半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)之氧化(文件)
【正文】 7:13February 01, 2023n 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 2023/2/1 4:47:1304:47:1301 February 2023n 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 二月 2104:47:1304:47Feb2101Feb21n 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無限完美。 。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023n 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 2023/2/1 4:47:1304:47:1301 February 2023n 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 01 二月 20234:47:13 上午 04:47:13二月 21n 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 二月 2104:47:1304:47Feb2101Feb21n 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 2023/2/1 4:47:1304:47:1301 February 2023n 1空山新雨后，天氣晚來秋。 二月 21二月 2104:47:1304:47:13February 01, 2023n 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023n 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 。 二月 2104:47:1304:47Feb2101Feb21n 1故人江海別，幾度隔山川。n Need very good control of temperature uniformityn RTO will be used to achieve the device requirement.High Pressure Oxidationn Faster growth raten Reducing oxidation temperature: 1 amt. = –30 176。C).無機(jī)物的清洗n 先用 HCl:H2O液體浸泡n 再在大的玻璃杯中浸泡清洗 Immersion in dunk tank followed by rinse, spin dry and/or dry bake (100 to 125℃ )Preoxidation Wafer Clean Native Oxide Removaln HF:H2On Immersion in dunk tank or single wafer vapor etcher followed by rinse, spin dry and/or dry bake (100 to 125℃ )Oxidation Mechanismn Si+O2→SiO 2n O來源于提供的氧氣n Si來源于襯底硅圓片n O通過表面已有的氧化層向內(nèi)擴(kuò)散并與 Si反應(yīng)生長 SiO2n 氧化薄膜越厚，生長速率越低干氧氧化（干氧氧化（ Dry Oxidation））Oxide Growth Rate RegimeB/A為線性速率常數(shù)； B為拋物線速率常數(shù)100 Silicon Dry Oxidation水汽氧化 (Steam Oxidation）n Si + 2H2O → SiO 2 + 2H2n At high temperature H2O i
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