電學(xué)半導(dǎo)體工藝復(fù)習(xí)精華(編輯修改稿)
2025-05-14 07:12 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ，所以晶片中心的雜質(zhì)濃度會(huì)比晶片周?chē)邽槭裁瓷榛壱后w總會(huì)變成富鎵的混合物？在溫度遠(yuǎn)未到達(dá)熔點(diǎn)之前液態(tài)砷化鎵的表面就可能分解出砷和鎵，由于砷和鎵的蒸汽壓相差很大，砷先蒸發(fā)，因此液態(tài)的砷化鎵是富鎵的混合物。試述熱生長(zhǎng)薄氧化層的干氧氧化法與濕氧氧化法的區(qū)別。干氧氧化生成的氧化層電性能最好，但在一定的溫度下生長(zhǎng)同樣厚度的氧化層所需要的時(shí)間比濕氧氧化要長(zhǎng)的多對(duì)于相對(duì)較薄的氧化層采用干氧氧化，對(duì)于相對(duì)較厚的氧化層則采用濕氧氧化。簡(jiǎn)述圖像轉(zhuǎn)移工藝的詳細(xì)步驟a．旋轉(zhuǎn)涂布b．前烘c．曝光d．顯影e．后烘f．放在腐蝕液中腐蝕g．去除光刻膠在光學(xué)光刻工藝中，圖形的分辨率增強(qiáng)技術(shù)有哪些？①通過(guò)縮短曝光裝置的波長(zhǎng)，開(kāi)發(fā)新的光刻膠可以應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn) ②相移掩膜③光學(xué)鄰近效應(yīng)校正。解釋為什么光學(xué)曝光的操作模式從接近式曝光轉(zhuǎn)變到1:1投影式曝光，最后到5:1曝光分步重復(fù)投影曝光？制造1：1系統(tǒng)中所用的無(wú)缺陷掩膜要比5:1的縮小系統(tǒng)的掩膜困難的多，縮小投影曝光可以在不重新設(shè)計(jì)透鏡的情況下曝光更大的晶片，只要透鏡的鏡像區(qū)尺寸能夠包含一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片，當(dāng)芯片的尺寸大于透鏡的鏡像區(qū)時(shí)，掩膜上的圖形就要被劃分的更小，所以采用5:1重復(fù)投影曝光1簡(jiǎn)述干法刻蝕的刻蝕機(jī)理干法刻蝕也就是等離子體輔助刻蝕，是利用低壓放電等離子體技術(shù)的刻蝕方法?？涛g機(jī)理為：刻蝕反映劑在等離子體中反映；反映劑以擴(kuò)散的方式通過(guò)不流動(dòng)的氣體邊界層達(dá)到表面；反映劑吸附在表面；隨后反映生成可揮發(fā)性化合物；最后，這些化合物從表面解析出來(lái)，通過(guò)擴(kuò)散回到等離子體氣體中，然后由真空裝置抽出。1簡(jiǎn)述擴(kuò)散工藝結(jié)果的評(píng)價(jià)方法。三種方法：結(jié)深、薄層電阻和擴(kuò)散層的雜質(zhì)分布。1CVD（化
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