【正文】 很低，因此，對(duì)材料的影響不是很大。 p 根據(jù)實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，總體說(shuō)來(lái)，如果 C、 O、 N等元素的雜質(zhì)濃度能夠小于 1020ppm，那么，對(duì)作為太陽(yáng)能用途的硅材料來(lái)說(shuō)，就沒(méi)有什么副作用了。 p 把這些元素消除到 20ppm以下，并不是很困難的事情。主要還是由于這些元素的性質(zhì)比較活躍，容易形成化合物，之后被從硅材料中帶出的緣故。 多晶硅中的過(guò)渡族金屬元素p 在硅錠中存在的過(guò)渡族金屬主要有Fe,Co,Ni,Cu,Au,Zn,Pt等，其中大部分 (如 Fe,Ni,Cu等 )主要占據(jù)的是間隙位置，而 Au,Zn,Pt在硅中則主要是以替代位存在的。p 這些金屬元素的半徑一般都比硅的大，易引起較大的晶格畸變，而且它們?cè)诠柚幸话愣加兄浅４蟮臄U(kuò)散系數(shù)，除了從原材料中帶入，在之后的電池制作工藝中也不可避免地會(huì)引入 。多晶硅中的過(guò)渡族金屬元素在硅材料中過(guò)渡族金屬的擴(kuò)散系數(shù) 大小多晶硅中的過(guò)渡族金屬元素p 這些雜質(zhì)中，銅和鎳的擴(kuò)散系數(shù)較大，即使淬火，它們也會(huì)形成沉淀而不溶解在硅晶格中。p 鐵和鉻的擴(kuò)散系數(shù)相對(duì)較小，但是在慢速冷卻熱處理時(shí)，依然有大部分形成沉淀。p 這些元素在硅的禁帶中形成深能級(jí)，從而成為復(fù)合中心，降低少數(shù)載流子的壽命。多晶硅中的過(guò)渡族金屬元素p 鐵是多晶硅中最為重要的一種過(guò)渡族金屬，它在硅中主要是以自間隙鐵 (Fe)、鐵的復(fù)合體或鐵沉淀 (FeSi2)的形式存在。而這些自間隙鐵、鐵的復(fù)合體或鐵沉淀在硅的禁帶中引入深能級(jí)中心，從而顯著降低材料少數(shù)載流子的壽命，在 P型硅中，低濃度的鐵通常與硼結(jié)合成鐵 硼對(duì)，而高濃度的鐵則主要形成鐵沉淀，它們都是深能級(jí)復(fù)合中心。p 鐵在硅中的分凝系數(shù)比較小，大約為 ((5~7)*106。 但由硅錠得到的鐵分布卻是底部和頂部濃度較高，中間部分濃度較低，且分布較為均勻 ，這與由單一分凝機(jī)制決定的間隙鐵濃度分布有出入，目前普遍認(rèn)為這是坩堝底部?jī)?nèi)壁污染條件下固相擴(kuò)散的結(jié)果，相關(guān)的數(shù)值模擬也證實(shí)了這一點(diǎn)。l 銅在硅中則易形成穩(wěn)定的富金屬化合物 Cu3Si，其晶格常數(shù)遠(yuǎn)大于硅，從而引起晶格失配，產(chǎn)生局部應(yīng)力，嚴(yán)重影響硅材料和器件的質(zhì)量。而且銅沉淀的性質(zhì)取決于冷卻速率和缺陷密度，快冷下形成高刻度的小尺寸銅沉淀，而慢冷條件下則形成低密度的大尺寸銅沉淀，后者的復(fù)合強(qiáng)度遠(yuǎn)大于前者。銅沉淀很容易綴飾在晶界或位錯(cuò)等缺陷上，而且相關(guān)研究還發(fā)現(xiàn)沉淀對(duì)晶界有選擇性。多晶硅中的過(guò)渡族金屬元素多晶硅中的缺陷多晶硅中的缺陷l 多晶硅中存在高密度的、種類繁多的缺陷，如晶界、位錯(cuò)、小角晶界、孿晶、亞晶界、空位、自間隙原子以及各種微缺陷等。鑄造多晶硅中缺陷的典型形貌 (化學(xué)腐蝕后 )，存在晶界 CB、位錯(cuò) D、孿晶 T、位錯(cuò)線 DL、位錯(cuò)結(jié) DT等缺陷多晶硅中的缺陷(1)晶界l 一種意見是，潔凈的晶界對(duì)少數(shù)載流子的壽命并無(wú)影響或只有很微小的影響，只是由于雜質(zhì)的沾污、沉淀的形成才顯著地降低少數(shù)載流子的壽命。l 與此相反，有人認(rèn)為晶界存在著一系列界面狀態(tài)，有界面勢(shì)壘，存在懸掛鍵，故晶界本身就有電學(xué)活性，而當(dāng)雜質(zhì)偏聚或沉淀于此時(shí)，它的電學(xué)活性會(huì)進(jìn)一步增強(qiáng)，而成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心。l 但共同的看法都是雜質(zhì)都很容易在晶界處偏聚或沉淀。l 同時(shí)，研究表明，如果晶界垂直于晶體表面，那么，它對(duì)太陽(yáng)電池效率的影響很小。多晶硅中的缺陷(2)位錯(cuò)l 在多晶硅鑄造過(guò)程中，由于熱應(yīng)力的作用會(huì)導(dǎo)致位錯(cuò)的產(chǎn)生。l 另外，各種沉淀的生成，由于晶格尺寸的不匹配也會(huì)導(dǎo)致位錯(cuò)的產(chǎn)生。l 位錯(cuò)本身就具有懸掛鍵，存在電學(xué)活性，降低少數(shù)載流子的壽命 。而且金屬在此極易偏聚，對(duì)少數(shù)載流子的降低就更加厲害。半導(dǎo)體級(jí)高純硅的制備p 在浸入式電極電弧爐中，用碳還原石英制取 冶金級(jí)（MG）的硅 。碳的來(lái)源有煤、焦碳或木片。反應(yīng)為SiO2(s)十 2C(s)＝ Si(s)十 2CO(g)p 冶金級(jí)硅的純度接近 98～ 99% ，主要的雜質(zhì)有 Al和 Fe。 B和 P很難從硅中除去。p 冶金級(jí)硅的最初提純是氫它轉(zhuǎn)化成一種中間化合物如四氯化硅（ SiCl4），尤其是三氯氫硅（ SiHCl3）來(lái)完成的。半導(dǎo)體級(jí)高純硅的制備p 一般用冶金級(jí)的硅粉與無(wú)水氯化氫通過(guò)流態(tài)化床反應(yīng)來(lái)制成三氯氫硅，即Si十 3HCl==SiHCl3+H2p 這種硅的化合物經(jīng)過(guò)分餾得到進(jìn)一步的提純。p 然后，用提純過(guò)的三氯氫硅在氫氣氛中進(jìn)行還原反應(yīng)，于是在一根熱的細(xì)硅棒上（ T≧1100℃ ）發(fā)生化學(xué)氣相沉積，最后形成半導(dǎo)體級(jí)高純多晶硅。這一反應(yīng)是流態(tài)化床的逆過(guò)程。半導(dǎo)體級(jí)高純硅的制備p 因?yàn)橛眠@種方法制取的多晶硅純度極高，不能用標(biāo)準(zhǔn)分析技術(shù)進(jìn)行鑒定。首先必須把多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶，一般采用懸浮區(qū)熔法。p 然后根據(jù)電阻率和霍爾測(cè)量來(lái)推出雜質(zhì)的含量。p 通常，電活性雜質(zhì)的濃度一般為 1ppb（＞ 200歐姆）以下。對(duì)一般晶錠的各種應(yīng)用而言，這個(gè)純度已能滿足需要了。但對(duì)一些特殊應(yīng)用，如某些類型的紅外輻射探測(cè)器，它要求約 20230歐姆 厘米的電阻率（雜質(zhì)濃度在 ），這么高的電阻率只能在高真空條件下用懸浮區(qū)熔法才能達(dá)到。HowtomanufacturesolarmoduleHowtomanufacturesolarmoduleMulticrystallinesilicon waferSolar cellPhotovoltaic module (Solar panel)完l 靜夜四無(wú) 鄰 ，荒居舊 業(yè)貧 。 二月 21二月 21Monday,February01,2023l 雨中黃葉 樹 ，燈下白 頭 人。 04:46:1904:46:1904:462/1/20234:46:19AMl 1以我獨(dú)沈久，愧君相 見頻 。 二月 2104:46:1904:46Feb2101Feb21l 1故人江海 別 ，幾度隔山川。 04:46:1904:46:1904:46Monday,February01,2023l 1乍 見 翻疑夢(mèng)，相悲各 問(wèn) 年。 二月 21二月 2104:46:1904:46:19February01,2023l 1他 鄉(xiāng) 生白 發(fā) ，舊國(guó) 見 青山。 01二月 20234:46:19上午 04:46:19二月 21l 1比不了得就不比，得不到的就不要。 。 二月 214:46上午 二月 2104:46February01,2023l 1行 動(dòng) 出成果，工作出 財(cái) 富。 2023/2/14:46:1904:46:1901February2023l 1做前，能 夠環(huán)視 四周；做 時(shí) ，你只能或者最好沿著以腳 為 起點(diǎn)的射 線 向前。 4:46:19上午 4:46上午 04:46:19二月 21l 沒(méi)有失 敗 ，只有 暫時(shí) 停止成功！。 二月 21二月 21Monday,February01,2023l 很多事情努力了未必有 結(jié) 果，但是不努力卻什么改 變 也沒(méi)有。 04:46:1904:46:1904:462/1/20234:46:19AMl 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的 積 累。 二月 2104:46:1904:46Feb2101Feb21l 1世 間 成事，不求其 絕對(duì)圓滿 ，留一份不足，可得無(wú)限完美。 04:46:1904:46:1904:46Monday,February01,2023l 1不知香 積 寺，數(shù)里入云峰。 二月 21二月 2104:46:1904:46:19February01,2023l 1意志 堅(jiān) 強(qiáng) 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。 01二月 20234:46:19上午 04:46:19二月 21l 1楚塞三湘接， 荊門 九派通。 。 二月 214:46上午 二月 2104:46February01,2023l 1少年十五二十 時(shí) ，步行 奪 得胡 馬騎 。 2023/2/14:46:1904:46:1901February2023l 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 4:46:19上午 4:46上午 04:46:19二月 21l 楊 柳散和 風(fēng) ，青山澹吾 慮 。 二月 21二月 21Monday,February01,2023l 閱讀 一切好 書 如同和 過(guò) 去最杰出的人 談話 。 04:46:1904:46:1904:462/1/20234:46:19AMl 1越是沒(méi)有本 領(lǐng) 的就越加自命不凡。 二月 2104:46:1904:46Feb2101Feb21l 1越是無(wú)能的人，越喜 歡 挑剔 別 人的 錯(cuò) 兒。 04:46:1904:46:1904:46Monday,February01,2023l 1知人者智，自知者明。 勝 人者有力，自 勝 者 強(qiáng) 。 二月 21二月 2104:46:1904:46:19February01,2023l 1意志 堅(jiān) 強(qiáng) 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。 01二月 20234:46:19上午 04:46:19二月 21l 1最具挑 戰(zhàn) 性的挑 戰(zhàn) 莫 過(guò) 于提升自我。 二月 214:46上午 二月 2104:46February01,2023l 1 業(yè) 余生活要有意 義 ，不要越 軌 。 2023/2/14:46:1904:46:1901February2023l 1一個(gè)人即使已登上 頂 峰，也仍要自 強(qiáng) 不息。 4:46:19上午 4:46上午 04:46:19二月 21MOMODA POWERPOINTLoremipsumdolorsitamet,consecteturadipiscingelit.Fusceidurnablandit,eleifendnullaac,fringillapurus.Nullaiaculistemporfelisutcursus.感謝您的下載觀看專 家告 訴