半導體激光器的主要參數(shù)-閱讀頁
2025-05-14 05:02本頁面
【正文】 漂移，使 △ EF減小，同樣也使?jié)M足粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的狀態(tài)數(shù)減小。 780 790 800 810 820 15A 55A 55A (after 30 39。這部分光場不與注入載流子發(fā)生相互作用，因而對激光器中的受激發(fā)射沒有貢獻。 限制因子 垂直于 pn結(jié)方向 平行于 pn結(jié)方向 增益導引型結(jié)構 平行于 pn結(jié)方向 折射率導引型結(jié)構 兩種結(jié)構的區(qū)別 半導體激光器常見結(jié)構 功率效率 加于激光器上的電功率轉(zhuǎn)換為輸出光功率的效率 半導體激光器的幾個效率參數(shù) 降低 rs，特別是制備良好的低電阻率的歐姆接觸是提高功率效率的關鍵。 內(nèi)量子效率 半導體激光器的幾個效率參數(shù) 由于有源區(qū)內(nèi)存在雜質(zhì)缺陷及異質(zhì)結(jié)界面態(tài)的非輻射復合和長波長激光器中的俄歇復合等因素，使得注入有源區(qū)的每一個電子 — 空穴對不能 100％的產(chǎn)生輻射復合，即 ηi總是小于 1，但一般也有 95％左右，是轉(zhuǎn)換效率很高的激光器件。因為激光器有激射的閾值特性，所以當 IIth時， ηex很小，當 IIth時， P直線上升， ηex變
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