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第5章-半導(dǎo)體激光器(ld):靜態(tài)特性-藍色(全)-展示頁

2024-08-30 23:29本頁面
  

【正文】 后逐漸減弱,最終,滿足共振條件的頻率在輸出光譜中占絕對優(yōu)勢。 在平衡狀態(tài)下(無外界載流子注入),兩種能級上的電子數(shù)目分別是: 111: E k TE n e ??222: E k TE n e ??21()211E E k Tn en ??? ? ?在非平衡狀態(tài)下(有載流子注入),導(dǎo)帶能級和價帶能級被電子占據(jù)的幾率分別是: 1()1eFneeEEkTfEe???1()1hFphhEEkTfEe??? 假設(shè)引起 LD受激輻射的光束強度為 ,則有源區(qū)的受激輻射率為: ? ??hI( ) ( ) ( ) ( ) ( )e e e h h hr c vw N E f E N E f E I h dE????? ? 吸收率為: ? ? ? ?( ) 1 ( ) ( ) 1 ( ) ( )e e e h h ha c vw N E f E N E f E I h dE????? ? ??raww?? distribution of particles reversed ? ? ? ?( ) ( ) 1 ( ) 1 ( )( ) ( ) 1 0e e h h e e h he e h hf E f E f E f Ef E f E? ? ? ? ?? ? ? ?達到粒子數(shù)分布反轉(zhuǎn)的必要條件是: ? 高注入; ? 高摻雜。 3. 粒子數(shù)分布反轉(zhuǎn) 在無外界注入條件下,絕大多數(shù)電子都位于低能級,粒子數(shù)分布反轉(zhuǎn)是指由于能量注入,使得高能級上的電子數(shù)反而比低能級電子數(shù)更多,這是普通激光器的粒子數(shù)分布反轉(zhuǎn)。在穿過有源區(qū)的光子激發(fā)下,導(dǎo)帶電子落入價帶,與價帶空穴復(fù)合,產(chǎn)生光子,此光子與激發(fā)復(fù)合過程的光子在頻率、相位、方向上亦完全一致。 ?半導(dǎo)體激光器工作過程: 在半導(dǎo)體激光器中,有源區(qū)發(fā)光過程涉及到兩種載流子。以二能級系統(tǒng)為例,其過程是:在外界能量注入條件下,原子中的外層電子吸收能量,躍遷到高能級。 受激輻射特點: ?發(fā)出的光是相干光; ?光子相位、方向與引起輻射的光子一致。 激光器是利用受激輻射產(chǎn)生光子,其激勵方式 (能量注入方式 )有: ?電流注入(利用 PN結(jié)結(jié)構(gòu)的載流子注入); ?電子束注入; ?激光注入; ?碰撞電離。無法用于高速、遠(yuǎn)距離通信,只能用于低速、短距離傳輸,例如局域網(wǎng)、接入網(wǎng)( ONU無色化)等。但 LED作為通信用光源的話存在諸多缺陷: ? 輸出頻譜(線寬)大; ? 響應(yīng)速度慢,調(diào)制帶寬??; ? LED是非相干光源。第 4章 半導(dǎo)體激光器 : 靜態(tài)特性 1. 引言; 2. 自収輻射與受激輻射; 3. 光學(xué)諧振腔; 4. 閾值特性; 5. 先進 LD:電子特性的改進; 6. 先進 LD:光學(xué)特性的改進。 I. 引言 LED是在顯示、通信、照明等領(lǐng)域廣泛使用的光源,其優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單、價格低廉、性能可靠。 LED的輸出線寬大約比 LD的輸出線寬大 2個數(shù)量級,而其帶寬則比 LD帶寬小得多。 Laser Diode eh對在高質(zhì)量的 光學(xué)諧振腔中復(fù)合 LED發(fā)光特性 輸出頻譜寬 自發(fā)輻射,響應(yīng) 速度慢,帶寬小 使用“光諧振腔” 提高特定頻率 的輻射強度 利用受激輻射提高 eh對的復(fù)合率 改進措施 LD的主要優(yōu)點: ?輸出功率高(相對 LED); ?體積小; ?發(fā)光效率高; ?輸出頻譜窄; ?響應(yīng)速度快,帶寬大。(?) II. 自収輻射與受激輻射 自収輻射特點: ?自發(fā)輻射是隨機過程; ?發(fā)出的光波是非相干光; ?光子能量大體相等,約等于材料帶隙; ?相位與方向各不相同。 ?普通激光器工作過程: 一般激光器的工作過程涉及到原子的能級躍遷。在高能級的原子態(tài)并不穩(wěn)定,如果此時有光子從有源區(qū)穿過,則會激勵此高能原子,使電子由高能級躍遷回低能級,同時放出一個光子,此光子與引起輻射的光子在頻率、相位、方向上完全一致。其過程是:正向偏置電壓下,外界注入高能載流子,注入的電子能級位于導(dǎo)帶,在導(dǎo)帶底附近,注入的空穴能級位于價帶,在價帶頂部附近。 能量吸收 自發(fā)輻射 受激輻射 Before After● ● ● ● 1E1E1E2E2E2E12h?1. 三種過程 12h?12h?12h?12h? 2. LD產(chǎn)生激光出射的過程: ?正向偏置下,首先由器件內(nèi)部的有源區(qū)自發(fā)輻射產(chǎn)生光子,這些光子中的極少一部分會引起受激輻射,這些光子就是 LD受激輻射發(fā)射激光的源頭; ?LD工作在高電場條件,即外界激勵很強,載流子濃度高,有源區(qū)達到粒子數(shù)分布反轉(zhuǎn); ?光諧振腔的存在,使其中一部分光子因滿足諧振條件而迅速增強,逐漸在整個光波中占有絕對優(yōu)勢,最終克服器件損耗,形成穩(wěn)定的激光輸出。對于半導(dǎo)體激光器,工作過程涉及到兩種載流子,其粒子數(shù)分布反轉(zhuǎn)是指在一定能量范圍內(nèi),導(dǎo)帶內(nèi)的電子比價帶內(nèi)的電子還要多。 1 l n8F n c ccnnE E k TNN??? ? ?????1 l n8F p v vvppE E k TNN??? ? ?????III. 激光器結(jié)構(gòu):光學(xué)諧振腔 1. FP( FabryPerot)腔 限制層 限制層 粗糙面 激活層 輸出光 LI左右兩個側(cè)面為平行的拋光面 zyx FP腔的主要構(gòu)造: ? PN結(jié)結(jié)構(gòu); ? 與 PN結(jié)面垂直的兩個鏡面; ? 電極及熱沉。根據(jù)相長干涉條件,光波從某點出發(fā)經(jīng)過兩個端面的反射,最后回到出發(fā)點時,其相位變化應(yīng)該是 的整數(shù)倍。由縱模的表達式,容易理解:光腔的縱模是周期性的,理論上,光腔中可允許存在無限多個縱模,并且縱模都是等間隔的。 光腔厚度方向上的距離 折射率 光波強度 有源區(qū) P 區(qū) N 區(qū) 光波限制因子是衡量有源區(qū)對光波限制作用的強弱的參數(shù),其大小與激光器的結(jié)構(gòu)有關(guān),不同的激光器其光波限制因子有很大差別。 【 例 】 一個 GaAs材料制作的 FP腔半導(dǎo)體激光器,其腔長為 L=200um, GaAs材料的折射率為 。 101143 1 0 2 1 02 2 3 . 6 6 ( 2 0 0 1 0 )rc HznL?? ??? ? ? ?? ? ?34 1119( 4 10 ) ( 2 10 ) 3 10h m e V?????????5. 光吸收、損耗與增益 ( 1)增益系數(shù) 在激光器內(nèi)部,同時存在光的吸收和光輻射過程,因此,光吸收和光增益是同時存在的,在不同條件下,增益的情況不同。 ()gh???()G g h??( 2)光腔內(nèi)部的主要損耗過程 ? 限制層及電極區(qū)對光子吸收所帶來的損耗 (如這些區(qū)域內(nèi)的雜質(zhì)等引起的光吸收 ); ? 光子由腔體內(nèi)逸出所導(dǎo)致的損耗 (部分光子其傳輸方向并不與出射面垂直,斜入射出腔體 ); ? 載流子對光子的吸收造成的損耗; ? 出射面的光子出射損耗 (對內(nèi)部光波而言,輸出的光波引起損耗 )。 12112? ln ( )R L R R?【 例 】 GaAs制作的 FP腔 LD,腔內(nèi)損耗為 ,其端面損耗與腔內(nèi)損耗相等,計算此 FP腔的長度。分析激光器內(nèi)部的工作過程,可以從光子的速率方程入手: 光子密度的變化率 (單位時間光子密度的變化量 )= 受激輻射率 腔體損耗 +自發(fā)輻射中對激光輸出有貢獻的部分 ? ? ? 39。這一數(shù)值在不同的激光器中往往差別很大。 ? ? ?m s tim L s po ndS R R Rdt ? 對于平行于出射端面的平面上的光子面密度,可以用關(guān)于光子面密度的速率方程: 注意此處 與 的不同之處。sponR?(1)受激輻
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