半導體制造工藝_11刻蝕-閱讀頁
2025-03-14 15:10本頁面
【正文】 系統(tǒng)、電源供應產(chǎn)生器、壓力探測器、流量控制器與終點探測器等。導致轟擊損傷的嚴重問題。當此頻率等于外加微波頻率時，電子能量與外加磁場產(chǎn)生共振耦合，造成大量的分解與電離。這些設備擁有高等離子體密度與低工藝壓強。 然而，由于其復雜且成本較高，這些系統(tǒng)可能不會使用于非關(guān)鍵性的工藝，如側(cè)壁間隔與平坦化工藝。當器件尺寸縮小，塵埃的污染成為一個嚴重的問題。同時可以增加產(chǎn)率。下表列舉了不同刻蝕工藝所用到的一些化學劑。這些表面隔離區(qū)域可以利用硅晶片的深溝槽刻蝕，再填入適當?shù)慕橘|(zhì)或?qū)w物質(zhì)來減少其所占的面積。 氯基或溴基的化學劑對硅有高刻蝕速率，且對以二氧化硅為掩蔽層的硅刻蝕有高選擇比。亞微米的深硅溝槽刻蝕時，常可觀測到與高寬比有管的刻蝕，這是因深窄溝槽中的離子與中性原子的輸運會受到限制。各向異性刻蝕及對柵極氧化層的高選擇比是柵極刻蝕時最重要的需求。 另外，為符合各向異性刻蝕與高選擇比的要求，等離子體技術(shù)的趨勢是利用一相對低的功率產(chǎn)生低壓與高密度的等離子體。 42 半導體制造工藝基礎 第五章 刻蝕原理 介質(zhì)刻蝕 定義介質(zhì)層（尤其是二氧化硅與氮化硅）的圖案是先進半導體制造技術(shù)中的關(guān)鍵工藝。垂直的圖案輪廓可通過側(cè)壁鈍化來實現(xiàn)，通常將含碳的氟化物加入等離子體中（ CF CHF C4F8）。 低壓強操作與高等離子體密度有利于高寬比有關(guān)的刻蝕，然而 HDP會產(chǎn)生高溫電子并接著產(chǎn)生高比例的分解離子與自由基，它比 RIE或是磁性增強 RIE產(chǎn)生更多的活性自由基與離子。鋁、銅與鎢是金屬導線常用的材料，它們通常需要各向異性刻蝕。氯基化學劑常用于鋁的刻蝕。將含碳氣體或是氮氣加入反應中，可在側(cè)壁產(chǎn)生鈍化層而得到各向異性刻蝕。 Al側(cè)壁上殘留的氯與抗蝕劑容易與常壓下的水氣形成 HCl腐蝕鋁。 44 半導體制造工藝基礎 第五章 刻蝕原理 Cu Cu是 Al的后起之秀，低的電阻率與高的抗電遷移性能。刻蝕銅膜的溫度需高于 200℃ 。嵌入式工藝包括： 平坦的介電層上刻蝕出溝槽或渠道； 金屬填入溝槽中來作為連線導線； 化學機械拋光。 嵌入式工藝的優(yōu)點是免掉了金屬刻蝕的步驟，而銅刻蝕正是 IC工業(yè)從鋁改成銅導線時最擔心的問題。氟基與氯基化合物均可以刻蝕鎢，且生成揮發(fā)性產(chǎn)物。 SiO2 TiN阻擋層 W AlCu W SiO2 AlCu 47 半導體制造工藝基礎 第五章 刻蝕原理 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 14:53:1714:53:1714:533/22/2023 2:53:17 PM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 14:53:1714:53:1714:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時 53分 17秒 14:53: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 下午 2時 53分 17秒 下午 2時 53分 14:53: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 14:53:1714:53:1714:533/22/2023 2:53:17 PM ? 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。 14:53:1714:53:1714:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時 53分 17秒 14:53: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 下午 2時 53分 17秒 下午 2時 53分 14:53: ? 楊柳散和風，青山澹吾慮。 14:53:1714:53:1714:533/22/2023 2:53:17 PM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 14:53:1714:53:1714:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 :53:1714:53:17March 22, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 下午 2時 53分 17秒 下午 2時 53分 14:53: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴
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