電學(xué)半導(dǎo)體廠(chǎng)務(wù)系統(tǒng)-展示頁(yè)
2025-07-02 17:46本頁(yè)面
【正文】 l Treatment，即輝光燒鈍退火處理，EP則為ElectroPolish，屬電極拋光之等級(jí)。為達(dá)此潔淨(jìng)度，除要求氣源的純度外，尚需考量配管的設(shè)計(jì)和施工。至於危險(xiǎn)特殊氣體的供應(yīng)氣源，大都置於具抽風(fēng)裝置的氣瓶櫃內(nèi)，且用2瓶或3瓶裝方式以利用罄時(shí)切換；切換時(shí)，須以N2氣體來(lái)沖淨(jìng)數(shù)十次以確定安全，櫃上亦有ESO (Emergence Shut Off Valve)閥，即緊急遮斷閥，做為洩漏時(shí)的遮斷之用。圖一乃氣體供應(yīng)之圖示。目前園區(qū)都採(cǎi)1式為主，但新建廠(chǎng)房的N2用量增鉅，有傾向以近廠(chǎng)N2產(chǎn)生器來(lái)更替；而本實(shí)驗(yàn)室則以液槽供應(yīng)。而這些僅是一般晶圓廠(chǎng)的氣源而已，若是實(shí)驗(yàn)型的氣源種類(lèi)，則將更為多樣性。其中除惰性氣體外，剩下的均歸類(lèi)為毒性氣體。(3) 腐蝕性氣體(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4, AsCl3及SbCl5等。另在特殊氣體上，可略分為下述三大類(lèi)：(1) 惰性氣體(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等。下述將就各項(xiàng)工作內(nèi)容予以概略性說(shuō)明：[1]一座半導(dǎo)體廠(chǎng)所可能使用的氣體約為30種上下，其氣體的規(guī)格會(huì)隨製程要求而有不同；但通?？煞譃橛昧枯^大的一般氣體(Bulk Gas)，及用量較小的特殊氣體(Special Gsa)二大類(lèi)。，及相關(guān)系統(tǒng)的營(yíng)繕支援工作。二、廠(chǎng)務(wù)工作的種類(lèi)目前在本實(shí)驗(yàn)室所代表的半導(dǎo)體製程的廠(chǎng)務(wù)工作，約可分為下列數(shù)項(xiàng)：。所以，藉此針對(duì)廠(chǎng)務(wù)工作的內(nèi)容做一概略性的描述，說(shuō)明其重要性並供作參考與了解。特別是多次的工安事故及環(huán)保意識(shí)抬頭之後，廠(chǎng)務(wù)工作更是倍顯其重要及殷切。所以，推促著製程技術(shù)不斷地往前邁進(jìn)，（百萬(wàn)位元）DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶元件）記憶體密度的此際技術(shù)起，；（十億位元）集積度的DRAM元件設(shè)計(jì)也屢見(jiàn)不鮮。半導(dǎo)體廠(chǎng)務(wù)工作吳世全國(guó)家奈米元件實(shí)驗(yàn)室一、前言近年來(lái)，半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)已進(jìn)展到8晶圓的量產(chǎn)規(guī)模，同時(shí)，也著手規(guī)劃12晶圓的建廠(chǎng)與生產(chǎn)，準(zhǔn)備迎接另一世代的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。於是各廠(chǎng)不斷地?cái)U(kuò)增其產(chǎn)能與擴(kuò)充其廠(chǎng)區(qū)規(guī)模，似乎稍一停頓即會(huì)從此競(jìng)爭(zhēng)中敗下陣來(lái)。亦即整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正陷入尖端技術(shù)更迭的追逐戰(zhàn)，在競(jìng)爭(zhēng)中，除了更新製程設(shè)備外，最重要的是維持廠(chǎng)區(qū)正常運(yùn)作的廠(chǎng)務(wù)工作之配合，而這兩方面的支出乃佔(zhàn)資本財(cái)?shù)淖畲笞?。事?shí)上，半導(dǎo)體廠(chǎng)的廠(chǎng)務(wù)工作為多援屬性的任務(wù)，也是後勤配合與收攤（廢棄物）處理的工作；平時(shí)很難察覺(jué)其重要性，但狀況一出，即會(huì)令整廠(chǎng)雞飛狗跳，人仰馬翻，以致關(guān)廠(chǎng)停機(jī)的地步。文章分為三部份：首先為廠(chǎng)務(wù)工作的種類(lèi)，其次是廠(chǎng)務(wù)工作的未來(lái)方向，最後是本文的結(jié)語(yǔ)。，濕度的維持。，照明及冷卻水的配合。，輔佐事故應(yīng)變的機(jī)動(dòng)工作等數(shù)項(xiàng)。在一般氣體方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。(2) 燃燒性氣體(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO等。實(shí)際上，有些氣體是兼具燃燒及腐蝕性的。SiH4,B2H6,PH3等均屬自燃性氣體(Pyrophoricity)，即在很低的濃度下，一接觸大氣後，立刻會(huì)產(chǎn)生燃燒的現(xiàn)象。其在供氣的流程上，N2可採(cǎi)行的方式，有1. 由遠(yuǎn)方的N2產(chǎn)生器配管輸送，2使用液氣槽填充供應(yīng)，3利用N2的近廠(chǎng)產(chǎn)生器等三種。O2氣體亦多採(cǎi)用液槽方式，不過(guò)H2氣體在國(guó)內(nèi)則以氣態(tài)高壓鋼瓶為主。純化器方面，N2及O2一般均採(cǎi)用觸煤吸附雙塔式，Ar則以Getter（吸附抓?。┦綖橹?，H2則可有Getter，Pd薄膜擴(kuò)散式和觸媒加超低溫吸附式等三項(xiàng)選擇。目前對(duì)氣體的不純物要求已達(dá)1ppb（即109分之1）的程度，如表一
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