【摘要】優(yōu)秀畢業(yè)設計半導體激光器的溫控電路分析摘要半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵方式,在半導體物質(zhì)的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間,實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復合時,便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導體激光器的基本結構,通常激光器都是由三部
2025-07-09 19:35
【摘要】上節(jié)課回顧:半導體激光器的制備流程;半導體激光器的結構要求?機械穩(wěn)定性;?電連接;?散熱問題;以50%電光轉(zhuǎn)換效率計算,一個典型的中等功率50W/bar,腔長為1mm,熱流密度為500W/cm2,電流密度1000A/cm2以每個發(fā)光單元2W,有源區(qū)尺寸1um
2024-08-23 22:29
【摘要】半導體激光器的驅(qū)動電源設計目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設計 5 5 6 103.3短路保護電路 143.4延時軟啟動 14 15限流保護電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設計 18 18 22 22 23A/D轉(zhuǎn)換電
2025-07-13 09:33
【摘要】半導體激光器光刻工藝李璟半導體激光器光刻工藝?光刻工藝步驟?808大功率激光器光刻流程?光刻質(zhì)量要求光刻工藝步驟以正型光刻膠為例:808大功率激光器光刻工藝?工藝步驟:外延材料生長?一次光刻(腐蝕臺面)?介質(zhì)膜生長?二次光刻(腐蝕介質(zhì)膜)
2025-05-14 04:29
【摘要】1引言GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SiC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-05-28 22:26
【摘要】半導體激光器輸出特性的影響因素半導體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲等很多領域都有廣泛的應用。下面我將探討半導體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個方面的輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。1.波長半導體激光器的發(fā)射波長是由導帶的電子躍遷到價帶時所釋放出的能量決定的,這個能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H
2025-07-11 03:36
【摘要】上圖為IPG高功率光纖激光器輸出端,OBH。OBH的型號為國際標準型號,由于其本身具備一些電氣特性,并且輸出的激光為發(fā)散光,故需要與準直系統(tǒng)配套使用,把QBH插入準直系統(tǒng)即可,所有的準直系統(tǒng)制造商都有IPG的QBH的型號,結構,及電氣原理。國內(nèi)廠商還不具備制造與QBH連接的準直系統(tǒng)的能力。我們的客戶也不需要清楚QBH的核心構造,只需知道QBH是比較方便插拔的一種光纖輸出端子就好。上圖
2025-07-08 05:27
【摘要】上節(jié)課回顧:1、增益譜及閾值增益;2、半導體激光器中的波導結構及光場限制機制;3、半導體激光器中的光場模式半導體激光器典型測試曲線01020304050607001020304050600.00.10.20.30.40.
2024-09-03 23:40
【摘要】Littrow結構光柵外腔半導體激光器—宋紅芳一、半導體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理二、激光二極管產(chǎn)生激光的特點三、外腔結構四、機械設計五、電流控制—恒流源六、溫度控制一、半導體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理1、組成增益介質(zhì):半導體
2025-05-16 02:10
2024-08-23 05:50
2025-07-01 14:33
【摘要】 半導體激光器的驅(qū)動電源設計 目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設計 5 5 6 103.3短路保護電路 143.4延時軟啟動 14 15限流保護電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設計 18 18 22 22 23A/D
2025-07-13 09:24
【摘要】完美WORD格式資料大功率半導體激光器的壽命與可靠性研究組別:11組員:李碩11023112孟曉11023106
2025-07-09 21:48
【摘要】半導體激光器溫度控制系統(tǒng)的設計摘要目前,半導體激光器(LD)廣泛應用于科研、國防、工業(yè)等領域中。但由于LD工作時溫度的自身溫度的升高使其波長展寬,嚴重影響了測量儀器的精度、通信質(zhì)量、更不能適應惡劣的工業(yè)環(huán)境。因此,需要對LD的溫度變化進行嚴格控制。本課題的被控對象是小型LD,利用鉑電阻為溫度傳感器,采用無污染、制冷效果顯著的制冷器件——半導體制冷硅(TEC)作為系統(tǒng)的執(zhí)行元件
2025-07-12 17:43
【摘要】第4章半導體激光器:靜態(tài)特性1.引言;2.自収輻射與受激輻射;3.光學諧振腔;4.閾值特性;5.先進LD:電子特性的改進;6.先進LD:光學特性的改進。I.引言LED是在顯示、通信、照明等領域廣泛使用的光源,其優(yōu)點是結構簡單、價格低廉、性能可靠。但LED作為通信用光源的話存在諸多缺陷:
2024-09-03 23:29