【摘要】半導(dǎo)體器件失效分析基礎(chǔ)內(nèi)部資料,注意保密課程說明?課程時長:4小時?授課方式:講授?必備條件:數(shù)投、便攜機(jī)、白板、擴(kuò)音設(shè)備?課程簡介:通過對《半導(dǎo)體器件失效分析基礎(chǔ)》課程的講解,使學(xué)員體會到產(chǎn)品進(jìn)行元器件失效分析的重要性和迫切性,本課程主要講授了器件常見失效模式、常見失效機(jī)理、失效分析流程、
2025-01-07 12:34
【摘要】第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體三極管3AX813AX13DG43AD10(a)(b)(c)(d)圖1-28幾種半導(dǎo)體三極管的外形第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)三極管的結(jié)構(gòu)及類型圖1–29三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號
2025-05-15 12:44
【摘要】模塊一半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體的基本知識半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型場效應(yīng)管半導(dǎo)體的基本知識在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力,可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge,它們都是4價元素。sisi硅原子Ge鍺原子Ge+4+4
2025-07-28 20:34
【摘要】半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.本征半導(dǎo)體2.雜質(zhì)半導(dǎo)體3.PN結(jié)本征半導(dǎo)體—1、本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體—導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。純凈的不含任何雜質(zhì)的半導(dǎo)體。如硅、鍺單晶體。自由運動的帶電粒子。載流子—共價鍵—相鄰原子共有價電子所形成的束縛。半導(dǎo)體中有自由
2025-05-22 03:50
【摘要】半導(dǎo)體器件原理簡明教程習(xí)題答案傅興華簡述單晶、多晶、非晶體材料結(jié)構(gòu)的基本特點.解整塊固體材料中原子或分子的排列呈現(xiàn)嚴(yán)格一致周期性的稱為單晶材料;原子或分子的排列只在小范圍呈現(xiàn)周期性而在大范圍不具備周期性的是多晶材料;原子或分子沒有任何周期性的是非晶體材料.什么是有效質(zhì)量,根據(jù)E(k)平面上的的能帶圖定性判斷硅鍺和砷化鎵導(dǎo)帶電子的遷移率的相對大小.解有效質(zhì)量
2025-07-02 23:23
【摘要】半導(dǎo)體工作原理半導(dǎo)體技術(shù)對我們的社會具有巨大影響。您可以在微處理器芯片以及晶體管的核心部位發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體的身影。任何使用計算機(jī)或無線電波的產(chǎn)品也都依賴于半導(dǎo)體。當(dāng)前,大多數(shù)半導(dǎo)體芯片和晶體管都使用硅材料制造。您可能聽說過“硅谷”和“硅經(jīng)濟(jì)”這樣的說法,因為硅是所有電子設(shè)備的核心二極管可能是最簡單的半導(dǎo)體設(shè)備,因此,如果要了解半導(dǎo)體的工作原理,二極管是一個很好的
2025-08-12 06:17
【摘要】Siliconingot硅錠Wafer晶片Mirrorwafer鏡面晶圓Patter晶圓片F(xiàn)AB:fabrication制造FabricationFacility制造wafer生產(chǎn)工廠Probetest探針測試Probecard探針板Contact連接ProbeTip探頭端部ChipFunction功能EPM:El
2025-07-06 17:38
【摘要】半導(dǎo)體廠務(wù)工作吳世全國家奈米元件實驗室一、前言近年來,半導(dǎo)體晶圓廠已進(jìn)展到8"晶圓的量產(chǎn)規(guī)模,同時,也著手規(guī)劃12"晶圓的建廠與生產(chǎn),準(zhǔn)備迎接另一世代的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。於是各廠不斷地擴(kuò)增其產(chǎn)能與擴(kuò)充其廠區(qū)規(guī)模,似乎稍一停頓即會從此競爭中敗下陣來。所以,推促著製程技術(shù)不斷地往前邁進(jìn),(百萬位元)DRAM(動態(tài)隨機(jī)記憶元件)記憶體密度的此際技術(shù)起,;(十億位元)集積度的
2025-07-02 17:46
【摘要】有關(guān)有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能研究與探討來源于論文在線網(wǎng)2021-7-29發(fā)表的,作者不詳摘要?隨著科技和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,半導(dǎo)體器件在當(dāng)今的生活中應(yīng)用越來越廣泛,本文主要講解有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。該文主要從有機(jī)半導(dǎo)體同無機(jī)半導(dǎo)體的發(fā)展歷程及其其概念導(dǎo)入,其次在分析有機(jī)半導(dǎo)體的優(yōu)劣點,解說有機(jī)半導(dǎo)
2025-05-24 19:34
【摘要】1目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況................................................................................5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù)...............................................................
2024-09-10 15:02
【摘要】目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況 5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù) 5電力半導(dǎo)體器件的分類與發(fā)展 6雙極型電力半導(dǎo)體器件 6MOS結(jié)構(gòu)電力半導(dǎo)體器件 9 12(PIC) 13 13第二章電力整流管 15電力整流二極管的基本結(jié)構(gòu)和類型 15 15功率整流管的基本類型 15PN結(jié)二極管 16 16P
2025-07-06 01:00
【摘要】1.在怎樣條件下,電流密度隨電場強度成線性變化?在強電場下,歐姆定律是否仍然正確?電場強度不大的條件下;不正確?、載流子濃度及遷移率?從霍爾電壓的正負(fù)可以判別半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型;測出RH可求載流子濃度;測出電導(dǎo)率可求出霍爾遷移率。,哪一個材料的少子濃度高?為什么?鍺的少子濃度高。由電阻率=1/nqu和(ni)2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級差別,可以算出鍺的少
2025-04-03 06:15
【摘要】一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。()
2025-07-02 17:39
【摘要】1第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)?教學(xué)時數(shù):8學(xué)時?重點與難點:?1、PN結(jié)的原理和二極管的等效電路。?2、半導(dǎo)體內(nèi)部載流子運動規(guī)律。?3、晶體二極管、晶體三極管、結(jié)型場效應(yīng)管、絕緣柵型場應(yīng)管的工作原理和特性曲線。2§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識本征半
2025-08-10 17:46
【摘要】一.名詞解釋:①.CZ直拉法:是用包括熔爐,拉晶機(jī)械裝置(籽晶夾具,旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置),環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中,熔爐加熱到超過硅的熔點,將一個適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中,懸于坩堝之上,將籽晶夾具插入熔融液中,雖然籽晶將會部分融化,但其未融化的籽晶頂部將會接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起,熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻,從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長單晶硅的基本
2025-04-26 07:12