半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)教材-閱讀頁(yè)
2025-03-11 04:28本頁(yè)面
【正文】 。31半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )負(fù)光阻正光阻32半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )汞燈 436nm (g線 )和 365nm (i線 )光刻膠的組成（正膠－ positive photoresist, DNQ）a) 基底：樹脂 是一種低分子量的酚醛樹脂 (novolac, a polymer) 本身溶于顯影液，溶解速率為 15 nm/s。DQ不溶于顯影液，光刻膠在顯影液中的溶解速率為 1－ 2 nm/sec252。前烘后膜上樹脂 : PAC＝ 1:133半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )負(fù)膠 (Negative Optical Photoresist) 當(dāng) VLSI電路需分辨率達(dá) 2 ?m之前，基本上是采用負(fù)性光刻膠。但在分辨率要求不太高的情況，負(fù)膠也有其優(yōu)點(diǎn)：a)對(duì)襯底表面粘附性好b)抗刻蝕能力強(qiáng)c)曝光時(shí)間短，產(chǎn)量高d)工藝寬容度較高 （顯影液稀釋度、溫度等）e)價(jià)格較低 （約正膠的三分之一）34半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )負(fù)膠的組成部分：a) 基底：合成環(huán)化橡膠樹脂 (cyclized synthetic rubber risin)對(duì)光照不敏感，但在有機(jī)溶劑如甲苯和二甲苯中溶解很快b) 光敏材料 PAC： 雙芳化基 (bisarylazide) 當(dāng)光照后，產(chǎn)生交聯(lián)的三維分子網(wǎng)絡(luò)，使光刻膠在顯影液中具有不溶性。值得注意的是， 即使未被曝光，少量抗蝕劑也會(huì)溶解。(3)正抗蝕劑的靈敏度 定義為曝光區(qū)域抗蝕劑完全溶解時(shí)所需的能量。γ值越大，即表示曝光能量增加時(shí)，抗蝕劑溶解度增加越快，可得陡峭的圖形。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 二月 2104:50:2604:50Feb2101Feb21? 1故人江海別，幾度隔山川。 二月 21二月 2104:50:2604:50:26February 01, 2023? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見青山。 。 2023/2/1 4:50:2604:50:2601 February 2023? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 二月 2104:50:2604:50Feb2101Feb21? 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無(wú)限完美。 二月 21二月 2104:50:2604:50:26February 01, 2023? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 。 2023/2/1 4:50:2604:50:2601 February 2023? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 二月 2104:50:2604:50Feb2101Feb21? 1越是無(wú)能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 01 二月 20234:50:26 上午 04:50:26二月 21? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023/2/1 4:50:2604:50:2601 February 2023? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要
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