【總結(jié)】1?Active?Area?主動(dòng)區(qū)(工作區(qū))?主動(dòng)晶體管(ACTIVE?TRANSISTOR)被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)(ACTIVE?AREA)。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE?AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的,而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟,所以ACTIVE?AREA會(huì)受到
2025-08-03 06:04
【總結(jié)】半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光一、半導(dǎo)體量子點(diǎn)的定義當(dāng)半導(dǎo)體的三維尺寸都小于或接近其相應(yīng)物質(zhì)體相材料激子的玻爾半徑()時(shí),稱為半導(dǎo)體量子點(diǎn)。二、半導(dǎo)體量子點(diǎn)的原理在光照下,半導(dǎo)體中的電子吸收一定能量的光子而被激發(fā),處于激發(fā)態(tài)的電子向較低能級(jí)躍遷,以光福射的形式釋放出能量。大多數(shù)情況下,半導(dǎo)體的光學(xué)躍遷發(fā)生在帶邊,也就是說(shuō)光學(xué)躍遷通常發(fā)生在價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底附近。半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)可以用圖的簡(jiǎn)化模型來(lái)
2025-06-23 17:39
【總結(jié)】1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主,如B,摻入Si中需要接受電子3.Acid:酸4.Activedevice:有源器件,如MOSFET(非線性,可以對(duì)信號(hào)放大)5.Alignmark(key):對(duì)位標(biāo)記6.Alloy:合金7.Aluminum:
2025-06-23 17:16
【總結(jié)】中文5439字畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)外文資料翻譯學(xué)院:專業(yè):過(guò)程裝備與控制工程姓名:學(xué)號(hào):外文出處:Journa
2025-05-11 12:12
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為
2025-02-26 01:36
【總結(jié)】半導(dǎo)體製程簡(jiǎn)介部門(mén)ASI/EOL報(bào)告人SaintHuang半導(dǎo)體製造流程晶圓製造封裝晶圓針測(cè)測(cè)試Front-EndBack-End晶粒(Die)成品半導(dǎo)體製程分類(lèi)◆I.晶圓製造◆◆
【總結(jié)】下載最好的KEC-W和C&C的我&我(20xx.)PEGKEC-公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告KEC-公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告決裁贊成者助手設(shè)計(jì)Reportor:朱Zhao六月日期:~總數(shù)標(biāo)明的頁(yè)數(shù)S以系統(tǒng)P字新的(包裹,機(jī)器
2025-05-22 20:19
【總結(jié)】1.??何謂PIE??PIE的主要工作是什幺????????答:ProcessIntegrationEngineer(工藝整合工程師),主要工作是整合各部門(mén)的資源,對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善,確保產(chǎn)品的良率(yield)穩(wěn)定良好。2.??200mm,300mmW
2025-08-03 05:48
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過(guò)大約450道工序,消耗6~8周的時(shí)間,看似復(fù)雜,而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過(guò)程,最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過(guò)程
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體詞匯縮寫(xiě)表A/DanalogtodigitalAAatomicabsorptionAASatomicabsorptionspectroscopyABCactivity-basedcostingABMactivity-basedmanagementACalternatingcurrent;activatedcarbonA
2025-07-30 00:04
【總結(jié)】摘要摘要由于當(dāng)今能源短缺,太陽(yáng)能的無(wú)限可利用價(jià)值使其成為全世界矚目的焦點(diǎn),但一直以來(lái)太陽(yáng)能充電技術(shù)都沒(méi)有突破性進(jìn)展,光伏器件轉(zhuǎn)換效率低,蓄電池價(jià)格昂貴,因此研究光伏充電技術(shù)是非常有意義的。本論文對(duì)太陽(yáng)能充電技術(shù)進(jìn)行了較為深入的研究,以充分保護(hù)蓄電池和最大限度地增大太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率為基本設(shè)計(jì)目標(biāo),采用PIC16F877進(jìn)行智能控制,對(duì)太陽(yáng)能最大功率跟蹤技術(shù)和蓄電池的充電技術(shù)進(jìn)行
2025-06-27 20:18
【總結(jié)】半導(dǎo)體三極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介三極管的基本結(jié)構(gòu)是兩個(gè)反向連結(jié)的PN接面,如圖1所示,可有pnp和npn兩種組合。三個(gè)接出來(lái)的端點(diǎn)依序稱為發(fā)射極(emitter,E)、基極(base,B)和集電極(collector,C),名稱來(lái)源和它們?cè)谌龢O管操作時(shí)的功能有關(guān)。圖中也顯示出npn與pnp三極管的電路符號(hào),發(fā)射極特別被標(biāo)出,箭號(hào)所指的極為n型半導(dǎo)體,和二極體的符號(hào)一致。在沒(méi)接外加偏壓時(shí),兩個(gè)p
2025-06-23 17:21
【總結(jié)】半導(dǎo)體物理與器件第四章第二講邱偉彬§非本征半導(dǎo)體?非本征半導(dǎo)體:摻入定量的特定的雜質(zhì)原子(施主或受主),從而熱平衡電子和空穴濃度不同于本征載流子濃度的半導(dǎo)體材料。–摻入的雜質(zhì)原子會(huì)改變電子和空穴的分布。費(fèi)米能級(jí)偏離禁帶中心位置。–摻入施主雜質(zhì),雜質(zhì)電離形成導(dǎo)帶電子和正電中心(施主離子),而不產(chǎn)生空穴
2025-01-06 14:50
【總結(jié)】CVD 晶圓制造廠非常昂貴的原因之一,是需要一個(gè)無(wú)塵室,為何需要無(wú)塵室 答:由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷 何謂半導(dǎo)體?;I*s#N*v8Y!H3a8q4a1R0\-W 答:半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁,以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的
2025-06-16 14:50
【總結(jié)】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才相關(guān)信息介紹一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概念半導(dǎo)體(Semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體按照其制造技術(shù)可以分類(lèi)為:集成電路器件,分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯集成電路、模擬集成電路、儲(chǔ)存器等大類(lèi)。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路(IntegratedCircuit)。集成電路是指采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電
2025-06-24 08:22