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正文內(nèi)容

電學(xué)半導(dǎo)體制冷器(tec)的驅(qū)動與控制(編輯修改稿)

2024-08-03 16:01 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 制冷制熱頻率響應(yīng)相差大概有6dB。該模塊的其他因素,如散熱,環(huán)境溫度,和內(nèi)部產(chǎn)生的熱量,也可能改變響應(yīng)曲線。從不同的模塊制造商也會有不同的反應(yīng)。如果一個TEC模塊沒有內(nèi)部的熱敏電阻,所用的TEC和熱敏電阻的頻率響應(yīng)要單獨測定。圖1 TEC頻率響應(yīng)補償回路比例積分微分(PID)控制器,如圖2所示,是一個很好補償方法。在這里可以對電路進行調(diào)整優(yōu)化TEC響應(yīng)。為了達到高的直流增益,積分器是必要的。在圖2中的積分器是由C2構(gòu)成的,并且積分器添加了響應(yīng)曲線的第三極,R3使得電路更加使得穩(wěn)定。R3插入一個零到之前的積分單位增益交叉。理想情況下,這應(yīng)該發(fā)生在第一極點20mHz。并且可以推高到70mHz而沒有任何穩(wěn)定性問題。雖然這個過程中創(chuàng)建了一個從20mHz到70mHz的二階響應(yīng),但是相位從未達到振蕩條件(180度)。如圖1中的紅色虛線所示。圖2 PID控制器的電路。圖2中由C1,R1和R2形成的差分網(wǎng)絡(luò),又增加了零點來抹去第二1Hz的極點。這個零點提供了額外的相位裕度,使閉環(huán)在在更高的頻率處截止。如圖1中所示的藍色虛線。雖然具有高環(huán)路帶寬的快速響應(yīng)是不需要的,高DC增益和小電容卻是必不可少的。該補償器使用C3使增益衰減到30Hz,從而減少噪聲注入閉環(huán)。在TEC的應(yīng)用中,這允許閉環(huán)在2Hz交叉,并為閉環(huán)在很寬的范圍內(nèi)提供良好的相位裕度。圖三所示TEC熱閉環(huán)中為2Hz的交叉補償?shù)睦印1M量選擇高阻值的R3以使積分電容C2盡可能小。然而這種方法也有弊端,它會使得PID的增益變小。因為我們必須在70mHz插入一個零點,我們使用關(guān)系:FZ1 = 1 /(2πC2R3)圖3 熱閉環(huán)原理簡圖前文已經(jīng)說過,F(xiàn)Z1 = 70mHZ,如果選擇R3 =243kΩ,那么C2 。我們選擇10μF設(shè)計?,F(xiàn)在我們選擇R1 =10kΩ。這使得前端放大器(U2)有足夠的增益以減少反射積分器(U1)的錯誤,同時保持合理的電容器的尺寸。現(xiàn)在,我們必須插入一個零點以抹去第二個在1Hz的TEC響應(yīng)曲線極點。因為我們希望得到良好的相位裕度。這給出了一個在交叉頻率的一個更好的相位裕度。然后通過放置由R1創(chuàng)建的、至少5倍于交叉頻率,或者10Hz的極點終止該零點。這限制了積分器的的增益。所以,因為:FZ2 = 1 /(2πC1R2)并且FZ2 = =510KΩ,我們可以算出C1 =。我們選擇C1為1μF。
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