【摘要】半導(dǎo)體激光器發(fā)散角和偏振特性測量實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?、掌握半導(dǎo)體激光器遠(yuǎn)場發(fā)散角的測量方法。2、掌握半導(dǎo)體激光器偏振特性的測量方法。實(shí)驗(yàn)原理X方向(快軸),它與結(jié)平面方向垂直,又稱為橫向,發(fā)散角較大;Y方向(慢軸),為與結(jié)平面平行的方向,又稱為側(cè)向,發(fā)散角較小;出射激光的光斑即可判斷這種邊緣發(fā)
2025-05-24 20:53
【摘要】第四節(jié)激光器的輸出特性一、連續(xù)或長脈沖激光器的輸出功率??tqptpGGPP???0時(shí)當(dāng)泵浦功率0?dtdNl不斷增強(qiáng)qI???不斷減少qIGq??,??lGIGtqq?????,態(tài)激光器建立穩(wěn)定工作狀不再增加qI???
2025-05-10 08:54
【摘要】上節(jié)課回顧:1、躍遷速率與愛因斯坦關(guān)系;2、半經(jīng)典理論求解B12;3、凈受激發(fā)射的條件;4、增益系數(shù)閾值條件和增益分布此時(shí)建立起粒子數(shù)的反轉(zhuǎn)分布,吸收系數(shù)就變?yōu)樨?fù)的,半導(dǎo)體材料由光吸收介質(zhì)變成了增益媒質(zhì)。它可以使頻率處在增益帶寬范圍內(nèi)的光輻射得到放大。增益系數(shù)為:
2025-05-08 05:02
【摘要】實(shí)驗(yàn)一半導(dǎo)體激光器系列實(shí)驗(yàn)懷化學(xué)院物理與電子工程系一、實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹1.實(shí)驗(yàn)儀器序號(hào)名稱規(guī)格1半導(dǎo)體激光器及可調(diào)電源中心波長650nm,<5mW,電流0~40mA連續(xù)可調(diào)2WGD-6光學(xué)多道分析器光柵600L/mm,f=3可旋轉(zhuǎn)偏振片最小刻度值1°4旋轉(zhuǎn)臺(tái)0°~360&
2025-04-26 00:34
【摘要】優(yōu)秀畢業(yè)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體激光器的溫控電路分析摘要半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵(lì)方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價(jià)帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級(jí)之間,實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí),便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu),通常激光器都是由三部
2025-07-03 19:35
【摘要】第4章半導(dǎo)體激光器:靜態(tài)特性1.引言;2.自収輻射與受激輻射;3.光學(xué)諧振腔;4.閾值特性;5.先進(jìn)LD:電子特性的改進(jìn);6.先進(jìn)LD:光學(xué)特性的改進(jìn)。I.引言LED是在顯示、通信、照明等領(lǐng)域廣泛使用的光源,其優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單、價(jià)格低廉、性能可靠。但LED作為通信用光源的話存在諸多缺陷:
2024-08-30 23:29
【摘要】上節(jié)課回顧:半導(dǎo)體激光器的制備流程;半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)要求?機(jī)械穩(wěn)定性;?電連接;?散熱問題;以50%電光轉(zhuǎn)換效率計(jì)算,一個(gè)典型的中等功率50W/bar,腔長為1mm,熱流密度為500W/cm2,電流密度1000A/cm2以每個(gè)發(fā)光單元2W,有源區(qū)尺寸1um
2024-08-19 22:29
【摘要】半導(dǎo)體激光器光刻工藝?yán)瞽Z半導(dǎo)體激光器光刻工藝?光刻工藝步驟?808大功率激光器光刻流程?光刻質(zhì)量要求光刻工藝步驟以正型光刻膠為例:808大功率激光器光刻工藝?工藝步驟:外延材料生長?一次光刻(腐蝕臺(tái)面)?介質(zhì)膜生長?二次光刻(腐蝕介質(zhì)膜)
2025-05-08 04:29
【摘要】1引言GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-05-22 22:26
【摘要】上節(jié)課回顧:1、增益譜及閾值增益;2、半導(dǎo)體激光器中的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及光場限制機(jī)制;3、半導(dǎo)體激光器中的光場模式半導(dǎo)體激光器典型測試曲線01020304050607001020304050600.00.10.20.30.40.
2024-08-30 23:40
【摘要】Littrow結(jié)構(gòu)光柵外腔半導(dǎo)體激光器—宋紅芳一、半導(dǎo)體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理二、激光二極管產(chǎn)生激光的特點(diǎn)三、外腔結(jié)構(gòu)四、機(jī)械設(shè)計(jì)五、電流控制—恒流源六、溫度控制一、半導(dǎo)體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理1、組成增益介質(zhì):半導(dǎo)體
2025-05-10 02:10
2024-08-19 05:50
【摘要】半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時(shí)軟啟動(dòng) 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 18 18 22 22 23A/D轉(zhuǎn)換電
2025-07-07 09:33
【摘要】畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目:半導(dǎo)體激光器溫控系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)系別:光電信息系專業(yè):光電信息工程班級(jí):B1001042021年5月7日
2025-06-18 09:04
【摘要】光學(xué)諧振腔的衍射理論對(duì)稱共焦腔內(nèi)外的光場分布高斯光束的傳播特性1引言前兩章由發(fā)光的物理基礎(chǔ)出發(fā),討論了激光產(chǎn)生的工作原理、在激光諧振腔中受激輻射大于自發(fā)輻射而導(dǎo)致光的受激輻射放大的過程和條件;為研究激光的輸出特性(從激光諧振腔中傳播到腔外的光束的強(qiáng)度與相位的大小與分布)建立了基礎(chǔ)。激光器作為光源與普通光源的主要區(qū)別:激光器有一
2025-01-30 23:10