43
【摘要】溶膠-凝膠技術Sol-Geltechnique一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點二、溶膠-凝膠法采用的原料三、溶膠-凝膠過程的主要反應四、溶膠-凝膠法制備薄膜及涂層材料一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點溶膠-凝膠法基本名詞術語(precursor):所用的起始原料。(metal
2025-08-15 20:59
【摘要】半導體化學Doctor湯LatticePower(Jiangxi)Corporation1什么是半導體化學?研究半導體材料的制備、分析以及半導體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學問題的化學分支學科。LatticePower(Jiangxi)Corporation半導體材料?元素半導體,如硅(Si)、鍺
2025-08-01 17:58
【摘要】半導體制造工藝半導體制造工藝l微電子學:Microelectronicsl微電子學——微型電子學l核心——半導體器件l半導體器件設計與制造的主要流程框架設計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕
2025-03-01 12:21
【摘要】半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理兩大關鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕1半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理刻蝕速率R(etchrate)單位時間刻蝕的薄膜厚度。對產(chǎn)
2025-03-01 12:23
【摘要】中文5439字畢業(yè)設計(論文)外文資料翻譯學院:專業(yè):過程裝備與控制工程姓名:學號:外文出處:Journa
2025-05-11 12:12
【摘要】半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術。用照相復印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【摘要】第二章半導體材料特性1提綱2原子結(jié)構化學鍵材料分類硅可選擇的半導體材料新型半導體電子與光電材料原子結(jié)構原子由三種不同的粒子構成:中性中子和帶正電的質(zhì)子組成原子核,以及圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的帶負電核的電子,質(zhì)子數(shù)與電子數(shù)相等呈現(xiàn)中性。圖碳原子的基本模型
2025-03-10 23:56
【摘要】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預淀積+退火。預淀積:氣固相預淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅
2025-03-03 14:53
【摘要】學習情景三常州信息職業(yè)技術學院學習情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學習情景三常州信息職業(yè)技術學院半導體制造工藝第2版?書名:半導體制造工藝第2版?書號:978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機械工業(yè)出版社學習情景三常州信息職業(yè)技術學院物理氣相淀積?概念:物
2025-03-01 04:30