半導體制造工藝_04光刻(上)-閱讀頁
2025-03-10 12:02本頁面
【正文】 1?m，甚至更小 29 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻 (上 ) 光刻膠 光刻膠的作用：對于入射光子有化學變化，通過顯影，從而實現(xiàn)圖形轉移。 正膠：曝光前不可溶，曝光后 可溶 負膠：曝光前 可溶，曝光后不可溶 光刻膠對大部分可見光敏感， 對黃光不敏感。 31 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻 (上 ) 負光阻 正光阻 32 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻 (上 ) 汞燈 436nm (g線 )和 365nm (i線 )光刻膠的組成 （正膠－ positive photoresist, DNQ） a) 基底：樹脂 是一種低分子量的酚醛樹脂 (novolac, a polymer) 本身溶于顯影液，溶解速率為 15 nm/s。 前烘后膜上樹脂 : PAC＝ 1:1 33 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻 (上 ) 負膠 (Negative Optical Photoresist) 當 VLSI電路需分辨率達 2 ?m之前，基本上是采用負性光刻膠。 但在分辨率要求不太高的情況，負膠也有其優(yōu)點： a)對襯底表面粘附性好 b)抗刻蝕能力強 c)曝光時間短，產(chǎn)量高 d)工藝寬容度較高 （顯影液稀釋度、溫度等） e)價格較低 （約正膠的三分之一） 34 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻 (上 ) 負膠的組成部分： a) 基底：合成環(huán)化橡膠樹脂 (cyclized synthetic rubber risin) 對光照不敏感，但在有機溶劑如甲苯和二甲苯中溶解很快 b) 光敏材料 PAC： 雙芳化基 (bisarylazide) 當光照后，產(chǎn)生交聯(lián)的三維分子網(wǎng)絡，使光刻膠在顯影液中具有不溶性。值得注意的是， 即使未被曝光，少量抗蝕劑也會溶解。 (3)正抗蝕劑的靈敏度 定義為曝光區(qū)域抗蝕劑完全溶解時所需的能量。 11ln TEE??????? ????????γ值越大，即表示曝光能量增加時，抗蝕劑溶解度增加越快，可得陡峭的圖形。 , March 19, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 :55:3411:55Mar2319Mar23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 :55:3411:55:34March 19, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 。 2023年 3月 19日星期日 11時 55分 34秒 11:55:3419 March 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 , March 19, 2023 ? 很多事情努力了未必有結果，但是不努力卻什么改變也沒有。 :55:3411:55Mar2319Mar23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 :55:3411:55:34March 19, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 。 2023年 3月 19日星期日 11時 55分 34秒 11:55:3419 March 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 , March 19, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 :55:3411:55Mar2319Mar23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。勝人者有力，自勝者強。 2023年 3月 19日星期日 上午 11時 55分 34秒 11:55: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023年 3月 19日星期日 11時 55分 34秒 11:55:3419 March 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不
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