【文章內(nèi)容簡介】 osure field,一個(gè)一個(gè)曝過去 k Q( O0 u3 ]39。 J. _39。 d( [[　　何謂 Scanner? 其功能為何?! ?8 n。 J* z5 I39。 z. c, g　　答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Scanning and step形式, 在一個(gè)exposure field曝光時(shí), 先Scan完整個(gè)field, Scan完後再移到下一個(gè)field.　　何為象差？　　答：代表透鏡成象的能力, ig) _ d x6 g* H　　Scanner比Stepper優(yōu)點(diǎn)為何？　　答：Exposure Field大，象差較小　　曝光最重要的兩個(gè)參數(shù)是什幺？　　答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時(shí)要時(shí)刻維持最佳的能量和焦距，這兩個(gè)參數(shù)對(duì)于不同的產(chǎn)品會(huì)有不同。　　何為Reticle?　　答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。5 Jamp。 ]+ a2 t3 X　　何為Pellicle?　　答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上的一層保護(hù)膜。　　何為OPC光罩？amp。 u2 b0 w7 l) U　　答：OPC (Optical Proximity Correction)為了增加曝光圖案的真實(shí)性，做了一些修正的光罩，例如，, Metal layer就是OPC光罩?！　『螢镻SM光罩？Z* S39。 l, z+ `, x　　答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都應(yīng)用在contact layer以及較小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。2 I2 l3 X。 ]_a5 H I m5 U　　何為CR Mask？8 F+ }! gamp。 O4 K5 l* f, ? l　　答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應(yīng)用在較不Critical 的layer　　光罩編號(hào)各位代碼都代表什幺？8 ^+ u/ E39。 Z: }9 E3 a　　答：例如003700156AA1DA, 0037代表產(chǎn)品號(hào)，00代表Special code,156代表layer,A代表客戶版本，后一個(gè)A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,則代表Iline),A代表ASML機(jī)臺(tái)（如果是C，則代表Canon機(jī)臺(tái)）6 f9 E9 }4 oF　　光罩室同時(shí)不能超過多少人在其中？, U: U8 R* l* U1 z+ a, g9 {0 ?　　答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。( e3 p39。 K H6 C. w　　存取光罩的基本原則是什幺？　　答：(1) 光罩盒打開的情況下，不準(zhǔn)進(jìn)出Mask Room,最多只準(zhǔn)保持2個(gè)人(2) 戴上手套(3) 輕拿輕放　　如何避免靜電破壞Mask？2 a( Q X2 M2 ?5 Samp。 r5 u1 ]8 X　　答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。( H+ S4 f3 `8 @M7 r! e　　光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離？, t% [* l39。 Z8 uL( J! S　　答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動(dòng)FOUP時(shí)碰撞光罩Pod而損壞光罩?！　『沃^ Track?( j3 ` p7 D9 d1 [　　答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating(上光阻)，和Develop(顯影)等過程。　　Inline Track機(jī)臺(tái)有幾個(gè)Coater槽，幾個(gè)Developer槽？　　答：均為4個(gè)　　機(jī)臺(tái)上亮紅燈的處理流程？. k39。 m% U5 B6 ?2 S3 F Z　　答：機(jī)臺(tái)上紅燈亮起的時(shí)候表明機(jī)臺(tái)處于異常狀態(tài)，此時(shí)已經(jīng)不能RUN貨，因此應(yīng)該及時(shí)Call 。若EE現(xiàn)在無法立即解決，則將機(jī)臺(tái)掛DOWN。0 B2 Q+ UL9 r9 J39。 k$ _( {　　何謂 WEE? 其功能為何?。 f! U3 v, s U% V$ j。 I4 G0 O% |　　答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此將Wafer Edge的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ?，這樣便可以消除影響。( H ~% hamp。 {+ ?! iamp。 [3 b　　何為PEB？其功能為何？　　答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除standing waves）% y, m0 \/ D: j8 ~% j7 e. C5 e　　PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻x) C \( Ramp。 d1 P) [, Us) P9 p　　答：目前正負(fù)光阻都有，SMIC FAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。0 }。 Cr D( f% J2 F/ }8 y　　RUN貨結(jié)束后如何判斷是否有wafer被reject？ [9 namp。 f, X/ d( t5 ^% g　　答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機(jī)臺(tái)是否有Reject記錄。　　何謂 Overlay? 其功能為何?, Z6 |7 }. |39。 `1 F h6 k }39。 u( o　　答：迭對(duì)測量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對(duì)準(zhǔn)精度，如果對(duì)準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成整個(gè)電路不能完成設(shè)計(jì)的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對(duì)其與前層的對(duì)準(zhǔn)精度進(jìn)行測量，如果測量值超出要求，則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整process condition.　　何謂 ADI CD?7 Jamp。 |6 b2 ~/ x4 f( S4 V% E% F6 O　　答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時(shí)曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適?！　『沃^ CDSEM? 其功能為何?　　答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通?？梢杂糜跍y量CD以及觀察圖案?！　RS的制程目的為何？7 V) R6 ^. N% l9 KN39。 F4 ?　　答：PRS (Process Release Standard)通過選擇不同的條件（能量和焦距）對(duì)Wafer曝光，以選擇最佳的process condition。3 w$ J5 rk! k6 n　　何為ADI？ADI需檢查的項(xiàng)目有哪些？2 T7 W9 y39。 f5 d. {5 h　　答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI機(jī)臺(tái)對(duì)所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect+ b+ U) D39。 {5 V3 \7 N　　何為OOC, OOS，OCAP？8 X Xu) Hamp。 V。 ^. j4 K. l　　答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan( J2 t* N8 b4 e d4 @　　當(dāng)需要追貨的時(shí)候，是否需要將ETCH沒有下機(jī)臺(tái)的貨追回來？　　答：需要。因?yàn)橥ǔＪ莗rocess出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回?fù)p失?！　HOTO ADI檢查的SITE是每片幾個(gè)點(diǎn)？7 Q: [5 m2 ~ R2 O　　答：5點(diǎn)，Wafer中間一點(diǎn)，周圍四點(diǎn)。$ Y6 x/ qamp。 S! J! o$ k39。 a　　　　PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個(gè)點(diǎn)？+ x8 g* z39。 T. p! Qamp。 R+ |　　答：201 o X5 Y, F( W% Famp。 W4 f5 n　　7 S9 Q8 C7 W X G5 `4 O9 q　　PHOTO ADI檢查的片數(shù)一般是哪幾片？* w0 |9 _8 J b$ K% yamp。 x　　答：1，6，15，24。 統(tǒng)計(jì)隨機(jī)的考量。 F6 k1 a \, K　　何謂RTMS，其主要功能是什幺？　　答：RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理1 U( |0 n9 H/ z. \9 c) s　　PHOTO區(qū)的主機(jī)臺(tái)進(jìn)行PM的周期？　　答：一周一次1 }3 W7 K。 \。 {7 v* ?* p* `1 ]　　PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類型　　答：(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2) Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做為photo區(qū)daily monitor CD穩(wěn)定度的wafer(5) PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6) PDM :做為photo defect monitor的wafer, c9 b \9 F0 G, p2 Z5 N　　當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？　　答：有少量光阻　　當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？　　答：有少量光阻　　WAFER SORTER有讀WAFER刻號(hào)的功能嗎？　　答：有　　光刻部的主要機(jī)臺(tái)是什幺? 它們的作用是什幺?　　答：光刻部的主要機(jī)臺(tái)是: TRACK(涂膠顯影機(jī)), Sanner(掃描曝光機(jī))3 W5 k}. m XPamp。 ]) s　　為什幺說光刻技術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù). E$ ~+ U Z4 m! M a E! d　　答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機(jī)就是一臺(tái)最高級(jí)的照相機(jī). 光罩上的電路圖形就是人物. 通過對(duì)準(zhǔn),對(duì)焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上, 曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠被洗掉, 圖形就顯現(xiàn)出來了.　　光刻技術(shù)的英文是什幺　　答：Photo Lithography　　 或點(diǎn)13 技術(shù)是指什幺?3 i9 S7 e。 v b, E。 n: Z7 [1 Y4 D　　答：它是指某個(gè)產(chǎn)品,它的最小CD or . 越小集成度可以越高, 每個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多, i6 T z! C。 w* z/ {+ Q。 [4 A　　從點(diǎn)18工藝到點(diǎn)13 工藝到點(diǎn)零9. 難度在哪里?　　答：難度在光刻部, 因?yàn)閳D形越來越小, 曝光機(jī)分辨率有限.b/ {。 }: Z9 r0 V! x8 R/ e g+ Fg　　曝光機(jī)的NA 是什幺? N! r9 L3 @2 p　　答：NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑。是光罩對(duì)透鏡張開的角度的正玹值. 最大是1。 先進(jìn)的曝光機(jī)的NA .% h7 z r2 H6 O。 Y　　曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的? `* y+ P. Y* p* X/ w: ]　　答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波長。NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑。 k1是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù), g) a* n1 x9 n. r　　如何提高曝光機(jī)的分辨率呢?. z, z7 ~`6 v2 ~8 M5 m n　　答：減短曝光的光波長, 選擇新的光源。 把透鏡做大,提高NA.　　現(xiàn)在的生產(chǎn)線上, 曝光機(jī)的光源有幾種, 波長多少?　　答：有三種: 高壓汞燈光譜中的365nm 譜線, 我們也稱其為Iline。 KrF 激光器, 產(chǎn)生248 nm 的光。 ArF 激光器, 產(chǎn)生193 nm 的光。9 ^[2 Iamp。 O z。 K2 D. J$ n　　下一代曝光機(jī)光源是什幺?　　答：F2 激光器. 波長157nm　　我們可否一直把波長縮短,以提高分辨率? 困難在哪里?　　答：不可以. 困難在透鏡材料. 能透過157nm 的材料是CaF2, 其晶體很難生長. 還未發(fā)現(xiàn)能透過更短波長的材料.　　為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？　　答：因?yàn)榘坠庵邪?65nm成份會(huì)使光阻曝光,所以采用黃光。 就象洗像的暗房采用暗紅光照明.+ X, as。 L. K/ `2 n　　什幺是SEM　　答：掃描電子顯微鏡(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也稱道CD SEM. 用它來測量CD `amp。 s。 R2 d2 u8 o　　如何做Overlay 測量呢?+ n9 W8 j F3 K3 k1 p) Bg) o　　答：芯片(Wafer)被送進(jìn)Overlay 機(jī)臺(tái)中. 先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK. 這個(gè)MARK 是一個(gè)方塊 IN , 小方塊是當(dāng)層。通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞.　　生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺+ W5 u* V s+ G o5 Y4 e　　答：曝光機(jī)。515 百萬美金/臺(tái)　　曝光