【摘要】半導(dǎo)體激光器光刻工藝?yán)瞽Z半導(dǎo)體激光器光刻工藝?光刻工藝步驟?808大功率激光器光刻流程?光刻質(zhì)量要求光刻工藝步驟以正型光刻膠為例:808大功率激光器光刻工藝?工藝步驟:外延材料生長(zhǎng)?一次光刻(腐蝕臺(tái)面)?介質(zhì)膜生長(zhǎng)?二次光刻(腐蝕介質(zhì)膜)
2025-05-08 04:29
【摘要】上節(jié)課回顧:1、躍遷速率與愛因斯坦關(guān)系;2、半經(jīng)典理論求解B12;3、凈受激發(fā)射的條件;4、增益系數(shù)閾值條件和增益分布此時(shí)建立起粒子數(shù)的反轉(zhuǎn)分布,吸收系數(shù)就變?yōu)樨?fù)的,半導(dǎo)體材料由光吸收介質(zhì)變成了增益媒質(zhì)。它可以使頻率處在增益帶寬范圍內(nèi)的光輻射得到放大。增益系數(shù)為:
2025-05-08 05:02
【摘要】半導(dǎo)體激光器常用參數(shù)的測(cè)定一實(shí)驗(yàn)?zāi)康模赫莆瞻雽?dǎo)體激光器常用的電學(xué)參數(shù)及其測(cè)試方法一實(shí)驗(yàn)基本原理1、普通光源的發(fā)光——受激吸收和自發(fā)輻射普通常見光源的發(fā)光(如電燈、火焰、太陽(yáng)等地發(fā)光)是由于物質(zhì)在受到外來(lái)能量(如光能、電能、熱能等)作用時(shí),原子中的電子就會(huì)吸收外來(lái)能量而從低能級(jí)躍遷到高能級(jí),即原子被激發(fā)。激發(fā)的過程是一個(gè)“受激吸收”過程。處在高能級(jí)(E2)的電子壽命很短(一般
2025-07-02 23:24
【摘要】題目:半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用學(xué)院:理專業(yè):光姓名:劉半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用摘要:激光技術(shù)自1960年面世以來(lái)便得到了飛速發(fā)展,作為激光技術(shù)中最關(guān)鍵的器件激光器的種類層出不窮,這其中發(fā)展最為迅速,應(yīng)用作為廣泛的便是半導(dǎo)體激
2025-06-25 14:50
【摘要】?jī)?yōu)秀畢業(yè)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體激光器的溫控電路分析摘要半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵(lì)方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價(jià)帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級(jí)之間,實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí),便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu),通常激光器都是由三部
2025-07-03 19:35
【摘要】上節(jié)課回顧:1、增益譜及閾值增益;2、半導(dǎo)體激光器中的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及光場(chǎng)限制機(jī)制;3、半導(dǎo)體激光器中的光場(chǎng)模式半導(dǎo)體激光器典型測(cè)試曲線01020304050607001020304050600.00.10.20.30.40.
2024-08-30 23:40
【摘要】Littrow結(jié)構(gòu)光柵外腔半導(dǎo)體激光器—宋紅芳一、半導(dǎo)體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理二、激光二極管產(chǎn)生激光的特點(diǎn)三、外腔結(jié)構(gòu)四、機(jī)械設(shè)計(jì)五、電流控制—恒流源六、溫度控制一、半導(dǎo)體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理1、組成增益介質(zhì):半導(dǎo)體
2025-05-10 02:10
【摘要】1引言GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-05-22 22:26
【摘要】半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素半導(dǎo)體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲(chǔ)等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個(gè)方面的輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。1.波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長(zhǎng)是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價(jià)帶時(shí)所釋放出的能量決定的,這個(gè)能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H
2025-07-05 03:36
【摘要】半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時(shí)軟啟動(dòng) 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 18 18 22 22 23A/D轉(zhuǎn)換電
2025-07-07 09:33
2024-08-19 05:50
2025-06-25 14:33
【摘要】激光器系列實(shí)驗(yàn)張權(quán)中國(guó)科技大學(xué)天文與應(yīng)用物理系激光器系列實(shí)驗(yàn)3.原理簡(jiǎn)介激光(Laser),原意是受激輻射放大所產(chǎn)生的光,它是英文(LightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation
2024-08-16 15:06
【摘要】山東省工程實(shí)驗(yàn)室建設(shè)項(xiàng)目資金申請(qǐng)報(bào)告項(xiàng)目名稱:山東省大功率半導(dǎo)體激光器工程實(shí)驗(yàn)室申報(bào)單位:山東華光光電子有限公司地址:濟(jì)南市高新區(qū)天辰大街1835號(hào)郵政編碼:250101聯(lián)系人:張成山電話:0531-88877515傳真:0531-88877510主管部門:山東省發(fā)展和改革委員會(huì)申報(bào)日期:
2024-08-18 12:01
【摘要】 半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì) 目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時(shí)軟啟動(dòng) 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 18 18 22 22 23A/D
2025-07-07 09:24