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電學(xué)半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素-閱讀頁

2025-07-01 14:33本頁面
  

【正文】 InGaAsP的激光器,T0 =50~80K;A1GaAs/GaAs的激光器, T0 =100~150K。如GaAs激光器,絕對溫度77K時,ηd約為50%;當絕對溫度升高到300K時, ηd只有約30%。當驅(qū)動電流I<閾值電流Ith時,發(fā)出的是熒光,光譜很寬,如圖(a)所示。當驅(qū)動電流達到閾值后,隨著驅(qū)動電流的增大,縱模模數(shù)變小,譜線寬度變窄。此外,溫度也會影響半導(dǎo)體激光器的光譜。4. 激光束的空間分布激光束的空間分布用近場和遠場來描述。近場和遠場是由諧振腔(有源區(qū))的橫向尺寸,即平行于PN結(jié)平面的寬度 w 和垂直于PN結(jié)平面的厚度 t 所決定的,并稱為激光器的橫模。下圖為典型半導(dǎo)體激光器的遠場輻射特性, 圖中θ‖和θ⊥分別為平行于結(jié)平面和垂直于結(jié)平面的輻射角,整個光束的橫截面呈橢圓形
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