【摘要】CHANGZHOUINSTITUTEOFTECHNOLOGY畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書題目:半導(dǎo)體制冷溫控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)二級(jí)學(xué)院(直屬學(xué)部):延陵學(xué)院專業(yè):自動(dòng)化班級(jí):07自Y學(xué)生姓名:張浩學(xué)號(hào):07121230指導(dǎo)教師姓名:蔣渭忠職稱:教授
2024-12-16 01:07
【摘要】制程及原理概述半導(dǎo)體工業(yè)的制造方法是在硅半導(dǎo)體上制造電子元件(產(chǎn)品包括:動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、靜態(tài)記億體、微虛理器…等),而電子元件之完成則由精密復(fù)雜的集成電路(IntegratedCircuit,簡(jiǎn)稱IC)所組成;IC之制作過(guò)程是應(yīng)用芯片氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù),所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。隨著電子信息產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展,半導(dǎo)體制造方法亦朝著高
2025-06-25 15:39
【摘要】專業(yè)資料分享半導(dǎo)體制冷片工作原理致冷器件是由半導(dǎo)體所組成的一種冷卻裝置,隨著近代的半導(dǎo)體發(fā)展才有實(shí)際的應(yīng)用,也就是致冷器的發(fā)明。其工作原理是由直流電源提供電子流所需的能量,通上電源后,電子負(fù)極(-)出發(fā),首先經(jīng)過(guò)P型半導(dǎo)體,于此吸熱量,到了N型半導(dǎo)體,又將熱量放出,每經(jīng)過(guò)一個(gè)NP模塊,
2024-08-18 01:30
【摘要】題目:半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用學(xué)院:理專業(yè):光姓名:劉半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用摘要:激光技術(shù)自1960年面世以來(lái)便得到了飛速發(fā)展,作為激光技術(shù)中最關(guān)鍵的器件激光器的種類層出不窮,這其中發(fā)展最為迅速,應(yīng)用作為廣泛的便是半導(dǎo)體激
2025-06-25 14:50
【摘要】半導(dǎo)體激光器常用參數(shù)的測(cè)定一實(shí)驗(yàn)?zāi)康模赫莆瞻雽?dǎo)體激光器常用的電學(xué)參數(shù)及其測(cè)試方法一實(shí)驗(yàn)基本原理1、普通光源的發(fā)光——受激吸收和自發(fā)輻射普通常見光源的發(fā)光(如電燈、火焰、太陽(yáng)等地發(fā)光)是由于物質(zhì)在受到外來(lái)能量(如光能、電能、熱能等)作用時(shí),原子中的電子就會(huì)吸收外來(lái)能量而從低能級(jí)躍遷到高能級(jí),即原子被激發(fā)。激發(fā)的過(guò)程是一個(gè)“受激吸收”過(guò)程。處在高能級(jí)(E2)的電子壽命很短(一般
2025-07-02 23:24
【摘要】半導(dǎo)體工作原理半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)我們的社會(huì)具有巨大影響。您可以在微處理器芯片以及晶體管的核心部位發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體的身影。任何使用計(jì)算機(jī)或無(wú)線電波的產(chǎn)品也都依賴于半導(dǎo)體。當(dāng)前,大多數(shù)半導(dǎo)體芯片和晶體管都使用硅材料制造。您可能聽說(shuō)過(guò)“硅谷”和“硅經(jīng)濟(jì)”這樣的說(shuō)法,因?yàn)楣枋撬须娮釉O(shè)備的核心二極管可能是最簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體設(shè)備,因此,如果要了解半導(dǎo)體的工作原理,二極管是一個(gè)很好的
2024-08-18 06:17
【摘要】Siliconingot硅錠Wafer晶片Mirrorwafer鏡面晶圓Patter晶圓片F(xiàn)AB:fabrication制造FabricationFacility制造wafer生產(chǎn)工廠Probetest探針測(cè)試Probecard探針板Contact連接ProbeTip探頭端部ChipFunction功能EPM:El
2025-07-06 17:38
【摘要】半導(dǎo)體廠務(wù)工作吳世全國(guó)家奈米元件實(shí)驗(yàn)室一、前言近年來(lái),半導(dǎo)體晶圓廠已進(jìn)展到8"晶圓的量產(chǎn)規(guī)模,同時(shí),也著手規(guī)劃12"晶圓的建廠與生產(chǎn),準(zhǔn)備迎接另一世代的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。於是各廠不斷地?cái)U(kuò)增其產(chǎn)能與擴(kuò)充其廠區(qū)規(guī)模,似乎稍一停頓即會(huì)從此競(jìng)爭(zhēng)中敗下陣來(lái)。所以,推促著製程技術(shù)不斷地往前邁進(jìn),(百萬(wàn)位元)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶元件)記憶體密度的此際技術(shù)起,;(十億位元)集積度的
2025-07-02 17:46
【摘要】硫及金屬硫化物-類石墨相氮化碳納米復(fù)合材料的制備,表征及其光催化性能的研究第一章緒論自18世紀(jì)60年代的第一次工業(yè)革命到現(xiàn)在以來(lái),科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展、日新月異。工業(yè)革命(第一次科技革命)以瓦特的蒸汽機(jī)的發(fā)明為標(biāo)志,宣告了人類社會(huì)由原來(lái)的火器時(shí)代,進(jìn)入到了蒸汽時(shí)代。第二次科技革命發(fā)生在19世紀(jì)70年代,在這個(gè)時(shí)期,自然科學(xué)取得了飛速的進(jìn)展,由于資本主義制度的逐漸形成和完善,資本主義
2025-07-03 08:22
【摘要】 實(shí)驗(yàn)十七 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來(lái)發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對(duì)金屬來(lái)說(shuō)并不顯著,但對(duì)半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面?;魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)軠y(cè)定半導(dǎo)體材料的
2024-08-18 06:23
【摘要】半導(dǎo)體車載冰箱電子制冷原理介紹(圖)????半導(dǎo)體電子制冷又稱熱電制冷,或者溫差電制冷,它是利用“帕爾帖效應(yīng)”的一種制冷方法,與壓縮式制冷和吸收式制冷并稱為世界三大制冷方式。1843年,法國(guó)物理學(xué)家帕爾帖在銅絲的兩頭各接一根鉍絲,再將兩根鉍絲分別接到直流電源的正負(fù)極上,通電后,他驚奇的發(fā)現(xiàn)一個(gè)接頭變熱,另一個(gè)接頭變冷;這個(gè)現(xiàn)象后來(lái)就被稱為“帕爾帖
2025-07-01 12:02
【摘要】1.在怎樣條件下,電流密度隨電場(chǎng)強(qiáng)度成線性變化?在強(qiáng)電場(chǎng)下,歐姆定律是否仍然正確?電場(chǎng)強(qiáng)度不大的條件下;不正確?、載流子濃度及遷移率?從霍爾電壓的正負(fù)可以判別半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型;測(cè)出RH可求載流子濃度;測(cè)出電導(dǎo)率可求出霍爾遷移率。,哪一個(gè)材料的少子濃度高?為什么?鍺的少子濃度高。由電阻率=1/nqu和(ni)2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別,可以算出鍺的少
2025-04-03 06:15
【摘要】半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)實(shí)踐總結(jié)報(bào)告一、實(shí)踐目的半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)及儀器集中學(xué)習(xí)是在課堂結(jié)束之后在實(shí)習(xí)地集中的實(shí)踐性教學(xué),是各項(xiàng)課間的綜合應(yīng)用,是鞏固和深化課堂所學(xué)知識(shí)的必要環(huán)節(jié)。學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件與集成電路性能參數(shù)的測(cè)試原理、測(cè)試方法,掌握現(xiàn)代測(cè)試設(shè)備的結(jié)構(gòu)原理、操作方法與測(cè)試結(jié)果的分析方法,并學(xué)以致用、理論聯(lián)系實(shí)際,鞏固和理解所學(xué)的理論知識(shí)。同時(shí)了解測(cè)試技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢(shì)以及本專業(yè)的發(fā)展
2025-04-04 02:55
【摘要】一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()
2025-07-02 17:39
【摘要】半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素半導(dǎo)體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲(chǔ)等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個(gè)方面的輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。1.波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長(zhǎng)是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價(jià)帶時(shí)所釋放出的能量決定的,這個(gè)能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H
2025-06-25 14:33