半導(dǎo)體工藝流程(文件)
【正文】 ，另外，部分光刻膠得不到光照，從而改變光刻膠性質(zhì)；顯影是對曝光后的光刻膠進(jìn)行去除，由于光照后的光刻膠和未被光照的光刻膠將分別溶于顯影液和不溶于顯影液，這樣就使光刻膠上形成了溝槽。+H2O的方法就是濕法腐蝕或干法刻蝕?！瘜W(xué)氣相沉積（CVD）CVD被使用來在硅片上沉積氧化硅、氮化硅和多晶硅等半導(dǎo)體器件材料，是在300~900℃的溫度下通過化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生以上物質(zhì)的過程。56+2化學(xué)機械拋光（CMP）CMP是類似機械拋光的一種拋光方式，一般用于具有三層或更多層金屬的集成電路芯片制造生產(chǎn)。背面減?。˙G）在芯片的生產(chǎn)過程中，芯片太薄不利于芯片生產(chǎn)。金屬沉積在硅基片上沉積金屬以作為電路的內(nèi)引線的方法有蒸發(fā)、濺射、CVD等，亞微米集成電路生產(chǎn)通常采用濺射的方法。N2+2P2O5PH3——+濕法
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