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半導(dǎo)體激光器的主要參數(shù)-展示頁

2025-05-08 05:02本頁面

　　

【正文】更高的光子能量處移動 gmax(E)也增加。溫度和激勵水平的影響包含在 (fc— fv)中。只有那些增益達(dá)到閡值條件而又被諧振腔允許的波長才能形成激光振蕩。半導(dǎo)體激光器的腔長很短，所以它的模間隔比氣體和固體激光器要大得多。當(dāng)增益介質(zhì)的折射率 nR和腔長 L一定時，每一個 g值就對應(yīng)著一個振蕩頻率或波長，或者說對應(yīng)著一個振蕩的縱模模式。 ai是內(nèi)部損耗系數(shù)，通常是由自由裁流子吸收和光學(xué)不均勻散射引起的，g為增益系數(shù)。下面討論與此相關(guān)的一些問題。增益系數(shù)為：但這只是提供了產(chǎn)生激光的前提條件，要實(shí)際獲得相干受激輻射，必須將此增益介質(zhì)置于光學(xué)諧振腔內(nèi)，使光波在兩個腔面反射鏡之間通過增益介質(zhì)來回反射面得到放大。上節(jié)課回顧：躍遷速率與愛因斯坦關(guān)系；半經(jīng)典理論求解 B12；凈受激發(fā)射的條件；增益系數(shù) 閾值條件和增益分布此時建立起粒子數(shù)的反轉(zhuǎn)分布，吸收系數(shù)就變?yōu)樨?fù)的，半導(dǎo)體材料由光吸收介質(zhì)變成了增益媒質(zhì)。它可以使頻率處在增益帶寬范圍內(nèi)的光輻射得到放大。如果光增益超過諧振

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7-3-半導(dǎo)體激光器封裝-展示頁

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2024-08-19 22:29

半導(dǎo)體激光器光刻工藝簡化-展示頁

【摘要】半導(dǎo)體激光器光刻工藝?yán)瞽Z半導(dǎo)體激光器光刻工藝?光刻工藝步驟?808大功率激光器光刻流程?光刻質(zhì)量要求光刻工藝步驟以正型光刻膠為例：808大功率激光器光刻工藝?工藝步驟：外延材料生長?一次光刻（腐蝕臺面）?介質(zhì)膜生長?二次光刻（腐蝕介質(zhì)膜）

2025-05-08 04:29

littrow結(jié)構(gòu)光柵外腔半導(dǎo)體激光器-展示頁

【摘要】Littrow結(jié)構(gòu)光柵外腔半導(dǎo)體激光器—宋紅芳一、半導(dǎo)體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理二、激光二極管產(chǎn)生激光的特點(diǎn)三、外腔結(jié)構(gòu)四、機(jī)械設(shè)計五、電流控制—恒流源六、溫度控制一、半導(dǎo)體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理1、組成增益介質(zhì)：半導(dǎo)體

2025-05-10 02:10

實(shí)驗(yàn)一-半導(dǎo)體激光器系列實(shí)驗(yàn)-展示頁

【摘要】實(shí)驗(yàn)一半導(dǎo)體激光器系列實(shí)驗(yàn)懷化學(xué)院物理與電子工程系一、實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹1．實(shí)驗(yàn)儀器序號名稱規(guī)格1半導(dǎo)體激光器及可調(diào)電源中心波長650nm，＜5mW，電流0～40mA連續(xù)可調(diào)2WGD-6光學(xué)多道分析器光柵600L/mm，f=3可旋轉(zhuǎn)偏振片最小刻度值1°4旋轉(zhuǎn)臺0°～360&

2025-04-26 00:34

電學(xué)半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用-展示頁

【摘要】題目：半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用學(xué)院：理專業(yè)：光姓名：劉半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用摘要：激光技術(shù)自1960年面世以來便得到了飛速發(fā)展，作為激光技術(shù)中最關(guān)鍵的器件激光器的種類層出不窮，這其中發(fā)展最為迅速，應(yīng)用作為廣泛的便是半導(dǎo)體激

2025-06-25 14:50

半導(dǎo)體激光器的溫控電路分析論文-展示頁

【摘要】優(yōu)秀畢業(yè)設(shè)計半導(dǎo)體激光器的溫控電路分析摘要半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價帶)之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間，實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu)，通常激光器都是由三部

2025-07-03 19:35

gan基材料半導(dǎo)體激光器的發(fā)展動態(tài)-展示頁

【摘要】1引言GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（）。在大氣壓力下，GaN晶體

2025-05-22 22:26

半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素-展示頁

【摘要】半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素半導(dǎo)體激光器是一類非常重要的激光器，在光通信、光存儲等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個方面的輸出特性，并分析影響這些輸出特性的主要因素。1．波長半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價帶時所釋放出的能量決定的，這個能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H

2025-07-05 03:36

談gan基材料半導(dǎo)體激光器的發(fā)展動態(tài)-展示頁

2024-08-19 05:50

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2025-06-25 14:33

半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電源設(shè)計畢業(yè)論文-展示頁

【摘要】半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電源設(shè)計目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時軟啟動 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計 18 18 22 22 23A/D轉(zhuǎn)換電

2025-07-07 09:33

第5章-半導(dǎo)體激光器(ld)：靜態(tài)特性-藍(lán)色(全)-展示頁

【摘要】第4章半導(dǎo)體激光器:靜態(tài)特性1.引言；2.自収輻射與受激輻射；3.光學(xué)諧振腔；4.閾值特性；5.先進(jìn)LD：電子特性的改進(jìn)；6.先進(jìn)LD：光學(xué)特性的改進(jìn)。I.引言LED是在顯示、通信、照明等領(lǐng)域廣泛使用的光源，其優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單、價格低廉、性能可靠。但LED作為通信用光源的話存在諸多缺陷：

2024-08-30 23:29