多晶硅車間工藝培訓-資料下載頁
2025-07-26 11:50本頁面
【導讀】經(jīng)提純的三氯氫硅原料，按還原工藝條件的要求，經(jīng)管道連續(xù)加入蒸發(fā)器中。混合，經(jīng)三層套管換熱器加熱后經(jīng)進氣管噴頭噴入還原爐內(nèi)。另一路（側路氫）用于還。硅發(fā)生氫還原反應，生成硅沉積下來，使硅芯硅棒的直徑逐漸變大。應沉積過程，制得直徑為120～150mm，長20xxmm的多晶硅棒，即為高純多晶硅產(chǎn)品。還原爐內(nèi)的石墨電極用去離子冷卻水冷卻，進水口取樣測量去離子水的電。導率及純度，以防對還原爐電極造成損害。正常，尾氣經(jīng)循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。三氯氫硅氫還原反應都是吸熱反應，因此升高溫度使平衡向吸熱一方移動，因此，在生產(chǎn)中采用1080℃~1100℃左右進行三氯氫硅氫還原反應。所謂反應混合氣配比是指還原劑氫氣和原料三氯氫硅的摩爾比。這是由于氫氣不足，發(fā)生其它副。增大氣體流量后，使爐內(nèi)氣體揣動程度隨之增加。這將有效地消除灼熱載體。降低，同時增大了干法回收崗位的工作量。生產(chǎn)時間，有利于提高多晶硅的生產(chǎn)效率。
【正文】 加料兩中技術： 重新加料直拉生長技術：可節(jié)約大量時間（生長完畢后的降溫、開爐、裝爐等），一個坩堝可用多次。 連續(xù)加料直拉生長技術：除了具有重新裝料的優(yōu)點 外，還可保持整個生長過程中熔體的體積恒定，提高基本穩(wěn)定的生長條件，因而可得到電阻率縱向分布均勻的單晶。連續(xù)加料直拉生長技術有兩種加料法：連續(xù)固體送料和連續(xù)液體送料法。 （ 10）液體覆蓋直拉技術：是對直拉法的一個重大改進，用此法可以制備多種含有揮發(fā)性組元的化合物半導體單晶。主要原理：用一種惰性液體（覆蓋劑）覆蓋被拉制材料的熔體，在晶體生長室內(nèi)充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的分解壓力，以抑制熔體中揮發(fā)性組元的蒸發(fā)損失，這樣就可按通常的直拉技術進行單晶生長。 b. 懸浮區(qū)熔法：主要用于提純和生長硅單晶。其基本原理 是：依靠熔體的表面張力，使熔區(qū)懸浮于多晶硅棒與下方生長出的單晶之間，通過熔區(qū)向上移動而進行提純和生長單晶。具有如下特點：不使用坩堝，單晶生長過程不會被坩堝材料污染 ； 由于雜質(zhì)分凝和蒸發(fā)效應，可以生長出高電阻率硅單晶 。 ： 用于制備多晶硅太陽電池所用的硅原片，它是一種定向凝固法，晶體呈現(xiàn)片狀生長過程和結構。 （二）工藝流程： 切 料 水 洗 腐 蝕 清 洗 烘 干裝 爐拉 制出 爐檢 測腐 蝕 將達到工藝要求的硅芯料，根據(jù)直徑大小計算出拉制成一定直徑和長度硅芯所需的長度，用切割機進行切割。將切割好的 料先用自來水清洗干凈，再用 HNOHF 進行腐蝕，以除去表面油污和雜質(zhì)。腐蝕好后硅芯放入烘箱內(nèi)烘干水分，烘干后的硅芯就可送入硅芯爐內(nèi)拉制，出爐后檢測硅芯最后質(zhì)量，根據(jù)檢測數(shù)據(jù)對硅芯進行選配，再進行腐蝕就可作為沉積硅的裁體了。 四、鐘罩清洗 多晶硅沉積過程結束后反應爐圓頂移開，用吊車移動到清洗單元。清洗開始之前，圓頂固定在廢水槽上。去離子水用熱水循化系統(tǒng)中的熱水加溫至 80 攝氏度。經(jīng)過高壓泵加壓 ， 高壓去離子水用高壓噴嘴噴射到圓頂內(nèi)壁上，去除粉塵和沉積時圓頂上的沉積層。清洗之后，圓頂用氮干燥。收集在廢水槽的廢水用 廢水泵排到污水處理廠。由于高壓水清洗有危險，當圓頂沒有完全覆蓋廢水時，高壓泵將自動關閉。 五、廢氣及殘液處理 廢氣及殘液處理工序、含氯化氫工藝廢氣凈化提純工序排放的廢氣、還原爐開停車、事故排放廢氣、氯硅烷及氯化氫儲存工序儲罐安全泄放氣、吸附廢氣全部用管道送入廢氣淋洗塔洗滌。廢氣經(jīng)淋洗塔用連續(xù)洗滌后出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序，尾氣經(jīng)高度排氣筒排放。 殘液處理在精餾塔中排出的、主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的釜地殘液以及裝置停車 放凈的氯硅烷殘液液體送到本工序加以處理。需要處理的液體被送入殘液收集槽。然后用氮氣將液體壓出，送入殘液淋洗塔洗滌。采用堿液進行處置。廢液中的氯硅烷與 NaOH 和水發(fā)生反應而被轉(zhuǎn)化成無害的物質(zhì)（處理原理同含氯化氫、氯硅烷廢氣處理）。 第 七 節(jié) 超純水制取 水 中所含雜質(zhì)通常分為兩類，一類為導電的雜質(zhì)，另一類為不導電的雜質(zhì)。若先除去了非導電雜質(zhì)則水的質(zhì)量將由導電雜質(zhì)的多少來確定。而導電的雜質(zhì)在水中一般為離子狀態(tài)。 隨著半導體事業(yè)的發(fā)展，特別是近年來大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)，一般純水還存在著較大的顆粒和一定的懸浮物，而不能 滿足工藝的需要，因此對水的要求更高了。 超純水是將純水在惰性氣體保護下，經(jīng)化學處理，蒸餾以及紫外照射殺菌等方法處理后而獲得。其純度達 7 個 “9”以上，水的電阻率可達 18 MΩcm以上。 化工序制得的超純水，大部分用作硅塊（芯）腐蝕單元和鐘罩清洗單元的清洗水，少許運送到實驗室 T700 作配置試劑、進樣溶劑所用。 脫 鹽 水 脫 鹽 水 箱 脫 鹽 水 泵 U V 2 5 4 0 . 4 5 u m 濾 膜E D I 裝 置高 純 水 循 環(huán) 水 箱高 純 水 增 壓 泵膜 脫 氣 裝 置T O C 脫 除 器 10 . 2 2 u m 膜 濾 器 一 級 拋 光 混 床 高 純 水 循 環(huán) 泵 換 熱 器T O C 脫 除 器 2二 級 拋 光 混 床U V 2 5 40 . 0 4 u m 膜 濾 器回 水 U V 殺 菌背 壓 閥用 戶 制得的超純水 滿足以下標準： 主要 項目 指標 電阻率 ≥18MΩ pH ~ 溫度 22177。2℃ TOC 10ppb 細 菌總數(shù) 3 個 /ml 顆粒度（直徑） 150 個 /ml
公司管理相關推薦
鄂ICP備17016276號-1