電學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語(編輯修改稿)
2025-07-20 17:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 屬硅化物， 解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu) 138. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（5E19）的硅，能導(dǎo)電。 139. polymorphism n：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象 140. prober n :探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。 141. process control n :過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。 142. proximity Xray n :近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。 143. pure water n : 純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。 144. quantum device n :量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。 145. quartz carrier n :石英舟。 146. random access memory (RAM) n :隨機(jī)存儲器。 147. random logic device n :隨機(jī)邏輯器件。 148. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。 149. reactive ion etch (RIE) n : 反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。 150. reactor n :反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。 151. recipe n :菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。 152. resist n :光刻膠。 153. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。 154. scheduled downtime n : (設(shè)備)預(yù)定停工時間。 155. Schottky barrier diodes n :肖特基二極管。 156. scribe line n :劃片槽。 157. sacrificial etchback n :犧牲腐蝕。 158. semiconductor n :半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。 159. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。 160. side load: 邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。 161. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片 162. small scale integration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。 174. spin webbing: 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。 175. sputter etch: 濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。 176. stacking fault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。 177. steam bath:蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。 178. step response time:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時段到氣流剛 到達(dá)特定地帶的那個時刻之間的時間。 179. stepper: 步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來曝光） 180. stress test: 應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。 181. surface profile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。 182. symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識。 183. tack weld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）。 184. Taylor tray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。 185. temperature cycling:溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。 186. testability:易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。 187. thermal deposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。 188. thin film:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。 189. titanium(Ti): 鈦。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。 191. 1,1,1trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。 192. tungsten(W): 鎢。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。 194. tinning: 金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。 196. watt(W): 瓦。能量單位。 197. wafer flat: 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。 198. wafer process chamber(WPC): 對晶片進(jìn)行工藝的腔體。 199. well: 阱。 200. wet chemical etch: 濕法化學(xué)腐蝕。 201. trench: 深腐蝕區(qū)域，用于
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