【摘要】實(shí)驗(yàn)一半導(dǎo)體激光器系列實(shí)驗(yàn)懷化學(xué)院物理與電子工程系一、實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹1.實(shí)驗(yàn)儀器序號(hào)名稱(chēng)規(guī)格1半導(dǎo)體激光器及可調(diào)電源中心波長(zhǎng)650nm,<5mW,電流0~40mA連續(xù)可調(diào)2WGD-6光學(xué)多道分析器光柵600L/mm,f=3可旋轉(zhuǎn)偏振片最小刻度值1°4旋轉(zhuǎn)臺(tái)0°~360&
2025-06-04 00:34
【摘要】畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目:半導(dǎo)體激光器溫控系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)系別:光電信息系專(zhuān)業(yè):光電信息工程班級(jí):B1001042022年5月7日
2025-03-05 17:31
【摘要】題目:半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用學(xué)院:理專(zhuān)業(yè):光姓名:劉半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用摘要:激光技術(shù)自1960年面世以來(lái)便得到了飛速發(fā)展,作為激光技術(shù)中最關(guān)鍵的器件激光器的種類(lèi)層出不窮,這其中發(fā)展最為迅速,應(yīng)用作為廣泛的便是半導(dǎo)體激
2024-07-27 14:50
【摘要】?jī)?yōu)秀畢業(yè)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體激光器的溫控電路分析摘要半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過(guò)一定的激勵(lì)方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價(jià)帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級(jí)之間,實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí),便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu),通常激光器都是由三部
2024-08-04 19:35
【摘要】上節(jié)課回顧:半導(dǎo)體激光器的制備流程;半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)要求?機(jī)械穩(wěn)定性;?電連接;?散熱問(wèn)題;以50%電光轉(zhuǎn)換效率計(jì)算,一個(gè)典型的中等功率50W/bar,腔長(zhǎng)為1mm,熱流密度為500W/cm2,電流密度1000A/cm2以每個(gè)發(fā)光單元2W,有源區(qū)尺寸1um
2024-09-14 22:29
【摘要】半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線(xiàn) 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時(shí)軟啟動(dòng) 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 18 18 22 22 23A/D轉(zhuǎn)換電
2024-08-08 09:33
【摘要】半導(dǎo)體激光器光刻工藝?yán)瞽Z半導(dǎo)體激光器光刻工藝?光刻工藝步驟?808大功率激光器光刻流程?光刻質(zhì)量要求光刻工藝步驟以正型光刻膠為例:808大功率激光器光刻工藝?工藝步驟:外延材料生長(zhǎng)?一次光刻(腐蝕臺(tái)面)?介質(zhì)膜生長(zhǎng)?二次光刻(腐蝕介質(zhì)膜)
2025-06-16 04:29
【摘要】1引言GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-06-30 22:26
【摘要】半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素半導(dǎo)體激光器是一類(lèi)非常重要的激光器,在光通信、光存儲(chǔ)等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個(gè)方面的輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。1.波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長(zhǎng)是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價(jià)帶時(shí)所釋放出的能量決定的,這個(gè)能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H
2024-08-06 03:36
【摘要】上圖為IPG高功率光纖激光器輸出端,OBH。OBH的型號(hào)為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)型號(hào),由于其本身具備一些電氣特性,并且輸出的激光為發(fā)散光,故需要與準(zhǔn)直系統(tǒng)配套使用,把QBH插入準(zhǔn)直系統(tǒng)即可,所有的準(zhǔn)直系統(tǒng)制造商都有IPG的QBH的型號(hào),結(jié)構(gòu),及電氣原理。國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商還不具備制造與QBH連接的準(zhǔn)直系統(tǒng)的能力。我們的客戶(hù)也不需要清楚QBH的核心構(gòu)造,只需知道QBH是比較方便插拔的一種光纖輸出端子就好。上圖
2024-08-03 05:27
【摘要】上節(jié)課回顧:1、增益譜及閾值增益;2、半導(dǎo)體激光器中的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及光場(chǎng)限制機(jī)制;3、半導(dǎo)體激光器中的光場(chǎng)模式半導(dǎo)體激光器典型測(cè)試曲線(xiàn)01020304050607001020304050600.00.10.20.30.40.
2024-09-25 23:40
【摘要】Littrow結(jié)構(gòu)光柵外腔半導(dǎo)體激光器—宋紅芳一、半導(dǎo)體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理二、激光二極管產(chǎn)生激光的特點(diǎn)三、外腔結(jié)構(gòu)四、機(jī)械設(shè)計(jì)五、電流控制—恒流源六、溫度控制一、半導(dǎo)體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理1、組成增益介質(zhì):半導(dǎo)體
2025-06-18 02:10
2024-09-14 05:50
2024-07-27 14:33
【摘要】 半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì) 目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線(xiàn) 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時(shí)軟啟動(dòng) 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 18 18 22 22 23A/D
2024-08-08 09:24