半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介(文件)
【正文】 :37 上午 4:50 上午 04:50:37二月 21v 沒(méi)有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 04:50:3704:50:3704:50Monday, February 01, 2023v 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 二月 214:50 上午 二月 2104:50February 01, 2023v 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 04:50:3704:50:3704:502/1/2023 4:50:37 AMv 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 二月 21二月 2104:50:3704:50:37February 01, 2023v 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 4:50:37 上午 4:50 上午 04:50:37二月 21MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看專(zhuān) 家告 訴。 二月 214:50 上午 二月 2104:50February 01, 2023v 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 04:50:3704:50:3704:50Monday, February 01, 2023v 1知人者智，自知者明。 4:50:37 上午 4:50 上午 04:50:37二月 21v 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 01 二月 20234:50:37 上午 04:50:37二月 21v 1楚塞三湘接，荊門(mén)九派通。 04:50:3704:50:3704:502/1/2023 4:50:37 AMv 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 二月 214:50 上午 二月 2104:50February 01, 2023v 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 04:50:3704:50:3704:50Monday, February 01, 2023v 1乍見(jiàn)翻疑夢(mèng)，相悲各問(wèn)年。v下圖為采用場(chǎng)氧化層隔離技術(shù)制造的 NPN晶體管的截面圖，制作這種結(jié)構(gòu)晶體管的簡(jiǎn)要工藝流程如下所示：v 靜夜四無(wú)鄰，荒居舊業(yè)貧。電阻電阻v電阻值計(jì)算， xj為結(jié)深v當(dāng) W=L時(shí)， G=gv1/g用 R■表示，稱(chēng)為方塊電阻，單位為歐姆，習(xí)慣上用 Ω/ ■表示。化學(xué)氣相淀積vCVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn)。v金屬的淀積通常是物理的。v常用方法：氧化、物理氣相淀積和化學(xué)氣相淀積8 常用工藝之五：薄膜制備v四種薄膜：氧化膜；電介質(zhì)膜；多晶硅膜；金屬膜8 常用工藝之五：薄膜制備v （ 1）氧化v SiO2的作用v 屏蔽雜質(zhì)、柵氧化層、介質(zhì)隔離、
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1