【摘要】上節(jié)課回顧:半導體激光器的制備流程;半導體激光器的結(jié)構(gòu)要求?機械穩(wěn)定性;?電連接;?散熱問題;以50%電光轉(zhuǎn)換效率計算,一個典型的中等功率50W/bar,腔長為1mm,熱流密度為500W/cm2,電流密度1000A/cm2以每個發(fā)光單元2W,有源區(qū)尺寸1um
2024-08-23 22:29
【摘要】實驗一半導體激光器系列實驗懷化學院物理與電子工程系一、實驗設備介紹1.實驗儀器序號名稱規(guī)格1半導體激光器及可調(diào)電源中心波長650nm,<5mW,電流0~40mA連續(xù)可調(diào)2WGD-6光學多道分析器光柵600L/mm,f=3可旋轉(zhuǎn)偏振片最小刻度值1°4旋轉(zhuǎn)臺0°~360&
2025-05-02 00:34
【摘要】半導體激光器光刻工藝李璟半導體激光器光刻工藝?光刻工藝步驟?808大功率激光器光刻流程?光刻質(zhì)量要求光刻工藝步驟以正型光刻膠為例:808大功率激光器光刻工藝?工藝步驟:外延材料生長?一次光刻(腐蝕臺面)?介質(zhì)膜生長?二次光刻(腐蝕介質(zhì)膜)
2025-05-14 04:29
【摘要】題目:半導體激光器的發(fā)展與應用學院:理專業(yè):光姓名:劉半導體激光器的發(fā)展與應用摘要:激光技術(shù)自1960年面世以來便得到了飛速發(fā)展,作為激光技術(shù)中最關鍵的器件激光器的種類層出不窮,這其中發(fā)展最為迅速,應用作為廣泛的便是半導體激
2025-07-01 14:50
【摘要】1引言GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SiC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-05-28 22:26
【摘要】半導體激光器輸出特性的影響因素半導體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲等很多領域都有廣泛的應用。下面我將探討半導體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個方面的輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。1.波長半導體激光器的發(fā)射波長是由導帶的電子躍遷到價帶時所釋放出的能量決定的,這個能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H
2025-07-11 03:36
【摘要】畢業(yè)設計說明書基于980nm半導體激光器光束準直系統(tǒng)的設計學生姓名:學號:學院:專業(yè):
2024-09-09 12:56
2024-09-16 15:40
【摘要】上節(jié)課回顧:1、增益譜及閾值增益;2、半導體激光器中的波導結(jié)構(gòu)及光場限制機制;3、半導體激光器中的光場模式半導體激光器典型測試曲線01020304050607001020304050600.00.10.20.30.40.
2024-09-03 23:40
【摘要】Littrow結(jié)構(gòu)光柵外腔半導體激光器—宋紅芳一、半導體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理二、激光二極管產(chǎn)生激光的特點三、外腔結(jié)構(gòu)四、機械設計五、電流控制—恒流源六、溫度控制一、半導體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理1、組成增益介質(zhì):半導體
2025-05-16 02:10
【摘要】清華大學2012屆畢業(yè)設計說明書畢業(yè)設計說明書基于980nm半導體激光器光束準直系統(tǒng)的設計學生姓名:學號:學院:專業(yè):指導教師
2025-07-07 12:53
2024-08-23 05:50
2025-07-01 14:33
【摘要】第4章半導體激光器:靜態(tài)特性1.引言;2.自収輻射與受激輻射;3.光學諧振腔;4.閾值特性;5.先進LD:電子特性的改進;6.先進LD:光學特性的改進。I.引言LED是在顯示、通信、照明等領域廣泛使用的光源,其優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單、價格低廉、性能可靠。但LED作為通信用光源的話存在諸多缺陷:
2024-09-03 23:29
【摘要】完美WORD格式資料大功率半導體激光器的壽命與可靠性研究組別:11組員:李碩11023112孟曉11023106
2025-07-09 21:48