【正文】 的切割。如果金屬硅吹氧不充分，可能會將一些碳元素帶入硅中，另外，在多晶硅和單晶硅爐中，由于通常采用石墨加熱件和碳氈保溫體，因此在高溫下會有碳蒸汽的揮發(fā)進入到硅中，也會增加硅中的碳含量。 多晶硅中的雜質(zhì) (4)多晶硅中的 氮氮p 硅中的氮元素的存在，好像是好處多于壞處。 主要還是由于這些元素的性質(zhì)比較活躍，容易形成化合物，之后被從硅材料中帶出的緣故。在硅錠中存在的過渡族金屬主要有Fe,Co,Ni,Cu,Au,Zn,Pt等，其中大部分 (如 Fe,Ni,Cu等 )主要占據(jù)的是間隙位置，而 Au,多晶硅中的過渡族金屬元素在硅材料中過渡族金屬的擴散系數(shù) 多晶硅中的過渡族金屬元素p 鐵是多晶硅中最為重要的一種過渡族金屬，它在硅中主要是以自間隙鐵 (Fe*而且銅沉淀的性質(zhì)取決于冷卻速率和缺陷密度，快冷下形成高刻度的小尺寸銅沉淀，而慢冷條件下則形成低密度的大尺寸銅沉淀，后者的復合強度遠大于前者。存在晶界 CB、位錯 D、孿晶 T、位錯線 DL、位錯結 DT等缺陷多晶硅中的缺陷(1)晶界l 一種意見是，潔凈的晶界對少數(shù)載流子的壽命并無影響或只有很微小的影響，只是由于雜質(zhì)的沾污、沉淀的形成才顯著地降低少數(shù)載流子的壽命。多晶硅中的缺陷(2)位錯l 在多晶硅鑄造過程中，由于熱應力的作用會導致位錯的產(chǎn)生。半導體級高純硅的制備p 在浸入式電極電弧爐中，用碳還原石英制取 冶金級（MG）的硅 。p 冶金級硅的最初提純是氫它轉(zhuǎn)化成一種中間化合物如四氯化硅（ SiCl4），尤其是三氯氫硅（ SiHCl3）來完成的。半導體級高純硅的制備p 因為用這種方法制取的多晶硅純度極高，不能用標準分析技術進行鑒定。對一般晶錠的各種應用而言，這個純度已能滿足需要了。manufacturemanufactureFebruary4:46:19February01,20234:46:19214:46 2023/2/1 4:46:19February4:46:19February01,20234:46:19214:46 2023/2/1 4:46:19February4:46:19February 二月 21二月 2104:46:1904:46:19February二月 214:46 2023/2/1 4:46:19doloradipiscingurnaac,iaculiscursus.felispurus.eleifendFusceamet,上午 04:46:19二月 21MOMODA POWERPOINTLoremFebruary01,上午 04:46:19二月 21l 1最具挑 戰(zhàn) 性的挑 戰(zhàn) 莫 過 于提升自我。2023l 1意志 堅 強 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。2023l 1知人者智，自知者明。 二月 2104:46:1904:46Feb2101Feb21l 1越是無能的人，越喜 歡 挑剔 別 人的 錯 兒。2023l 閱讀 一切好 書 如同和 過 去最杰出的人 談話 。上午 04:46:19二月 21l 楊 柳散和 風 ，青山澹吾 慮 。February01, 。 012023l 1不知香 積 寺，數(shù)里入云峰。 二月 2104:46:1904:46Feb2101Feb21l 1世 間 成事，不求其 絕對圓滿 ，留一份不足，可得無限完美。2023l 很多事情努力了未必有 結 果，但是不努力卻什么改 變 也沒有。上午 04:46:19二月 21l 沒有失 敗 ，只有 暫時 停止成功！。February01, 。 012023l 1乍 見 翻疑夢，相悲各 問 年。 二月 2104:46:1904:46Feb2101Feb21l 1故人江海 別 ，幾度隔山川。2023l 雨中黃葉 樹 ，燈下白 頭 人。moduleMulticrystallinesilicon waferSolar cellPhotovoltaic module (Solar panel)完l 靜夜四無 鄰 ，荒居舊 業(yè)貧 。moduleHowHowp 然后根據(jù)電阻率和霍爾測量來推出雜質(zhì)的含量。p 然后，用提純過的三氯氫硅在氫氣氛中進行還原反應，于是在一根熱的細硅棒上（ T≧1100℃ ）發(fā)生化學氣相沉積，最后形成半導體級高純多晶硅。反應為SiO2(s)十 2C(s)＝ Si(s)十 2CO(g)p 冶金級硅的純度接近 98～ 99% ，主要的雜質(zhì)有 Al和 Fe。l 位錯本身就具有懸掛鍵，存在電學活性，降低少數(shù)載流子的壽命 。l 但共同的看法都是雜質(zhì)都很容易在晶界處偏聚或沉淀。多晶硅中的過渡族金屬元素多晶硅中的缺陷多晶硅中的缺陷l 多晶硅中存在高密度的、種類繁多的缺陷，如晶界、位錯、小角晶界、孿晶、亞晶界、空位、自間隙原子以及各種微缺陷等。 但由硅錠得到的鐵分布卻是底部和頂部濃度較高，中間部分濃度較低，且分布較為均勻 ，這與由單一分凝機制決定的間隙鐵濃度分布有出入，目前普遍認為這是坩堝底部內(nèi)壁污染條件下固相擴散的結果，相關的數(shù)值模擬也證實了這一點。而這些自間隙鐵、鐵的復合體或鐵沉淀在硅的禁帶中引入深能級中心，從而顯著降低材料少數(shù)載流子的壽命，在 P型硅中，低濃度的鐵通常與硼結合成鐵 硼對，而高濃度的鐵則主要形成鐵沉淀，它們都是深能級復合中心。p 鐵和鉻的擴散系數(shù)相對較小，但是在慢速冷卻熱處理時，依然有大部分形成沉淀。Pt在硅中則主要是以替代位存在的。 多晶硅中的雜質(zhì) (4)多晶硅中的 氮氮p 在多晶硅的結晶過程中，氮還可以與氧作用，形成氮氧復合體，影響材料的電學性能。浙江大學國家硅材料重點實驗室的闕端麟先生首創(chuàng)氮氣氛下拉單晶，就是利用氮的這些優(yōu)點的。p 但如果碳過多的話，將會與硅反應，產(chǎn)生一定數(shù)量的碳化硅，碳化硅沉淀導致晶格位錯，形成深能級載流子復合中心，從而影響少子壽命。p 但是，如果在從高溫到低溫又向高溫進行退火處理的時候，則硅中的碳濃度和氧濃度同時發(fā)生變化，因此，推測在退火過程中，碳氧將發(fā)生復合，或促進氧沉淀的生成，因為碳原子往往能夠成為氧沉淀的核心，形成原生氧沉淀。p 碳也是 IV族元素，與硅同族，因此， C在硅中不會產(chǎn)生施主或受主效應。同氧一樣，碳在多晶硅中的行為十分復雜，有關它們對材料電學性能的影響，需要進一步的研究。在硅錠的生長過程中反應產(chǎn)生 CO,CO與硅熔體表面接觸并溶解。多晶硅中的雜質(zhì) (1)多晶硅中的氧多晶硅中的雜質(zhì) (1)多晶硅中的氧p 雖然低于溶解度的間隙氧并不顯電學活性，但是當間隙氧的濃度高于其溶解度時，就會有熱施主、新施主和氧沉淀生成，進一步產(chǎn)生位錯、層錯，從而成為少數(shù)載流子的復合中心。顯著地降低多晶硅材料的電學性能。鑄造多晶硅p 由于制造鑄造多 晶 硅的原料主要為微電子工業(yè)剩下的頭尾料，所以其體內(nèi)的雜質(zhì)含量很高。l 因此既要保持一定的晶體生長速率 。p 鑄造多晶硅在生長時，生長系統(tǒng)必須很好地隔熱，以便保持熔區(qū)溫度的均勻性，沒有較大的溫度梯度出現(xiàn) 。l 通過增大 Gs來增強固相的散熱強度，是獲得大 GL的重要途徑，同時，這樣也會使凝固速率增大 。λ s和 λ L分別為晶體和熔體的導熱系數(shù) 。0，溫度梯度的大小直接影響晶體生長速率和晶體質(zhì)量。多晶硅鑄錠爐