【正文】 (作廢液處理)附件13： HCL合成工藝流程示意圖 附件14：三氯氫硅合成工藝流程示意圖 附件15 3000噸提純新工藝流程圖——精餾提純物料平衡圖 ( 單位: kg/h ) 0805251, 合成氯硅烷分離精餾提純（2個系列，10臺塔，塔徑1400/900/1200/1200/1200 mm） 11級塔41級塔51級塔21級塔1級塔31級塔 10 10 10 合成氯硅烷 純TCS供還原爐 12級塔42級塔52級塔22級塔1級塔32級塔 10 10 102，回收合成氯硅烷的四氯化硅（1級塔排出的，單塔連續(xù)精餾，2個系列，2臺塔，塔徑900mm） 2 262級塔61級塔 280 280 去高沸物回收塔 去高沸物回收塔 3, 還原回收氯硅烷分離精餾提純 (4個系列 ，8臺塔，塔徑2200 /2200/2200/2200mm) 5 5101級塔91級塔81級塔71級塔 供還原 供還原 1705 25 1705 25 5 5102級塔92級塔82級塔72級塔 供還原 供還原 1705 25 1705 254, 氫化尾氣回收氯硅烷分離精餾提純 (2個系列 ，4臺塔，塔徑1400/1400 mm) 3 3111級塔121級塔112級塔122級塔 供還原 供還原 5，回收的高沸物分離精餾提純 （2個系列，4臺塔，塔徑1000mm/1400 mm） 3 3142級塔141級塔132級塔131級塔13級塔9級塔11級塔13級塔11級塔9級塔7級塔 去氫化 去氫化 6，回收的低沸物分離精餾提純 （2個系列，4臺塔，塔徑900/900mm） 6 5 6 5162級塔161級塔152級塔151級塔13級塔9級塔11級塔13級塔11級塔9級塔7級塔 160 160 可供還原 可供還原 附件16： 三氯氫硅還原生產(chǎn)多晶硅工藝流程示意圖 附件17： 四氯化硅氫化工藝流程示意圖 附件18： 尾氣干法回收工藝流程示意圖附件A 硅棒直徑與電流電壓曲線圖附件B 硅棒生長電流電壓曲線圖附件C 硅棒直徑與電流密度關(guān)系圖 附件D 單位時間單位表面積供料量圖 附件E H2對TCS配比與硅轉(zhuǎn)化率關(guān)系圖 附件F 四氯化硅高溫高壓氫化工藝的轉(zhuǎn)化率圖 附件G 氫氣和三氯氫硅配比與蒸發(fā)器內(nèi)溫度關(guān)系圖 附件H 沉積速率與產(chǎn)量關(guān)系(1) 071126沉積速率(mm/h)生長時間(h)裝拆爐時 間(h)總時間(h)年生長爐 數(shù)硅芯總長度()備 注2米76 米83米94米2842030425778496硅棒最終直徑以150mm計23720257298998111硅芯直徑以8mm計2032022333102111126還原爐操作時間以310天,7440小時1782019838117128145年總產(chǎn)量為3030噸計1582017842129142160142201624614215517612920149501541681911182013854166182206沉積速率mm/h 硅芯2米長 60 80 100 120 140 160 180 200 220 Psi (t/a) 附件I 半導(dǎo)體硅溫度與電阻率關(guān)系圖 附件J 獲得太陽能級多晶硅的無氯工藝——生態(tài)結(jié)凈工藝基于下面化學(xué)反應(yīng)Si + 3C2H5OH = SiH(OC2H5)3 + H24 SiH(OC2H5)3 = SiH4 +3Si(OC2H5)4SiH4 = Si + 2H2 工藝優(yōu)勢：1， 無氯的化學(xué)過程，工藝生態(tài)結(jié)凈安全；2， 溫度不超過300℃；3， 只有硅進(jìn)行反應(yīng)，無其他雜質(zhì)反應(yīng)，降低凈化提純費用；4， 參加反應(yīng)物質(zhì)與反應(yīng)器內(nèi)壁不發(fā)生作用，對終端產(chǎn)品污染降到最低程度；5， 無廢舊物資料產(chǎn)生；6， TCS法耗電200Kwh/，而本工藝只有30Kwh/。7， 與TCS法相比產(chǎn)品成本低23倍。