半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程-閱讀頁(yè)
2025-07-11 12:08本頁(yè)面
【正文】 和鈉離子等輕金屬例子。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。經(jīng)研磨、拋光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片第一次光刻—N+埋層擴(kuò)散孔1。減小寄生PNP管的影響SiO2要求：1。高溫時(shí)在Si中的擴(kuò)散系數(shù)小，以減小上推3。VPE（Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長(zhǎng)硅SiCl4+H2→Si+HCl2。Al—NSi 歐姆接觸：ND≥1019cm3，去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗—擴(kuò)散第五次光刻—引線接觸孔去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗第六次光刻—金屬化內(nèi)連線：反刻鋁圖表 4 Da VinciTM濕法表面處理設(shè)備SiO2去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗—蒸鋁高能點(diǎn)膠光刻系統(tǒng)圖表 6 高產(chǎn)能點(diǎn)膠系統(tǒng)半自動(dòng)焊接鍵合系統(tǒng)圖表 5 半自動(dòng)焊接鍵合系統(tǒng)內(nèi)存修正系統(tǒng)圖表 2 內(nèi)存修正系統(tǒng)光掩膜缺陷檢查裝置圖表 7 光掩膜缺陷檢查裝置缺陷檢測(cè)設(shè)備圖表 12 缺陷檢測(cè)您好，歡迎您閱讀我的文章，本W(wǎng)ORD文檔可編輯修改，也可以直接打印。閱讀和學(xué)習(xí)是一種非常好的習(xí)慣，堅(jiān)持下去，讓我們共同進(jìn)步
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